中华人民共和国国家标准
GB/T 16468-1996
静电感应晶体管系列型谱
Seriesprogrammesfor static induction transistors
国家技术监督局 发布
中华人民共和国国家标准
GB/T 16468-1996
静电感应晶体管系列型谱
Series programmes for static induction transistors
1主题内容与适用范围
1.1主题内容
本标准规定了静电感应晶体管的标准系列和品种，以及选择和应用导则.
1.2适用范腻
本标准适用于电子设备在设计和制造时应优先选用的静电感应品体管的标准系列和品种，同时也作为静电感应品体管生产、研制、开发时选择系列和品种的基本依据.
1.3日的
本标准的目的是：
a.为电子设备设计和制造者提供适用的静电感应品体管标准系列和品种.b.促进电子设备使用静电感应品体管标准系列和品种，以最大限度地减少类似的非标准品种的使用，提高标准化和系列化水平.c.对静电感应品体管的生产、研制、开发进行控制和计划管理，以较少的系列和品种满足电子设备的需要，以有利于控制品种、增强投资效果、提高产品质量和有效的配套供应.
2引1用标准
GB249半导体分立器件型号命名方法GB4586半导体分立器件第8部分场效应晶体管GB7581半导体分立器件外形尺寸
3术语、符号、代号
3.1术语本标准使用的有关静电感应晶体管的术语和定义按GB4586的规定，
3-2符号 本标准使用的有关静电感应品体管的参数符号按GB4586的规定.
3.3代号
本标准系列型诺表中”生产及研制状况“栏所用的代号含义如下：
A-表示已生产并优选的品种：B--表示正在研制并优选的品种； C一表示待开发的品种.
4技术内容
4.1列入系列型谱的准则
4.1.1性能指标适用于多种应用场合，有较大应用范围，而且结构、安装方式和功能不重复的标准通用品种.
4.1.2已生产的品种其设计已定型，材料和工艺已得到验证，并有适合的质量控制措施，有较好的试验和使用经历：正在研制和待开发的品种是为电子设备使用和发展所需要的标准通用品种.
4.2系列型谱构成因素
静电感应品体管系列型谱主要由型号、最大额定值、主要电特性、外形、生产及研制状况等各因素构成.
4.3系列型谱排列原则
4.3.1硅功率静电感应放大用品体管系列登诺按工作频率排队.在相同工作频率下，再按输出功率大小依次排列
4.32硅功率静电感应开关用品体管系列型谱按耗散功率排队.在相同耗散功率下，再按击穿电压大小依次排列.
4.3.3双极模式硅功率静电感应品体管系列型谱按耗散功率排队，在相同耗散功率下，再按漏极电流或击穿电压大小依次排列.
4.4与规范的关系
系列型谐中静电感应品体管品种所列的技术内容与现行有关规范不一致时，应以后者为准.
4.5选择和应用
4.5.1电子设备的设计应优先从本系列型谐中选择静电感应晶体管品种.初选后应检查适用规范以核实产品能否满意地用于预定应用场合，选择正在研制品种时，应核实研制进展情况：选择待开发品种时，应通过新品研制合同提出安排研制.
4.5.2电子设备设计者在本系列型谐中未能选到满足适用性能要求的品种时，可选用或提出研制系列型谱中未列入的品种.
4.5.3电子设备设计者应正确使用系列显谐中所列的静电感应品体管.为了获得更好的使用可靠性，可在规范规定的最大额定值基础上合理降额使用.
4.6型号
本标准中静电感应晶体管的型号符合GB249的规定.
5详细要求
5.1硅功率静电感应放大用晶体管系列型谱见表1.5.2硅功率静电感应开关用品体管系列型谱见表2.5.3双极模式硅功率静电感应晶体管系列型谱见表3.
