ICS 29.045 H82 备案号：50551-2015SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T 11494-2015
硅单晶中IⅢI-V族杂质的光致发光测试方法 Testmethodsfor photoluminescence analysisof single crystal siliconforIII-V impurities
2015-04-30发布2015-10-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T11494-2015
前言 本标准按照GB/T1.1一2009制定的规则起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。

本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会（SAC/TC203）归口。

本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、 本标准主要起草人：李静、苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司。

SJ
SJ/T 11494-2015
硅单晶中IⅢI-V族杂质的光致发光测试方法
1范围
本标准规定了硅单晶中硼、磷杂质的光致发光测试方法。

本标准适用于低位错密度（<500个/cm²）硅单晶中导电性杂质硼、磷含量的测定，同时也适用于 检测硅单晶中含量为1x10atcmX10移电话书杂质。

2规范性引用文件 下列文件对于本用是必不可少的。

凡是注日期的引用文件期的版本适用于本文 件。

凡是不注日期数本括的修改单用子 GB/T13389磷砖品电阻率与掺茶物浓度的换算规程 GB/T 2458里叶唤红外光谱测盘硅单晶中II-V族系质含量的 3术语和定义 下列术语用于本文 3.1 缺陷光荧光谱ectluminescencelines 由硅中缺陷产特征吸收。

3.2 电子空位液滴（EH）（holedroplet(EHD)
3.3 激子exciton 是由一个空位晶格（自由激子）或杂质原子点（束缚激子）结合在一起的能发光的电子空穴对。

3.4 非本征谱（XTo（BE）或Xnp（BE））extrinsicline（XTo（BE）或Xnp（BE）） 由晶格中的杂质原子点（束缚激子）捕获激子而产生的光荧光谱。

在4.2K温度下非本征激子的结合能，它的能量比本征发射低得多。

X是杂质元素符号，BE表示束 缚激子荧光谱。

非本征荧光同样包括特征吸收，是因为束缚的多个激子复合（b1，b2，b3分别表示第一、 第二和第三束缚的多个激子复合）。

在施主荧光谱中，这些复合在TO区域出现了两个系列的谱线，叫 做a系列和β系列。

在符号后面加撤号来表示弱的β系列特征吸收，即Pro（b1)（见附录A中表A.1和表A.2）。

SJ/T 11494-2015 3.5 本征谱（Iro（FE））intrinsicline（Iro（FE）） 无掺杂的纯净硅中激子复合而产生的光荧光谱。

3.6 声子phonon 晶格振动中简谐振子的能量量子。

4方法原理 本方法利用低温下样品的非辐射复合会减小，发光带的热展宽也相应地减少，可以观察到激子发光 精细结构的原理，将单晶硅样品冷却到4.2K，用高于硅带隙能量的激光器激发它，测量本征硅发射强 度和非本征杂质发射强度的比值，做出强度比与杂质浓度之间的校正曲线，从而获得杂质浓度。

5干扰因素
5.1激发强度的变化一在相同的激发强度下，非本征束缚激子（BE）和本征自由激子(FE）的荧光特 征吸收强度值不改变。

随着激发强度的增强FE特征吸收会适当增强，同时BE特征吸收也会增强。

但 当激发强度较高时，达到了EHD的起始点以上时会很缓慢增强。

因为计算杂质浓度由非本征特征吸收 与本征特征吸收的比值得出，这一比值将随着激发强度的增强而减小。

因此，如果一个样品在超过仪器 校准水平的高激发强度下检测时，将会带来人为的测试误差，致使计算浓度偏低。

5.2样品表面损坏及缺陷等因素会造成样品辐射复合的减少，影响样品光荧光谱的强度，这是由于这 些缺陷能级会俘获电子和空穴，形成不发光的非辐射复合中心，减弱样品的荧光强度。

例如那些在 6501cm和7050cm处的荧光都是典型的受热力学压力造成的，这些特征吸收可以用来定性分析缺 陷。

5.3硅的荧光特征值和线性宽度随温度的改变而剧烈变化，因此一定要避免测试过程中样品温度的改 变，本测试方法在6.1部分对使用的降温系统进行了阐述。

5.4光谱特征吸收的重迭 5.4.1硼的BTO(BE)特征吸收在8812.6cm与磷的PTO(b1)特征吸收8812.7cm发生重迭，直接导 致计算硼浓度时出现错误。

一种方法是利用在8806.6cm处β系列磷荧光谱PTO(B1）的强度是α系列磷 荧光谱PTO（BE）强度的...

