中华人民共和国国家标准
GB/T15861-2012代替GB/T15861-1995
离子束蚀刻机通用规范
General specification of ion beam etching system
中国国家标准化管理委员会 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布
前言
本标准代替GB/T15861-1995（离子束蚀刻机通用技术条件》. 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草.本标准与GB/T15861-1995相比主要变化如下：GBn1931983由GB/T13384-1992代替SJ2573-1985由SJ/T10674-1995代替：环境温度调整为20℃士10℃[见5.1a）]；表1中束流密度0.5mA/cm²调整为≥0.3mA/cm²，1mA/cm²调整为0.8mA/cm²（见表1）； 束能量范围调整为0~2000eV，可调（见5.4.1）；增加束能量为2000eV时束流密度≥1mA/cm²（见表1）：一有效束径规格增加了g50和100两种，去掉了60（见5.4.4）：一中和方式增加了“电子源中和器”（见5.4）：一"膜厚均匀性为士5%的蚀刻样片"改为"膜厚均匀性优于土2%、厚度2pm、制备了掩膜图案的 对束流密度检测方法进行了更清楚的表述（见6.4.2）；蚀刻样片"（见6.4.10）；检验规则去掉例行检验项（见7）；-增加包装前检查的条款（见8.2.1）.本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出. 本标准由中国电子技术标准化研究所归口.本标准起草单位：中国电子科技集团公司第四十八研究所.本标准主要起草人：陈特超、周大良.本标准所代替标准的历次版本发布情况为： -GB/T 15861-1995
离子束蚀刻机通用规范
1范围
本标准规定了离子束蚀刻机的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、运输、贮存.
本标准适用于物理溅射腐蚀作用的通用离子束蚀刻机，其他专用离子束蚀刻机亦可参照执行.
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件.
GB/T191包装储运图示标志GB/T5080.7-1986设备可靠性试验但定失效率假设下的失效率与平均无故障时间的验证试 GB/T4857.7-2005包装运输包装件基本试验第7部分：正弦定频振动试验方法验方案GB/T63881986运输包装收发货标志GB/T13384-1992机电产品包装通用技术条件SJ/T142电子工业专用设备通用规范SJ/T1276金属镀层和化学处理层质量检验技术要求
SJ/T10674涂料涂覆通用技术条件
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件.
3.1 束能量beam energy表征离子束中离子的动能.注：单位为电子伏特（eV）.
3.2束流密度heam current density 离子束某一指定截面上单位面积所通过的电流强度.
有效束径effective beam diameter打到靶上的束流密度均匀性在要求值（不低于土5%)以内的束直径范围.
束流均匀性uniformityof beam current
离子束某一指定截面上任意测试点间有效束径范围内束流密度变化的最大与最小值之差与其之和的比的百分率.
GB/T 15861-2012
3.5束流稳定性stability of beam current
规定时间内束流强度变化的均方根值与其平均值之比.
9 蚀刻均匀性etchuniformity被蚀刻材料表层不同点上的蚀刻深度的不一致性.
3. 7中产生中和离子束中正电荷的电子发射源.
4产品分类
按加工工件置放方式分：a）立式离子束蚀刻机（工件水平放置）；b）卧式离子束蚀刻机（工件竖直放置）.
5技术要求
5.1工作条件
a）环境温度：20℃士10℃：b）相对湿度：1
5.4.3束流均匀性
在产品规范中给出束流均匀性指标，其指标值应为士5%.
5.4.4有效束径
蚀刻机的有效束径应在具体产品规范中规定.其误差为士2%.有效束径优选规格为550、g80、100、150.
5.4.5束流稳定性
束流稳定性指标值：
a）在1h内为±1%；b）在4h内为士2%.
5.4.6真空度
a）蚀刻机工作室的极限压力为6.7×10Pa； b）蚀刻机工作室的工作压力为4×10Pa.
5.4.7恢复真空时间
当蚀刻机工作室暴露大气不超过20min时，设备从开高压阀抽到大气压值变为5×10-Pa，所需时间不大于20min.
5.4.8蚀刻台
蚀刻台可连续旋转，转速5r/min~10r/min可调.
