中华人民共和国国家标准
GB/T 14847-2025代替GB/T14847-2010
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法
Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily dopedsilicon substrates-Infraredreflectance method
前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.
GB/T14847-2010相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下： 本文件代替GB/T14847-2010《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》，与
a）更改了适用范围（见第1章，2010年版的第1章）：b）更改了方法原理（见第4章，2010年版的第4章）；c）更改了干扰因素（见第5章，2010年版的第5章）：d）增加了试验条件（见第6章）； e）更改了仪器设备（见第7章，2010年版的第6章）：f）更改了样品（见第8章，2010年版的第7章）；g）更改了试验步骤（见第9章，2010年版的第8章）：h）更改了试验数据处理（见第10章，2010年版的第9章）；i）更改了精密度（见第11章，2010年版的第10章）： j）更改了试验报告（见第12章，2010年版的第11章）.
请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口.
鑫半导体材料有限公司、中电晶华（天津）半导体材料有限公司、山东有研艾斯半导体材料有限公司、 本文件起草单位：浙江金瑞泓科技股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、南京盛西安龙威半导体有限公司、浙江大学、麦斯克电子材料股份有限公司、布鲁克（北京）科技有限公司、珀金埃尔默企业管理（上海）有限公司、赛默飞世尔科技（中国）有限公司、上海优睿谱半导体设备有限公司、青海沅平新能源科技有限公司.
本文件主要起草人：李慎重、张海英、李素青、许峰、梁兴勃、蒋玉龙、葛华、李明达、张宏浩、马林宝、马向阳、刘丽娟、贺东江、赵跃、方伟宇、李云鹏、庄育军、韩云霄、雷浩东、袁文战.
本文件于1993年首次发布，2010年第一次修订，本次为第二次修订.
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法
1范围
本文件描述了红外反射法测试重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的方法.
层厚度的测试. 本文件适用于电阻率为0.0006Ωcm~0.025Ωcm的衬底上制备的厚度大于0.5ym的硅外延
2规范性引用文件
件，仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文本文件.
GB/T6379.2-2004测量方法与结果的准确度（正确度与精密度）第2部分：确定标准测量方法重复性与再现性的基本方法
GB/T14264半导体材料术语
GB/T25915.1-2021洁净室及相关受控环境第1部分：按粒子浓度划分空气洁净度等级
3术语和定义
GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件.
3.1
折射率refractivity
注：人射角和折射角是指表面法线和红外光束的夹角，对电阻率大于0.1Ωcm硅材料，当波长范围为6μm～ 入射角的正弦相对折射角的正弦的比率.40pm时，相对空气的该比值为3.42该值由斯尔（Snell）定律求出.
4方法原理
红外入射光接触外延层表面后，穿透外延层到达衬底，在外延层的上下界面分别发生反射和折射，总反射光是这两部分反射光的叠加.因为光的波动性，这两部分反射光的相位可能干涉相长或干涉相消，面相位关系取决于这两部分的光程差.光程差是由外延层厚度、外延层与衬底光学常数、光的波长、红外光在外延层上的人射角和外延层折射率决定的.
峰位置；相反，光程差是半波长的奇数倍时，两组反射光相位相反，则干涉相消，即呈现反射光谱的极小 当光程差等于半波长的偶数倍时，两组反射光相位相同，则干涉相长，即呈现反射光谱的极大值波值波谷位置.
干涉图谐被仪器探测器记录并转化为反射光语，样品反射光语中出现连续极大极小干涉条纹特征谱现象，根据反射光谱中干涉条纹的极值波数、外延层与衬底光学常数和红外光束在样品上的人射角，即可计算出外延层厚度.