ICS29.045 H82 备案号：50550-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11493—2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法 Test method for measuring nitrogen concentration in silicon substrates by secondary ion mass spectrometry 2015-04-30发布 2015-10-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 NU SJ/T11493—2015 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009制定的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、 苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公可. 本标准主要起草人：马农 口 李翔、付雪涛. INDUSTRI SJ STANDARDS ...

ICS29.045 H83 备案号：50549-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11492—2015 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分 Test methods for measurement of position of gallium arsenide phosphide wafers by photoluminescence 2015-04-30发布 2015-10-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11492—2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009制定的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、 中国科学院半导体研究所、苏州晶瑞化学有限公司、大津中环领先材料技术有限公司. 本标准主要起草人：李静、 A把 INDUSTRI RMATION ECHNO SJ STANDARDS SJ/T11492—2015 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分 1范围 本标准规定了采用光致发光测试系统对表面经过处理的磷镓碑(GaAS1-Px)晶片组分进行测试的 方法. 本标准适用于气相外延生长的，光致发光峰(2g)在640nm~670nm范围内时，对应磷的摩尔分数 为36%到42%的n型GaAs1.P晶片 2术语和定义 CRY AND INFORMATION 下列术语和定义适角P本友件. 2.1 光致发光 激发光照射到品表面时， 材科现本吸收，在材料表面产生大量的电子空穴对，它们通过不 同的复合机构进行复舍，其中辐射复合产生光发射 3方法原理 HLS 本方法根据asPx发光峰的波长值随测定组分百分比X值而变化的原理，记录在波长 600nm~750nm范周内样品的光致发光峰值，通过作入pL对磷的校准曲线来得磷的摩尔百分含量. 4干扰因素 S 4.1样品的光致发光峰位受检测器的 普响应特性和单鱼 效率曲线的影响.因此，要在 测量范围内选择合适的检测器和光 NDA 4.2对于包括GaAsl-xPx在内的大多数半导体，其发光峰位会随温度发生改变.因此，对激发光源的 功率必须做必要的限定.如果光源的功率过高会使样品的局部温度发生明显变化，会引入测量误差.可 参考如下方法选择合适的激发功率：从低到高在不同激发功率下连续测量样品的光致发光谱，当激发功 率大于某一数值时，发光峰位将产生明显红移.选取产生峰位红移之前的较大的激发功率作为正式测量 的激发功率.该方法选取的激发功率，在避免了高激发功率引起峰位红移的前提下，保证了光致发光的 强度.激发光源的功率调整可以通过调节光源的电源、在光路中插入衰减片等方法实现. 4.3在测量过程中，有时激发光源的散射光会对测量产生干扰.除了采用如图1所示的滤光片来滤除 散射光外，可适当调整样品的角度或激发光束方向来减小散射光的干扰. 4.4由于半导体材料的发光波长（禁带宽度）强烈依赖于温度，为减少测试误差，该方法要求测试温 度为23℃±2℃ 1 ...

