中华人民共和国国家标准
GB/T28854-2012
硅电容式压力传感器
Silicon capacitive pressure sensor
中国国家标准化管理委员会 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布
前言2规范性引用文件 1范围4分类与命名 3术语和定义4.1分类4.2命名5基本参数5.1测量范围（量程）5.2工作压力 5.3工作温度范围6要求6.1产品技术条件（详细规范）6.2基本性能6.3静态性能6.4 温度影响 稳定性6.5 6.6过载（适用时）6.7静压.6.8环境性能6.9疲劳寿命（适用时）7试验方法7.2试验前准备 7.1环境条件7.3基本性能7.4静态性能7.5稳定性. 7.6温度影响 107.7过载 10 107.8静. 107.9环境性能 118检验规则 7.10疲劳寿命 138.1检验分类. 138.2出厂检验 13 138.3型式检验 14
9标志、包装、运输及贮存 159.1产品标志. 159.2包装. 9.3运输 159.4贮存 16 16附录A（规范性附录）传感器性能指标的计算方法 17A.1实际工作特性 17A.2 参比工作直线 17A.3 满量程输出（Y） 非线性（6） 18A. 4 A.5 迟滞（） 19 19A.6 重复性（） 19A.7 准确度（） 20A.8 A.9 零点漂移（d.） 零点长期稳定性（r） 22 21A.10 满量程输出漂移（r） 22A.11 热零点漂移（a） 22A.12热满量程输出漂移（β) 22A.13振动对传感器零点影响（Z）
前言
本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草.
本标准由中国机械工业联合会提出.
本标准由中国机械工业联合会归口.
本标准起草单位：沈阳仅表科学研究院、传感器国家工程研究中心、国家仪器仪表元器件质量监督检验中心、浙江中控仪表有限公司、吉林化工集团仪表有限责任公司、中国仪器仪表协会传感器分会、中国仪器仪表学会仪表元件分会.
本标准主要起草人：张治国、刘沁、李颖、匡石、徐秋玲、于振毅、丁云、卢宏、刘剑、张娜、刘波、殷波.
硅电容式压力传感器
1范围
本标准规定了硅电容式压力传感器的术语和定义、分类与命名、基本参数、要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输及贮存.
本标准适用于硅电容式压力传感器（以下简称传感器）.
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件.
GB/T191-2008包装储运图示标志GB/T2423.1-2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温GB/T2423.2-2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温 GB/T2423.3-2006电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Cab：恒定湿热试验GB/T2423.51995电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ea和导则：冲击GB/T2423.10-2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Fc：振动（正弦）GB/T2423.22-2002电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验N：温度变化GB/T2829一2002周期检查计数抽样程序及表（适用于对过程稳定性的检验）GB/T7665-2005传感器通用术语 GB/T76662005传感器命名法及代码GB/T14479传感器图用图形符号GB/T17626.1-2006电磁兼容试验和测量技术抗扰度试验总论
3术语和定义
GB/T7665一2005界定的以及下列术语和定义适用于本文件.
3. 1
基础电容base capacitance
正负压腔通大气（表压、差压型）或输人为零压（绝压型）时传感器单个电容的输出电容值.
3. 2电容偏差capacitance deviation
差动电容式传感器两个基础电容的差值.
电容增量比capacitance increasing amount ratio
传感器承受满量程压力时，因压力增加面产生的电容增量的绝对值与其基础电容值的比.
