中华人民共和国国家标准
GB/T 6217-2026代替 GB/T 6217-1998 GB/T 6218-1996
半导体分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范
Discrete semiconductor devices-Blank detail specification for low power bipolar transistors
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布
前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.
放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范》和GB/T6218一1996《开关用双极型晶体管空自详细 本文件代替GB/T6217一1998《半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管第一篇高低规范》.本文件以GB/T6217-1998为主，整合了GB/T6218-1996的内容.与GB/T6217-1998相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：
一增加了最大额定值中最高结温推荐值150℃和175C（见表1）：一增加了电特性中共发射极正向电流传输比的静态值常温较小电流、典型电流、较大电流等三个 电流测试条件的建议数值范围（见表2）：增加了低温共发射极正向电流传输比的静态值（见表2、表5、表6及表7）；删除了共发射极反向传输电容C和反向传输时间常数（见GB/T6217-1998的5.16、5.17、表3)；一增加了电参数曲线的条款（见4.3.3）： 增加了筛选（见5.1）；删除了A2a分组不能工作器件的测试（见GB/T6217-1998的表1）；增加了A3分组的共基极输出电容的测试（见表4）：删除了C2a的分组的共基极输出电容的测试（见GB/T6217-1998的表3）.
请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出.
本文件由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口.
本文件起草单位：济南品恒电子有限责任公司、北京中科新微特科技开发股份有限公司、辽宁芯诺电子科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、朝阳微电子科技股份有限公司.
本文件主要起草人：侯秀萍、卞岩、侯杰、崔同、陶红玉、张彦飞、温霄霞、刘梦新、康婷婷、张金稳、张秋、韩冰冰.
本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为：
GB/T6217，1986年首次发布，1998年第一次修订；本次为第二次修订. GB/T6218，1986年首次发布，1996年第一次修订；
小功率双极型晶体管空白详细规范 半导体分立器件
1范围
极型开关晶体管）的技术要求和质量保证规定.
本文件适用于小功率双极型晶体管详细规范的制定.
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文本文件.
GB/T249半导体分立器件型号命名方法GB/T2423.2-2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温 GB/T2423.5环境试验第2部分：试验方法试验Ea和导则：冲击GB/T2423.15电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ga和导则：稳态加速度GB/T4023.1-2026半导体分立器件第1部分：分规范GB/T4587-2023半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管 GB/T4589.1-2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范GB/T4937.3半导体器件机被和气候试验方法第3部分：外部目检GB/T4937.4半导体器件机械和气候试验方法第4部分：强加速稳态湿热试验GB/T4937.8半导体器件机械和气候试验方法第8部分：密封GB/T4937.9半导体器件机械和气候试验方法第9部分：标志耐久性 GB/T4937.12半导体器件机械和气候试验方法第12部分：扫频振动GB/T4937.15半导体器件机械和气候试验方法第15部分：通孔安装器件的耐焊接热GB/T4937.19半导体器件机械和气候试验方法第19部分：芯片剪切强度 GB/T4937.21半导体器件机械和气候试验方法第21部分：可焊性GB/T4937.22半导体器件机械和气候试验方法第22部分：键合强度GB/T4937.24半导体器件机械和气候试验方法第24部分：加速耐湿无偏置强加速应力
试验
GB/T4937.25半导体器件机械和气候试验方法第25部分：温度循环
GB/T4937.26半导体器件机械和气候试验方法第26部分：静电放电（ESD）敏感度测试人体模型（HBM)
模型(MM) GB/T4937.27半导体器件机械和气候试验方法第27部分：静电放电（ESD）敏感度测试机器