ICS29.045 H82 备案号：50548-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11491—2015 短基线红外吸收光谱法测量 硅中间隙氧含量 Test methods for measurement of interstitial oxygen content in silicon by short baseline infrared absorption spectrometry 2015-04-30发布 2015-10-01实施 VGN 102 中华人民共和国工业和信息化部发布 N SJ/T11491—2015 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009制定的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口 本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、 苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技木有限公司 本标准主要起草人：李静、何秀坤 INDUSTRI ECHNO SJ STANDARDS I SJ/T11491—2015 短基线红外吸收光谱法测量 硅中间隙氧含量 1范围 本标准规定了用短基线红外光谱法测定硅中间隙氧含量. 本标准适用于在室温下用短基线红外吸收法，测量低电阻率的n型硅单晶和p型硅单晶中间隙氧含 量.测量氧含量的有效范围从 氧的最大固溶度的测试. 2术语和定义 INDUSTRY AN INFORMATI 下列术语和定 文件 ON 2.1 背景光谱 background spectruim 在红外光普中，无样品存在的下使用单光束测量获得的光谱，通常包括氨气，空气等信息. 2.2 基线baselne HNO 从测量光普电峰的两侧最大透过率处出的一多线，来计算吸收系数@，见图1. 2.3 半高宽full width achalf maximum(FWHM) 半峰高处的吸收带魔度.见图1. 2.4 参比方法reference methe TANDARDS S 用测试样品光谱计算扣除无氧 动引起的吸收影响，获得含氧测试样品 的红外透射光谱，要求无氧参比样品与测试样品序皮差小于±0.5%. 2.5 参比光谱reference spectrum 参比样品的光谱.用双光束光谱仪测试时，可以把参比样品放在样品光路测量，让参比光路空着， 由参比样品光谱计算扣除背景光谱获得参比样品光谱：用单光束光谱仪测试时，直接用参比样品光谱计 算扣除背景光谱获得参比样品光谱. 2.6 样品光谱sample spectrum 1 ...

ICS29.045 H83 备案号：50544-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11487—2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触 测量方法 Non-contact measurement method for the resistivity of semi-insulating semiconductor wafer 2015-04-30发布 2015-10-01实施 2015 中华人民共和国工业和信息化部发布 FANDAROS SJ/T11487-2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009制定的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、 苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司 本标准主要起草人：何秀坤 音 INDUSTRH SJ STANDARDS I SJ/T11487—2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法 1范围 本标准规定了半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法. 本标准适用于半绝缘砷化、磷化锢、碳化硅等高阻半导体材料电阻率的测量，电阻率的测量范围 为1032cm~1022cm. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T14264半导体材料术语 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件. 4方法原理 非接触式电阻率测试源自电容充放电原理，如图1所示.电阻率R与电容充放电弛豫时间成正比， 根据电量变化的弛豫曲线可确弛豫时间t 并最终计算得到电阻率R 电容探头 C. 电极 R 外围防护 品片 T-R(C C) 卡盘 图1非接触式电阻率测量原理图 ...

L53 ICS 31.080 备案号：50540-2015SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11486-2015
小功率LED芯片技术规范 Technicalspecificationforlowpowerlight-emittingdiodechips
2015-04-30发布2015-10-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T 114862015
目次
前言.. 1范围 2规范性引用文件 3术语和定义 4要求.. 5检验方法.ANDI 6检验规则.. 7标志、包装、12 附录A（规范性险电放电敏感度13 附录B（规范性外双14 附录C（资料附录本加单位15
SJ/T11486-2015
前言
本规范按照GB/T1.1一2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。

本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本规范由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。

本规范起草单位：上海蓝光科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、大连路美芯片科 技有限公司。

本规范主要起草人：丁晓民、齐胜利、崔波、张万生、张成山。

IⅡⅡ
SJ/T 114862015
小功率LED芯片技术规范
1范围 本规范规定了小功率半导体发光二极管芯片（以下简称芯片）的技术要求、检验方法、检验规则和 标志、包装、运输和储存。

本规范适用于可见光芯片，紫外发射二极管芯片和红外发射二极管芯片可参照执行。

2规范性引用文件 下列文件对于本必不可少的。

凡是注日期的引用期的版本适用于本规范。

凡是不注日期的引最新版本（包括的修改单）适用子 GB/T 191- GB/T45892006半器件第10部分 GB/T 49371995半导机械和气试验方法 GJB 2438混合电路通用规范 SJ/T 1132半导一极管测试法 SJ/T 1135200半导体明术语 SJ/T 113功率体发光二极规范 SJ/T 1139200半导 SJ/T1140半导极管空白详细规范 3术语和定义
3.1 小功率半导体发光二极管芯片chips 输入功率小于300mW的半导体发光二极管芯片 3.2
输入功率大于300mW（含）、小于1000mW的半导体发光二极管芯片。

3.3 电光转换效率wall一plugefficiency 芯片在规定的输入电流下，光输出功率与输入电功率的比值。

...

