中华人民共和国国家标准
GB/T 11499-2026代替GB/T11499-2001
Letter symbols for discrete semiconductor devices
国家标准化管理委员会 国家市场监督管理总局 发布
目次
前言1范围2规范性引用文件3术语和定义4总体要求5整流二极管6信号、开关和调整二极管6.1下标含义 6.2信号和开关二极管文字符号6.3电压基准二极管和电压调整二极管文字符号6.4电流调整二极管文字符号7晶管7.1下标含义7.2文字符号8双极型晶体管8.1下标含义8.2双极型晶体管文字符号8.3配对双极型晶体管文字符号8.4电阻编置型晶体管文字符号 149场效应品体管 9.1下标含义9.2场效应品体管文字符号9.3配对场效应管文字符号 18 149.4集成反向二极管的N沟道场效应晶体管文字符号 189.5砷化嫁微波场效应晶体管文字符号.9.6MOS场效应晶体管文字符号 1910绝缘栅双极晶体管（IGBT） 6110.1下标含义10.2绝缘栅双极晶体管文字符号 2011绝缘功率半导体器件 11.1下标含义 221112微波二极管和晶体管（微波应用） 11.2文字符号
12.1变容二极管文字符号12.2阶跃二极管文字符号12.3混频二极管文字符号 2412.4检波二极管文字符号 2412.5体效应二极管文字符号 2512.6PIN二极管文字符号 2612.7噪声二极管文字符号 9Z12.8双极型晶体管文字符号 2712.9场效应晶体管文字符号 28附录A（资料性）主要技术内容变化 30参考文献
前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.
调整和编辑性改动外，主要技术变化见附录A. 本文件代替GB/T114992001《半导体分立器件文字符号3，与GB/T11499-2001相比，除结构
请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出.
本文件由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口.
集成器件研究所、河北科技大学、石家庄天林石无二电子有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研 本文件起草单位：河北北芯半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、华东光电究所、安徽安芯电子科技股份有限公司、西安电力电子技术研究限公司、西安电子科技大学、天津大学、中国人民解放军陆军工程大学石家庄校区、盐城矽润半导体有限公司、浙江蓝洋智能科技有限公司.
本文件主要起草人：刘涛、王文婧、王宇涛、曹耀龙、赵宇洋、迟雷、赵玉玲、蔚红旗、吴维围、李虹、张小明、安启跃、焦龙飞、桂明洋、彭浩、席善斌、胡松祥、安伟、周晓黎、张文华、陈龙坡、王冲、郑雪峰、 王超、孙宏军、杨洁、贾林、陈亚洲、胡小锋、蒋武安、江涛.
本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为：
1989年首次发布为GB/T114991989，2001年第一次修订；
本次为第二次修订.
