目次
前言. 引言 1范围 2规范性引用文件 3术语和定义 4分类 4.1通孔型活性金属钎焊陶瓷基板 4.2常规型活性金属钎焊陶瓷基板 5技术要求. 5.1总则. 5.2优先顺序 5.3材料要求 5.4外观要求 5.5尺寸要求. 5.6性能指标 6检测方法 6.1外观检测方法 6.2尺寸检测方法 6.3击穿强度 6.4翘曲度 6.5表面粗糙度 6.6晶粒尺寸 6.7覆铜烧结空洞率 6.8可焊性 69引线键合强度•10 6.10电路区域绝缘耐压10 6.11铜箔剥离强度10 6.12高温耐湿特性 6.13冷热循环..II- 6.14镀层厚度 6.15表面离子污染II- 6.16岛间漏电流11 7检验规则
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7.1通则 7.2检验与测试环境条件 7.3鉴定检验II 7.4质量一致性检验12 8包装、标识、运输与贮存14 8.1通则--14 8.2包装14 8.3标识15 8.4运输 8.5贮存
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前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草。
本文件由中国国际科技促进会提出并归口。
本文件起草单位：江苏富乐华半导体科技股份有限公司、辽宁伊非科技股份有限公司、上海富乐华 半导体科技有限公司、广州先艺电子科技有限公司、浙江德汇电子陶瓷有限公司、苏州汇科技术股份有 限公司、合肥阿基米德电子科技有限公司、南京中江新材料科技有限公司、合肥圣达电子科技实业有限 公司、浙江亚通新材料股份有限公司、东莞市湃泊科技有限公司、哈尔滨工业大学（威海）西安航科创 星电子科技有限公司、山东天锐电子科技有限公司、苏州玖凌光宇科技有限公司、四川富乐华半导体科 技有限公司、江苏富乐华功率半导体研究院有限公司、广州诺顶智能科技有限公司、泰州市艾瑞克新型 材料有限公司、普瑞斯新材料科技（江苏）有限公司、深圳市湃泊科技有限公司、绍兴德汇半导体材料有 限公司通标中科标准化技术服务（北京）有限公司。
本文件主要起草人：王斌、徐涛、李炎、陈卫民、黄世东、吕华博、周洋、黄礼侃、许海仙、张玲玲、安屹、 宋延宇、纪健超、邹宇琦、曹海洋、孙泉、邹巍、周华茂、陈琦、田鑫、李文涛、王顾峰、金莹、董骏、李振伟、 霍永隽、蒋伟鑫、经敬楠、宋晓国、刘多、张莹、胡胜鹏、刘深、王冬美、许建。
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引言
活性焊料是含有对氧具有高活性金属元素（如含有Ti、Zr.Hf、V等任意一种或多种）的钎焊料，其 特点是能直接润湿陶瓷、石墨等材料。
本文仅针对用于真空钎焊覆铜陶瓷基板的相关内容进行闸述。
本文件的发布机构提请注意，声明符合本文件时，可能涉及以下与“化学成分“相关的专利的使用。
专利号专利名称专利持有人 ZI.202010139272.5一种高可靠性氮化硅覆铜陶瓷基板的铜瓷界面结构江苏富乐华半导体科技股份有限公司 及其制备方法 本文件的发布机构对于该专利的真实性、有效性和范围无任何立场。
该专利持有人已向本文件的发布机构承诺，他愿意同任何申请人在合理且无歧视的条款和条件 下.就专利授权许可进行谈判。
该专利持有人的声明已在本文件的发布机构备案，相关信息可以通过 以下联系方式获得： 专利持有人姓名：江苏富乐华半导体科技股份有限公司 地址：江苏省东台市城东新区鸿达路18号 邮政编码：224249 联系人：张登将，电话：，邮箱：zhangdj@ 请注意除上述专利外，本文件的某些内容仍可能涉及专利。
本文件的发布机构不承担识别专利的 责任。
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活性金属钎焊（AMB）陶瓷基板
1范围 本文件规定了电子封装用活性金属钎焊陶瓷基板的要求，试验方法、检验规则、标识、包装，运输和 贮存等。
本文件适用于采用活性金属钎焊陶瓷烧结工艺制备的活性金属钎焊陶瓷基板。
2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用面构成本文件必不可少的条款。
其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于 本文件。
GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T4677-2002印制板测试方法 GB/T4798.1环境条件分类环境参数组分类及其严醋程度分级第1部分：贮存 GB/T5593电子元器件结构陶瓷材料 GB/T6394-2017金属平均晶粒度测定方法 GB/T14594电真空器件用无氧铜板和带 GB/T16261-2017印制板总规范 GB/T16921-2005金属覆盖层覆盖层厚度测量X射线光谱法 GB/T29847-2013印制板用铜箔实验方法 GJB548C2021电子元器件试验程序
3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。
3.1 活性金属钎焊active metal brazing；AMB 在钎焊材料中加人活性金属元素（如Ti、ZrHf和V等，其中的一种或几种），利用这些元素与陶 瓷基板表面的反应实现界面冶金结合，使陶瓷基板与铜箔相结合的工艺。
3.2 活性金属钎焊陶瓷基板active metal brazing ceramic substrate 利用活性针焊技术制备的覆铜陶瓷基板或覆铝陶瓷基板。
注：以下简称”基板” 3.3 氮化硅（SiN）陶瓷基片silicon nitride ceramic substrate 以氮化硅粉作为原料，采用流延成型工艺，经高温烧结加工而制成的陶瓷基片。
3.4 氮化铝（AIN）陶瓷基片aluminiumnitrideceramic substrate 以氮化铝粉作为原料，采用流延成型工艺，经高温烧结加工而制成的陶瓷基片。
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