ICS31.260 L53 备案号：50538-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11485—2015 LED型号命名规则 LED type naming rules 2015-04-30发布 2015-10-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11485—2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本标准的某些内容可能涉及专利.本标准的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口. 本标准主要起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院、鑫谷光电股份有限公司、山东华光 光电子有限公司. 本标准主要起草人：刘秀姆 OF INDUSTRY SJ STANDARDS I ...

L90 ICS 31.030 备案号：50537-2015SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T 11484-2015
掺铝氧化锌型透明导电氧化物玻璃 Aluminumdopedzinc oxidetype transparentconductive oxide coatedglass
2015-04-30发布2015-10-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T 114842015
目次
前言.. 1范围. 2规范性引用文件 3术语和定义. 4材料..2 5技术要求. 5.1总则. 外观质量. 5.3尺寸和偏关 机械性能 5.5光学性 5.6电学性 5.7耐候性 5.8特殊TRYOF S. 6试验方法 6.1标准试 6.2外观质 6.3玻璃尺LSININ角线差、 6.4机械性能 6.5光学性能. 6.6电学性能. 6.7耐候性能.8 7检验规则.10 7.1检验分类.10 7.2组批.10 7.3出厂检验.10 7.4型式检验..10 8包装、标志、储存和运输，.11 8.1标志.11 8.2包装.. 8.3储存和运输，11 附录A（资料性附录）膜层表面形貌，12 附录B（资料性附录）化学组分13
SJ/T11484-2015
前言
本标准根据GB/T1.1-2009规定的规则起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。

本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本标准由全国半导体设备和材料标准化委员会（SAC/TC203）归口。

本标准主要起草单位：汉能控股集团有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院、国家建筑 材料工业太阳能光伏（电）产品质量监督检验中心。

本标准主要起草人：丁建、武振羽、熊宇迪、童翔、郁操、陈振、王香、王冬。

II
SJ/T 114842015
掺铝氧化锌型透明导电氧化物玻璃
1范围 本标准规定了掺铝氧化锌型透明导电氧化物玻璃的术语、定义、材料、技术要求、试验方法、检验 规则、包装、标志、储存和运输。

本标准适用于硅基薄膜太阳能电池用掺铝氧锌型透明导电氧化物玻璃。

其他薄膜太阳能电池技术 可参照此标准。

2规范性引用文件 下列文件对于用是必不可少的。

凡是注日期的引用文件日期的版本适用于本文 件。

凡是不注日其最额版本包括的修改单适用 GB/T 1551- BU电阳率测量方法 GB/T241-2008透明料透光率和雾度的测定 GB/T282计检验程序第1部分：按接受预量限（AQL） 划（ISO2859IDT) GB/T2829周期数抽样程及表适用于对过程稳定性的检验 GB/T6382离集装器具及其试骏方法CHNOLO GB/T638平及其试验 GB/T8172008数值示和判定 GB/T9286漆和清漆漆膜的划格试验 GB 11614-板玻璃 GB/T 18114.520稀土精矿化学分析方法第5部分：氧化铝量的测定电感耦合等离子体发射 光谱法 GB/T18915.1-2002第1部分：阳光控制镀膜玻
JC/T678-1997玻璃材料弹性模量、剪切模量和消松比试验方法 IEC61646-2008地面用薄膜光伏组件-设计鉴定和定型（Thin-filmterrestrialphotovoltaic（PV) modules - Design qualification and type approval) ISO9050-2003建筑用玻璃.玻璃透光性的测定.透阳光性.太阳能透过度以及紫外线透过度的测定 和有关上光模（Glassinbuilding-Determination of light transmittance,solar direct transmittance,total solar energy transmittance,ultraviolet transmittance andrelatedglazingfactors) 3术语和定义 GB/T18915.1-2002和GB/T2410-2008界定的及下列术语和定义适用于本文件。

