中华人民共和国国家标准
GB/T6618-2009代替GB/T6618-1995
硅片厚度和总厚度变化测试方法
Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices
中国国家标准化管理委员会 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布
前言
本标准与GB/T6618-1995相比，主要有如下变化： 本标准代替GB/T6618-1995《硅片厚度和总厚度变化测试方法》.将适用范围扩展到外延片；增加了第4章干扰因素；增加了150mm和200mm两种规格的基准环的尺寸；本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出. 增加了7.2仪器校正的内容.本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口.本标准起草单位：北京有研半导体材料股份有限公司.本标准主要起草人：卢立延、孙燕、社娟.本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB GB/T
硅片厚度和总厚度变化测试方法
1范围
本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片（简称硅片）厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法.
化的测量.在测试仪器允许的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量. 本标准适用于符合GB/T12964、GB/T12965、GB/T14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变
2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款.凡是注日期的引用文件，其随后的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准然面，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准.
GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划(GB/T 2828. 12003 ISO 2859-1;1999 IDT)
GB/T12964硅单晶抛光片GB/T12965硅单品切割片和研磨片GB/T14139硅外延片
3方法概述
3.1分立点式测量
在硅片中心点和距硅片边缘6mm圆周上的4个对称位置点测量硅片厚度.其中两点位于与硅片主参考面垂直平分线逆时针方向的夹角为30°的直径上，另外两点位于与该直径相垂直的另一直径上（见图1）.硅片中心点厚度作为硅片的标称厚度.5个厚度测量值中的最大厚度与最小厚度的差值称 作硅片的总厚度变化.
图1分立点测量方式时的测量点位置
