中华人民共和国国家标准
GB/T4058-2009代替GB/T4058-1995
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
Testmethod for detection of oxidation induced defects inpolished siliconwafers
中国国家标准化管理委员会 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布
中华人民共和国国家标准硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T 4058-2009出版发行 北京复兴门外三里河北街16号邮政编码：100045电话：6852394668517548 网址. spc. net cn秦泉岛印刷厂印刷各地新华书店经销开本880×12301/16印张1.25字数33千字2010年1月第一版2010年1月第一次印刷书号：155066 • 1-39567
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前言
本标准代替GB/T4058-1995《硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法》.本标准与GB/T4058-1995相比，主要有如下变化：
一将原标准中"表1四种常用化学抛光液配方”删除，在第5章中对化学抛光液配比进行了修 改，删除了乙酸配方：增加了铬酸溶液A的配制.Sirtl腐蚀液及Wright腐蚀液的配制：增加了几种国际上常用的无铬、含铬腐蚀溶液的配方、应用及适用性的分类对比表；
本标准所代替标准的历次版本发布情况为：
GB 4058-1983 GB/T 4058-1995 ;GB 6622-1986 GB 6623-1986
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
1范围
本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法.本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的品体缺陷的检测. 硅单品氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法.
2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款.凡是注日期的引用文件，其随后的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然面，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准.
GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T14264半导体材料术语YS/T209硅材料原生缺陷图谱
3术语和定义
GB/T14264中规定的术语和定义适用于本标准.
4方法原理
模拟器件工艺的氧化条件，利用氧化来缓饰或扩大硅片中的缺陷，或两者兼有，然后用择优腐蚀液显示缺陷，并用显微技术观测.
5试剂和材料
5.1三氧化铬，优级纯. 5.2氢氟酸，优级纯.5.3硝酸，优级纯.5.4氨水，优级纯.5.5盐酸，优级纯.5.7纯水，电阻率大于10MΩcm（25C）.5.8乙酸，优级纯.5.9硝酸铜，优级纯.5.11清洗液2”：水：盐酸：过氧化氢=411：1（体积比）. 5.10清洗液1：水：氨水：过氧化氢=4：1：1（体积比）.5.12化学抛光液配比：HF：HNO=1：（3~5）（体积比）.5.13铬酸溶液A：称取500g三氧化铬于烧杯中.用水完全溶解后，移人1000mL容量瓶中，用水稀5.14铬酸溶液B：称取75g三氧化铬于烧杯中，加水溶解后，移人1000mL容量瓶中，用水稀释至刻 释至刻度，混匀（见GB/T1554）.度，混匀.5.15Sirtl腐蚀液：铬酸溶液A（5.13）：氢氟酸=1：1（体积比）.使用前配制.
5.6过氧化氢，优级纯.