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ICS31.030 L90 备案号： SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11483—2014 锂离子电池用电解铜箔 Electrodeposited copper foil for lithium ion battery 2014-10-14发布 2015-04-01实施 J 中华人民共和国工业和信息化部发布 2010 ANDARD SJ/T114832014 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国印制电路标准化技术委员会(SAC/TC47)提出并归口. 本标准起草单位：联合铜箔（惠州）有限公司、山东金宝电子股份有限公司、咸阳瑞德电子技术有 限公司、广东嘉元科技股份有限公司、安徽铜冠钢箔有限公司、佛冈建滔实业有限公司、湖北中科铜箔 有限公司、青海电子材料产业发展有限公司) 本标准主要起草人：高艳茹 郑 、徐民 袁雨强、丁士启. INDUST RANATION TECHNO SJ STANDARDS I SJ/T11483—2014 锂离子电池用电解铜箔 1范围 本标准规定了锂离子电池用电解铜箔（以下简称锂电铜箔）的分类、外观、尺寸、各项性能要求、 检验方法、检验规则、包装、标志、储存及运输要求. 本标准适用于锂离子电池、聚合物锂离子电池及动力锂离子电池用电解铜箔. 2规范性引用文件 必不可少的.凡是注日期的引用 凡是不注日期的引标准 其最新版本（包括的修改单）适用于 GB/T5121.12008 铜及铜舍金化学分析方法铜含量的测 GB/T5230一185电解销 GB/T6462一2005金属和氧化物覆层厚度测量显微镜法 GB/T8888一2003重有色金属加工产品包装、标志、运输租储存 GB/T194452004贵金及其合金产品的色装、标志、运输、储存 GB/T22638.4一2008铝箔试验方法第4部分： 老面润湿张力的测定 3产品分类 本标准按电箔表面特性进行分类，型号、特性见表 表1型号、特性 型号 LBE ANDARO 面光 LBEC-02 单面光 LBEC-03 双面毛 LBEC-04 双面粗化处理 注：锂离子电池用电解铜箔型号由四个符号LBEC和两个阿拉伯数字组成.LB为锂电池代码，EC为电解铜箔代码， 其后两位阿拉伯数字为产品编号.” 4技术要求 4.1外观 4.1.1表面平整、颜色均匀，不应有氧化变色、斑点、皱褶、压痕、手印：在样本上任一300mm×300 mm区域，非永久性的压痕、连续或周期性凹凸不平等缺陷数量不超过1处. 4.1.2边缘整齐、无缺口、撕裂、卷偏、折叠及波浪边：允许有不影响负极材料涂覆的电镀条纹. 1 ...

ICS31.040.30 L15 备案号： SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11482—2014 电子设备用压敏电阻器 MYP型片式压敏电阻器详细规范 评定水平E Varistors for use in electronic equipment- Detail specification for chip varistors of type MYP- Assessment level E 2014-10-14发布 2015-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 201 SJ/T11482—2014 目次 前言 II 1范围.. 1 2规范性引用文件 3术语和定义. 1 4要求.. 1 4.1详细规范的识别 1 4.2一般数据.. TRY-AND INFORMATION 3 4.2.1推荐的安表 3 4.2.2尺寸 4 4.2.3额定值 4 4.2.4标 E 20 4.2.5订单内容 20 4.2.6 放行批证 明记录 21 4.2.7 附加内容 21 4.2.8 对总规范的规定而言，增加或提严面酷级或要求 电 CHN 21 4.3检验要求 21 4.3.1程月 21 SINIW STANDARDS I ...

