中华人民共和国国家标准
GB/T25075-2010
太阳能电池用砷化家单晶
Gallium arsenide single crystal for solar cell
中国国家标准化管理委员会 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布
前言
本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草.本标准起草单位：中国科学院半导体研究所、中国有色金属工业标准计量质量研究所. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）归口.本标准主要起草人：曾一平、赵有文、提刘旺、崔利杰、向磊、普世坤.
太阳能电池用砷化家单晶
1范围
本标准规定了太阳能电池用砷化单晶棒（以下简称砷化单晶棒）的分类、技术要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输和贮存.
本标准适用于制造砷化太阳能电池的砷化单晶滚圆棒.
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件.
GB/T1555半导体单晶晶向测定方法GB/T8760砷化单晶位错密度的测量方法 GB/T4326非本征半导体单品霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
3要求
3.1分类
砷化单晶棒按导电类型分为口型和p型两种类型.
3.2规格
砷化单晶棒按直径分为§50.8mm、§76.2mm、$100mm、6150mm四种规格.
3.3外形尺寸
砷化镍单晶棒的外形尺寸应符合表1的规定，表中未列出外形尺寸及允许偏差由供需双方协商解决，
表1外形尺寸
单位为毫米
品棒直径 50 8 76.2 100 150允许偏差 ±0. 4 ±0. 4 ±0 4 ±0. 4品棒长度 ≥40 >50 >60
3.4外观
砷化镍单晶棒滚圆后的棒体表面及棒的两个截面上不允许存在超过2mm²的崩痕或崩边.
3.5电学性能
砷化单晶棒的电学性能应符合表2的规定.
表2电学性能
导电类型 电阻率 Ωcm en²/V S 迁移率 载流子浓度 1 000 5×101 4× 10P 0. 3~15 ×10 >40 5 ×10 5×10
3.6晶向及晶向偏离度
砷化镍单晶棒取向为：、，滚圆后的晶向偏离不大于0.5°（当客户对晶向参数有特殊要求时由供需双方在合同中确定）.
3.7位错密度和分布要求
和位错类型及分布有特殊要求时由供需双方在合同中确定.
表3位错密度和分布要求
直径 80 476 2 100 150位错密度/（个/cm²） <2×10 ≤4×10° ≤1×10° <5×10位错类型 0 5 mm²的位错团.分布要求 和 2）如在品棒检测样片直径的1/20边缘外出现上述位错排或位错团，则不允许位错排或位错团是向品棒轴心方问延伸的. 4检验方法 4.1外形尺寸 用精度0.02mm的游标卡尺进行测量. 用测量显微镜进行观察和测量. 4.2外观 4.3电阻率 按GB/T4326规定的测量方法进行. 4.4迁移率 按GB/T4326规定的测量方法进行. 4.5载流子浓度 按GB/T4326规定的测量方法进行. 4.6品向及晶向偏差 按GB/T1555规定的测定方法进行. 4.7位错密度 按GB/T8760规定的测量方法进行. 4.8位错类型和分布 在砷化嫁单晶棒位错密度测量合格后，按表3中的位错类型和分布要求用测量显微镜进行观察，如在晶棒检测样片直径的1/20边缘外出现上述位错排或位错团，则需再从晶棒检测样片位置向内延伸3mm以上再切1片，进行位错坑腐蚀并用测量显微镜观察，以判断位错排或位错团是否向晶棒轴心方 向延伸. 5检验规则 5.1检验和验收 5.1.1产品应由供方技术质量监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质量证明书. 5.1.2需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验.若发现产品质量不符合本标准或合同要求时，应在收到产品之日起1个月内向供方提出，由供需双方协商解决. 5.2组批 每根砷化单晶棒构成一个批. 5.3检验项目、规则及判据 片晶片，将砷化单晶棒头部所切晶片按照表4的规定进行电阻率、迁移率、载流子浓度和品向的检验，将砷化嫁单晶棒尾部所切晶片按照表4的规定进行位错密度和位错类型及分布的检验；检验规则及合格判据见表4. 表4检验项目、规则及判据 检验项目 要求条款号 检验方法 检验规则 允许不合格数外形尺寸 3 3 4.1 1根外观 3 4 4.2 （指单品棒） 0电阻率 3 5 4. 3 （指由1根品棒头部所切品片的 3块迁移率 3 5 4 4 心点、1/2半径点和1/3半径点载流子浓度 3 5 4.5 上所取的3个测试样块）品向及品向偏离度 3 6 4. 6 （指由进行电性能测试品片 1块 0剩余的部分所取的测试样块）位错密度 3 7 4.7 1片位错类型和分布 3 7 4 8 （指由1根品棒尾部所切的1整片品片） 0
