中华人民共和国国家标准
GB/T 19444-2025代替GB/T19444-2004
硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法
Test method for oxygen precipition characteristics of silicon wafers-Interstitialoxygenreduction
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布
前言
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.
2004相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：
a）更改了适用范围（见第1章，2004年版的第1章）：b）增加了术语和定文（见第3章）：e）更改了方法原理（见第4章，2004年版的第3章）：d）增加了干扰因素（见第5章）； e）增加了试验条件（见第6章）；[）更改了试剂或材料（见第7章，2004年版的第5章）；g）增加了仪器设备（见第8章）；h）更改了样品（见第9章，2004年版的第6章）：j）增加了试验数据处理（见第11章）； i）更改了试验步骤（见第10章，2004年版的第7章）；k）更改了精密度（见第12章，2004年版的第10章）：1）更改了试验报告（见第13章，2004年版的第9章）.
请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口.
本文件起草单位：麦斯克电子材料股份有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、内蒙古中环晶体材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、山东有研艾斯半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、上海合晶硅材料股份有限 公司、浙大宁波理工学院.
本文件主要起草人：方丽覆、陈卫群、姚献朋、黄笑容、寇文辉、王新社、郭红强、刘丽娟、肖世豪、朱晓彤、张海英、王江华、尚海波、章金兵.
本文件于2004年首次发布，本次为第一次修订.
硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法
1范围
本文件描述了通过硅片热处理前后间原氧含量的减少量来测试硅片氧沉淀特性的方法.本文件适用于室湿电阻率大于0.1Ωcm的n型硅单晶片和室温电阻率大于0.5Ωcm的p型硅单晶片氧沉淀特性的测试.
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件.
GB/T15572018硅品体中间原氧含量的红外吸收测量方法GB/T6682分析实验室用水规格和试验方法GB/T14264半导体材料术语
3术语和定义
GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件.
3.1
氧沉淀oxygenprecipitation
在晶体生长及后期热处理阶段，晶格之间的氧原子与硅及硅晶体中的其他杂质反应而形成的氧沉积物.
3.2
初始氧含量initialoxygencontent
未经热处理工艺的硅单晶片的间原氧含量.
3.3
最终氧含量final oxygencontent
经过热处理工艺的硅单品片的间原氧含量.
3.4
初始氧含量减去最终氧含量的差值.
4原理
间隙氧发生沉淀的量，用于表征样品的氧沉淀特性. 对样品进行热处理，用红外吸收的方法测试样品热处理前和热处理后的间隙氧含量，其差值视为