ICS31.180 L30 备案号： SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11481—2014 多层印制板用氰酸酯改性环氧 玻纤布粘结片预浸料 Prepreg used as bonding sheets for multilayer printed boards -Cyanate ester modified epoxy resin-impregnated glass cloth 2014-10-14发布 2015-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11481—2014 前言 本标准按照GB/T1.1一2009的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的的责任. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口. 本标准起草单位：上海南亚覆铜箔板有限公司、咸阳瑞德科技限公司、福建新世纪电子材料有限公 司、深圳崇达多层线路板有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究. 本标准主要起草人：高艳、 彭卫红 王香. INDUSTRY HO PORMATION TECHNO SJ STANDARDS I SJ/T114812014 多层印制板用氰酸酯改性环氧玻纤布粘结片预浸料 1范围 本标准规定了多层印制板用氰酸酯改性环氧玻纤布粘结片预浸料（以下简称粘结片）的术语和定义、 产品型号、材料和结构、技术要求、检验规则、检验方法、标志、包装、运输及储存要求. 本标准适用于多层印制板用氰酸酯改性环氧玻纤布粘结片预浸料，本标准中粘结片也可称作预浸 料. 2规范性引用文件 TRY AND INFORMAZ 下列文件对于本文伊的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件 注日现的版本适用于本文件. 凡是不注日期的引用文件、其最版本（包括的修改单）适于本文件 GB/T2036 电制电路术语 GB/T72651固体电介质微波复介电常数的测试方法微我法 GB/T1263/微波介质基片复介电常数带状线测试方法 GB/T302016多印制板用魅结片通用规则 3术语和定义 GB/T2036确立以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 固化厚度cured thicknes 粘结片材料按制造厂推的条件层压固化后，单张粘结片 3.2 斜切bias cut CANDARD 相对于玻纤布经纬线呈45°方问裁切粘结片 3.3 预浸材料prepreg 由纤维增强材料浸渍热固性树脂固化至中间阶段，如阶树脂的一种薄片材料. 3.4 粘结片bonding sheet 具有一定粘结性能的预浸材料，用来粘结多层印制板的各分离层. 3.5 卷状粘结片roll bonding sheet 按用户要求制造的连续长度，成卷供货的粘结片. ...

ICS59.080.30 W55/59 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11480—2014 防静电无尘擦拭布通用规范 The General Practice for Anti-Static and Clean Wipers 2014-10-14发布 2015-04-01实施 3】 0100 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T114802014 目次 前言 II 1范围. ..1 2规范性引用文件..... ..1 3术语、定义和缩略语 ..1 4技术要求. ...3 5测试方法. 6检验规则 7包装、标识、运输种心 TRY.ANDNFORMATION .....7 . 9 .11 附录A(规范性附录公老面电阻的测试方法，， ...12 附录B(规范性附录 可析出离子(E1)的测试方法. 14 附录C(规范性附录) 非挥发性残留物(MVP)的测试方法. 16 附录D(规范惟附录) 液体中微颗粒数(LPC)的测试方法.，. 18 附录E(规范性附) 气体中微颗粒数(APC)的测试方法.. 20 附录F(规范性附录) 有机污染物的测试方法， 25 附录G(规范性附) 易脱落大颗粒物及纤维的测试方法 27 附录H(规范性附录入挥发性有机化合物(V0C)的测试方法 29 附录I(规范性附录)吸水容量和速率的测试方法 32 附录J(规范性附录 擦拭效率的测试方法. 34 参考文献 37 TANDAR DS I ...