表1硅功率静电感应放大用品体管系列型谱
序号 型号 最大额定值 主要电特性 外形研制国外产备注 生产及相应的P.. W A V Vs V mS En. μ MH f. P. W G dB 7 % 状品型号1 CS0 117 10 0.6 60 6 ≥100 >10 100 >10 ≥50 C2 att 30 1.6 60 6 >250 >10 100 >20 >10 >50 C3-01B C3 CS0 119 75 3.5 60 6 ≥600 ≥10 100 50 >8 >50 C3-01B C4 CS0 101 5 0.5 45 4 >100 >10 400 >3 10 >50 B2-08F A5 CS0 102 15 0.8 60 ≥70 400 >10 29 >50 C4-01D A6 CS0 103 1.6 60 6 >230 400 >20 ≥9 >50 C4-01D A
续表1
最 大 定 主 妥 电 特 性 生产 及相应的序号 号 s2- P A Voc f P 外 研 况品蛋号 创国外产 备注w V > MHr w 状7 CS0 104 2.3 0.2 45 - >10 600 B2-08C A8 CS0105 4.5 0. 6 55 >50 >15 600 >3 >50 B2-08F A9 CS0 106 CS0 107 15 45 1.2 2.5 60 45 5 4 >100 >600 >12 >10 600 600 >10 >30 >9 >50 ≥50 B2-08F Ct-01D A A10 11 S0t O 12.5 0.8 8 >80 1 000 >s >9 ≥30 Ct-01D B12 CS0 109 23 1.2 60 >120 >10 1000 >10 C4-01D B13 CS0 110 2.3 0.15 60 4 >15 1500 >1 ≥5 ≥30 B2-08C B14 CS6 111 15 0.8 60 >120 >10 1500 ≥4 >25 C4-01D
表2 硅功率静电感应开关用品体管系列型谐
大 定 值 生 电 特 性 生产 及 相应的序号 导 r-25C P.. V [V f bce 外 形 国外产 备注w A V A V f MHz 0 UK ns 况 品型号CSo 112 4 0.4 300 30 0. 1 20 10 100 15 15 B2-01B A2 CS0113 4 0.4 400 40 0.1 20 100 15 15 B2-01B Aoz1 0s 80 80 600 50 30 10 10 50 5 50 50 B2-01C B2-01C5 CSo 121 CS0 122 80 5 5 1000 1 200 70 50 2 30 30 10 50 50 10 1 50 50 50 50 B2-01C c C6 CS0 123 80 5 1500 70 30 50 ≤10 >1 50 50 B2-01C cCS0 114 150 10 606 50 30 10 50 ≤2.5 1 50 50 B2-01C c8 CS0 124 150 10 1000 70 30 10 50 1 50 50 B2-01C c9 CS0 125 300 20 600 50 8 30 10 50 ≤1.2 S1 50 59 B2-01C c 2SK18010 CS0 126 300 20 900I 70 39 10 50 1 50 99 B2-01C c 2SK18111 CS0 127 400 30 600 50 30 10 50 ≤0.6 1 50 50 B2-01C B THF-5112 CS0128 400 30 800 70 30 10 50 >1 50 50 B2-01C B THF-5213 CS0 129 500 60 600 os 18 30 10 10 ≤0. 5 >1 250 3$/0 B2-01C B 2SK182E14 CSO 115 911 05 1 000 500 60 60 1000 600 70 18 30 30 10 10 ≤1.3 ≤0.5 >1 1 250 300 B2-01C 板 B B 2SK183E 2SK18216 15 CS0 130 1 000 60 1000 50 70 18 18 30 10 10 ≤1.3 250 250 300 300 平 板 B 2SK183CS0 131 1 000 100 1 000 70 20 20 15 10 ≤1.5 300 300 平 板 C 2SK183V8T CS0 132 3 000 150 1 000 70 20 o. 1 350 350 平 板 c 00-19 3 000 150 70 50 0. >1 350 350 平 板 c TS-300HCS0 134 X008 100X 1 000 70 20X 20 15 10 250 300 模 块 TM201-N| 二配对21 CS0 135 X008 100× 1000 76 20 15 10 ≤0. 1 250 300 模 块 c TM401-N四配对
表3 双极模式硅功率静电感应晶体管系列型谐
量 大 定 主 电 特 性 生产及 相应的序号型 .=2sc P Vos fs 外 形 状 制 品型号 国外产 备注w A V V V 况CS0 151 7 1 500 500 5~10 0.5 ≤1. 00. 050.121. 0 0.1 B2-01C B2-01C A2 CS0152 CS0 160 14 35 2 500 500 20 4 300~400 5~10 0.5 ≤1.00.050.121.0 3.0 0.1 0. 4 F3-G3 A C TSR2043 4 CS0 161 35 10 100 60' 250 100 20 300~400 0.5 0.6 1.1 <1.0 0- 1 0. 3 0 2.0 0.2 F3-03 c TSR2035 CS0 153 42 5 500 500 5~10 0.5 ≤1.op 05o. 0.120.5 0.1 B2-01C A6 CS0 162 50 15 100° 250 20 300~400 ≤0.5 <1.1 [0. ] 0 4] 3.0 0.4 F3-03 c TSR2027 CS0 163 50 20 60** 100 20 300~500 ≤1.00.1 0.3 |2-0 0.2 F3-03 C TSR2018 CS0 154 70 10 500 005 4 5~10 0.5 B2-01C CCS0 154 90 20 60 60 10 S0~120 1.0 150.80.04 F3-04A C TSR003P 沟道10 CS0 165 90 20 100 100 20 50-350 ≤0.5 C1.1 [T °0 0.2 °0 F3-04A c TSR00211 CS0 166 90 40 60 100 20 300~500 ≤1.0p. 150. 35 1.0 0.1 B2-01C 按协议 C CS303S 敏感21 13 CS0 156 CS0 155 150 500 30 15 600 250 250 80~120 5~10 ≤0.5 0.5 ≤1.0 070. 0.14 C3-02B B 814 CS0 157 500 30 500 600 600 30~50 1. 1.00 1.8 1.00 0.5 15] C3-02B B 达林额15 CS0 167 600 200 100° 00 20 80~120 ≤1.0 按协议 C TSM002]16 CS0 168 600 250 100′ 300 20 100~200 ≤0.4 ≤1.0 0. 3 按协议 C TSM00317 CS0 158 1 000 60 600 600 5 30~50 0.5 ≤1.0 按协议18 CS0159 3 000 200 600 S0O 30~50 ≤1.0 按协议 c 注：1）此值为V值. 附加说明： 本标准由中华人民共和国电子工业部提出.本标准由电子工业部标准化研究所归口. 本标准由电子工业部标准化研究所和河北半导体研究所负责起草.本标准主要起草人王长福、颐振球、韩直、梁法国、聂荣琪.
