中华人民共和国国家标准
GB/T 14115-93
半导体集成电路采样/保持放大器 测试方法的基本原理
General principles of measuringmethods of Sample/Holdamplifiersfor semiconductorintegratedcircuits
国家技术监督局发布
中华人民共和国国家标准
半导体集成电路采样/保持放大器 测试方法的基本原理
GB/T 14115-93
General principles of measuring methods of Sample/Holdamplifiers for semiconductor integrated circuits
1主题内容与适用范围
本标准规定了半导体集成电路采样/保持放大器（以下简称器件）电参数测试方法的基本原理. 本标准适用于半导体集成电路采样/保持放大器的电参数测试.
2引1用标准
GB3439半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理GB3442半导体集成电路运算（电压）放大器测试方法的基本原理
3总的要求
3.1若无特殊说明，测试期间，环境或参考点温度偏离规定值的范围应符合器件详细规范的规定.3.2测试期间，施于被测器件的电参量应符合器件详细规范的规定. 3.3测试期间，应避免外界干扰对测试精度的影响，测试设备引起的测试误差应符合器件详细规范的规定.3.4被测器件与测试系统连接或断开时，不应超过器件的使用极限条件.3.5若有要求时，应按器件详细规范规定的顺序接通电源.3.6测试期间，被测器件应按器件详细规范规定连接外围电路和补偿网络. 3.7如需外接保持电容C时，保持电容器应符合测试要求，在测试电路安排上应尽量减小外电路对保持电容的馈通与泄漏.3.8若电参数值是由几步测试的结果经计算确定时，这些测试的时间间隔应尽可能短.
4参数测试
4.1线性误差E4.1.1目的测试器件在采样状态时实际转移特性曲线与最佳拟合直线间的最大相对偏差.4.1.2测试原理图测试原理图如图1所示.
图 1
4.1.3测试条件
测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定：
a. 环境温度： 电源电压：b. c. 失调补偿网络；d. 外接保持电容（适用时）：e. 满量程输入电压和满量程输出电压； 控制信号电平；f. 负载电阻.
g-
4.1.4测试程序
4.1.4.1按规定的环境条件，将被测器件接入测试系统中.
4.1.4.2按通规定的电源电压和直流信号源，施加控制信号，使器件处于采样状态.
4.1.4.4在规定的满量程输入电压范围内，逐步调节器件的输入电压Vp，并测出相应于每一输入电
压的输出电压Vox
4.1.4.5根据4.1.4.4测试结果，确定最佳拟合直线.
4.1.4-6找出实际特性曲线与最佳拟合直线之间的最大偏差|Vαmx
4.1.4.7按式（1）计算线性误差EL：
(1 )
式中：Vso-满量程输出电压.
4.2增益误差EG
4.2.1目的
测试器件在采样状态时实际满量程输出电压与规定的满量程输出电压的相对偏差.
4.2.2测试原理图
测试原理图如图2所示.
图 2
4.2.3测试条件
测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定：
a环境温度： 电源电压：b. c. 失调补偿网络：d外接保持电容（适用时）：控制信号电平：
.满量程输入电压和满量程输出电压：
g.负载电阻.
42.4测试程序
4.2.4.1按规定的环境条件，将被测器件接入测试系统中.
4.2.4.3调节直流信号源，使器件的验入电压为零，调节失调补偿网络，使器件的输出电压为零.
4.2.4.4调节直流信号源，使器件输入满量程电压V
4.2.4.5在器件的输出端测出输出电压Vro
4.2.4.6按式（2）计算增益误差EG
（2）
式中：Vso满量程输出电压.
4.3采集时间
4.3.1目的
测试器件从控制信号进入采样状态至输出电压最后一次进入误差带所需的时间.
4.3.2测试原理图
测试原理图如图3所示，测试波形图如图4所示.
4.3.3测试条件
4.3.4测试程序
测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定：
环境温度；b. 电源电压；输入信号和控制信号的波形和幅度；d. 外接保持电容（适用时）：e. 输出电压及误差范圈.
4.3.4.1按规定的环境条件，将被测器件接入测试系统中.
4.3.4.2接通规定的电源电压、输入信号V，和控制信号Vc.
图 3
图4
