中华人民共和国电子行业军用标准
FL 6124
SJ20957-2006
大功率半导体激光二极管阵列通用规范
General specification forlarge power semiconductor laser diode array
中华人民共和国信息产业部批准
目次
前言.1范.2引用文件3要.. 3.1总则3.2材料 ** 13.3结构.. 23.4光电性能 .24质量保证规定 3.5标志 .24.1 检验分类， .. .34.2 检验条件 .34.3 材料的检验. 检验批的构成. .34.4 4.5 鉴定检验、 .4 44.6 筛选 ..4.7 质-致性检验 .54.9环境和机械检验试验方法 4.8 光电特性的检验方法 85交货准备. .. 95.1 包装要求 .5.2 成品的安全存放5.3运输要求. 6说明事项.. .. .96.1预定用途 ..6.2分类 .6.3订购文件中应明确的内容 ..9附录A（规范性附录）峰值波长（XP）、光谱宽度（△x）的测试方法 6.4术诺和定义 .0 9附录B（规范性附录）输出光功率（P）、输出能盘（E）测试方法 ..12附录C（规范性附录）结构相似产品试验组合指南
前言
本规范的附求A、附录B和附录C是规范性附录.本规范起草单位：信息产业部电子第四研究所. 本规范由信息产业部电子第四研究所归口.本规范主要起草人：赵英、钟斌.
大功率半导体激光二极管阵列通用规范
1范围
用要求，以及必须满足的质量和可靠性保证要求. 本规范规定了军用操封装的大功率半导体激光二极管阵列（以下简称阵列或产品）生产和交付的通
2引用文件
下列文件中的有关条款通试 用页成 次的引用文件，其后的任何修改单（不包括勘误的内容） 本的可能性.凡不注日 式最薪版本理用于 的各方探讨使用其最新版
3要求
3.1总则
20073.1.1产品应符合本规范和相应相关详细规应规定的研有要 要求病相关详细规范不一致时，应以相关详细规范疗准 珠引证出处时，即指引证相关详细规范.
3.1.2按本规范提交产品的承衍东应按B 大绣
3.1.3按本规范供货的产品，应是经鉴定命格的产品是第章）
3.2材料
3.2.1通则
产品应以本规范或相关详细规范（见3.1.1）中所规定的材料制造，若某种特定的材料规范中没有规定时，只要这种材料可以使产品满足规范中的性能要求，则这种材料可以使用.用于制造产品的材料， 当按本规范的条件试验时，或按其用途使用时，对人员的健康应是无害的.任何构成材料的接收或批准不应被认为是最终产品接收的保证.
3.2.2金属
金属应是抗腐蚀的，或经抗腐蚀的处理.
3.2.3霉菌
按本规范设计产品所用的全部材料在霉菌试验中的莓菌生长情况不应超过GJB150.10-1986表2中等级1的要求，
3.3结构
3.3.1单bar的长度
若无其它规定，阵列的单bar长度应为lcm.
3.3.2bar间距（适用时）
阵列的bar间距应满足产品的性能要求并在详细规范中规定.
3.3.3光纤（适用时）
对于光纤耦合输出的产品，光纤的芯径、数值孔径等应满足产品的性能要求并在详细规范中规定，
3.3.4光窗或透镜（适用时）
对于光窗或透镜耦合输出的产品，光窗或透镜应满足产品的性能要求并在详细规范中规定.
3.3.5引出端（适用时）
引出端的材料和结构应满足产品的性能要求并在详细规范中规定.
3.3.6制冷方式（适用时）阵列的制冷方式应满足产品的性能要求并在详细规范中规定，
3.4光电性能
3.4.1通则
产品的光电性能应符合本规范和相关详细规范的规定，但至少应包括3.4.2~3.4.8的参数.测试方法应按4.8的规定.
3.4.2正向电压
在规定额定输出光功率的条件下测试，正向电压应符合规定.
3.4.3输出光功率
在规定热沉温度、正向电流的条件下测试，输出光功率应符合规定.
在规定热沉温度、额定输出光功率的条件下测试，峰值波长应符合规定.
在规定热沉温度、额定输出光功率的条件下测试，光谱半宽应符合规定.
3.4.6闻值电流
在规定热沉温度、输出光功率的条件下测试，阀值电流应符合规定.
在规定热沉温度、额定输出光功率的条件下测试，平行/承直发散角应符合规定.
3.4.8电光效率
在规定热沉温度，额定输出光功率的条件下测试，电光效率应符合规定.
3.4.9上升时间、下降时间（适用时）
在规定热沉温度、额定输出光功率、脉冲宽度、占空比的条件下测试，光脉冲的上升时间、下降时间应符合规定.
3.5标志
3.5.1标志的识别
每个产品上的标志应符合本规范及相关详细规范的要求；并在交货时是清晰完整的.如产品体积较小应采用下述优先顺序进行标志：
a）极性标志（按规定）：b）型号或识别号（按规定）：c）序列号（按规定）：d）检验批识别代码（见3.5.4）： e）承制方名称或商标（见3.5.3）：
