中华人民共和国国家标准
GB/T11093-2007代替GB/T110931989
液封直拉法砷化家单晶及切割片
Liquid encapsulated czochralski-grown gallium arsenide single crystals andas-cut slices
中国国家标准化管理委员会 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布
前言
本标准与GB/T11093-1989相比，主要有如下变动： 本标准是对GB/T11093-1989液封直拉法砷化镍单晶及切割片》的修订.单品和切割片的牌号按照GB/T14844（半导体材料牌号表示方法》进行了修订：增加了76.2mm（3 in）、100mm、125mm和150mm规格的产品;增加了掺入碳等杂质元素的产品；取消了按位错密度对产品进行分级. 去掉了40mm规格的产品；本标准自实施之日起，代替GB/T11093一1989.本标准由中国有色金属工业协会提出.本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口.本标准起草单位：北京有色金属研究总院. 本标准主要起草人：张峰翊、郑安生.本标准所代替标准的历次版本发布情况为：GB/T 11093-1989.
液封直拉法砷化单晶及切割片
1范围
本标准规定了液封直拉法砷化嫁单品及切割片的要求、试验方法、检验规则和标志、包装运输贮存等.
件、传感元件和红外线窗口等元器件用材料. 本标准适用于液封直拉法制备的砷化嫁单品及其切割片.产品供制作微波器件、集成电路、光电器
2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款.凡是注日期的引用文件，其随后的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然面，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准.
GB/T1555半导体单晶品向测定方法GB/T8760神化镍单品位错密度测量方法GB/T13387电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T14264半导体材料术语GB/T14844半导体材料牌号表示方法GJB1927砷化嫁单晶材料测试方法
3要求
3.1产品分类
产品按导电类型和电阻率分为半绝缘型（S1型）.低阻导电型（n型和p型）.
3.2牌号
3.2.1单品的牌号表示为
若单品不强调生产方法或不掺杂时，其相应牌号部分可以省略.
LEC-G±As-SI-~100>表示液封直拉法半绝缘方向砷化惊单晶； 示例：LEC-GaAs-n（Te1-表示液封直拉法掺碎（Te)n型方向碑化像单晶；LEC-GaAs-S1（CrO)-表示液封直拉法格（Cr）氧（Oi双掺半绝缘方向砷化嫁单晶
3.2.2单晶切割片的牌号表示为
若单品不强调生产方法或不掺杂时，其相应牌号部分可以省略.
示例：
LEC-GaAs-CW-SF-~100>表示液封直拉法半绝缘方向砷化嫁单晶切割片；
LEC-GaAs-CW-p(Zn）~100>表示液封直拉法掺锋（Zn）p 里~10>方向碑化单晶切割片;LEC-GaAs-CW-SI（CrO）~100>表示液封直控法铬（C）氧（0）双掺半绝缘方向砷化惊单晶切割片.
3.3单昌
3.3.1单晶生长方向为、或由供需双方协商确定.
3.3.2低阻导电型单品的规格尺寸、掺杂剂、载流子浓度、迁移率和位错密度
3.3.2.1单品规格尺寸
滚圆后单晶直径如表1.
表1低阻导电型单品的规格尺寸
单晶规格 50 8 76 2 100允许偏差 上偏差 1 0 1.0 1 0下偏差 0.2 0.2 0 2
3.3.2.2掺杂剂
n型掺杂剂-般包括Si、S、Se、Te、Sn:p型掺杂剂一般包括Zn、Cd、Be、Mn、Co、Mg；电子杂质一般包括In、A1、P、Sb等.
3.3.2.3载流子浓度和迁移率
3.3.2.3.1n型单晶载流子浓度
b)>4×10 cm~1×10” cm²; a）≤4×10cm²；c)>1×10²cm~5×10²cmd) >5×10²cm²~3×10°cm²；e）>3×10²cm²f）其他n型单品载流子浓度范围由供需双方协商确定.
3.3.2.3.2n型单品电子迁移率
a)≥4 000 cm² /(V ▪ s);b）≥2 500 cm²/(V s）;d) c) >1 500 cm²/(V • s); ≥1 000 cm²/(V s);e) (A)/00f 其他电子迁移率由供需双方协商确定.
3.3.2.3.3p型单晶的载流子浓度和空穴迁移率由供需双方协商确定.
3.3.2.4位错密度
鼓励生产低位错的产品. 由于位错密度和具体的掺杂剂，掺杂浓度有关，如需要更加具体的参数范围由供需双方协商确定.
3.3.3半绝缘单品的规格尺寸、掺杂剂、电阻率、迁移率和位错密度
3.3.3.1单品规格尺寸
单品规格尺寸应符合表2的规定.
表2半绝缘单品的规格尺寸及允许偏差
单位为毫米
单晶规格 50 8 76 2 100 125 150允许偏差 上偏差 1 0 1.0 1 0 1 0 1 0下偏差 0.2 0.2 -0.2 0.2 0.2
3.3.3.2掺杂剂
非掺杂C，Cr，In，O等.
3.3.3.3电阻率和迁移率
a）≥1×10Ωcm;b）≥1×10Ωcm.
3.3.3.3.1电阻率范围如下：
3.3.3.3.2迁移率范围如下：
a)≥4 000 cm²/(V s):b)≥5 000 cm²/(V s);c)≥6 000 cm² /(V s)
3.3.3.3.3深施主EL2的浓度、浅受主C的浓度由供需双方协商确定.
3.3.3.3.4由于电阻率，迁移率和掺杂剂、掺杂浓度互相关联，参数范围由供需双方协商确定.
3.3.3.4位错密度
3.3.3.4.1非掺杂半绝缘单晶，位错密度应符合表3的规定.
表3非掺杂半绝缘单晶位错密度
单品 50 8 mm 76 2 mm 100 mm 125 mm 150 mm位错密度/cm c 5×10 10×10 15×10 20×10 25×10
3.3.3.4.2位错密度和掺杂剂，掺杂浓度有关，参数范围由供需双方协商确定.
3.3.4单品的一端或两编应按所要求的品向切出基面，该面应平整.
3.3.5单晶不得有气孔、裂纹、崩边和李晶线.
3.3.6半绝缘单品的热稳定性能由供需双方商定.
3.4切割片
3.4.1切割片晶面为（100）、（111）或由供需双方协商确定.
1. 0 mm
3.4.350.8mm，76.2mm.100mm.125mm单品切割片参考面
3.4.3.1切割片参考面位置
垂直于主参考面的腐蚀槽形状.主参考面和副参考面应符合表4中的规定. 有两种参考面位置可供选择，它们是V型槽（如图1和图3）和燕尾槽（如图2和图4），图中画出了