ICS 33.180.10 M33
S 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11476.3-2014
光纤预制棒用材料 第3部分：石英套管 Materialforopticalfibrepreform Part 3:Jacket tube
2014-10-14发布2015-04-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T11476.3-2014
前言
SJ/T11476光纤预制棒用材料分为以下几个部分： 第2部分：四氯化锗；第1部分：四氯化硅； 一第3部分：石英套管； ....... 本部分为SJ/T11476的第3部分。

ND 本部分由中华人民别这些专利的责任。

本部分由工业和光电子材新工业标准化研究院归口。

技有限公司。

本部分起草单 本部分主要
S.
SJ/T 11476.3-2014
光纤预制棒用材料 第3部分：石英套管
1范围 本部分规定了光纤预制棒用石英套管的技术要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存 等。

2规范性引用文件 下列文件对于应用是可少的。

凡是注日期的引用文件期的版本适用于本文 件。

凡是不注日 GB/T3284有淡玻璃化 GB/T 1242石英玻璃中含量检验方 3术语和定 A 下列术语和义适用于本 3.1
石英套管壁内残形成的泡。

3.2 开口气泡openingan 暴露在石英套管内外表面的 3.3 气泡群bubble clusters 石英套管壁中，由微小气泡密集而成的群集气泡。

3.4 包裹体inclusion 石英套管内未完全玻璃化的二氧化硅及其他异物。

3.5 杂点stain 石英套管内外表面的非玻璃体表面的沾污。

SJ/T 11476.3-2014 3.6 崩边irregular gap 石英套管两端面不规则的缺口。

3.7 划痕scratch 石英套管内外表面的划伤。

3.8 棱rim 石英套管表面在长度方向形成的线状凸起。

3.9 水印water stain 石英套管内外表面水的残留痕迹。

3.10 手印finger mark 石英套管表面手触摸后留下的痕迹。

3.11 弯曲度bow 石英套管在长度方向的平直程度。

4要求 4.1尺寸 4.1.1规格尺寸 规格尺寸见表1。

表1
单位为毫米 石英套管种类外径范围壁厚范围长度范围 多模石英套管>26>3>400 单模石英套管>55>10 注：也可以提供所列尺寸之外的规格。

4.1.2尺寸偏差 尺寸偏差见表2。

SJ/T11476.3-2014 表2
参数指标 外径≤2.4% 壁厚≤5.0% 截面积%09> 椭圆度≤1.0% 偏壁度≤5.0% 弯曲度≤0.7 m/m 长度±3目 4.2外观缺陷 外观缺陷见表3和
表3
单位为个每米 求 缺石壁厚
～40目 气泡宽数 气泡宽0.528 气泡气泡宽1.012 气泡宽历许 >1.0
表4 缺陷名称 开口气泡、气泡群 包裹体宽度大于0.2 杂点不允许有难熔解的杂质点存在 崩边端口崩边长度应不大于5m，深度应不大于壁厚的二分之一，并且最大深度应 不大于2m 划痕、棱、水印、手印无明显可见的划痕、棱、水印、手印，不允许有烧结的指印存在 4.3杂质含量（重量比） A1、Fe、Ti、Ca、Cu、Mg、Mn、K、Na、Li10个金属杂质元素的总含量应不大于30x10。

其中 A1含量应不大于22.00x10、Fe含量应不大于1.00x10、K含量应不大于1.00x10°、Na含量应不大于 1.00×10、Li含量应不大于1.00×10。

...

ICS 33.180.10 M33
SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T 11476.2-2014
光纤预制棒用材料 第2部分：四氯化锗 Materialforopticalfiberpreform Part2:Germaniumtetrachloride
2014-10-14发布2015-04-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T 11476.2-2014
前言
SJ/T11476光纤预制棒用材料分为以下几个部分： 第1部分：四氯化硅； 一第2部分：四氯化锗； 第3部分：石英套管； ...... 本部分为SJ/T11476的第2部分。

ND
文件的发布别这些专利的责任。

本部分由中华人民 本部分由工业和子工业标准化研究院归口。

本部分起草单国品辉红外学科技有限公司、国家有色料测试中心。

本部分主要刘福财、王学刘红
SJ
SJ/T 11476.2-2014
光纤预制棒用材料 第2部分：四氯化锗
1范围 本部分规定了光纤预制棒用四氯化锗的产品分类、技术要求、检验方法、检验规则、标志、包装、 运输及储存等。

2规范性引用文件 下列文件对于应用是可少的。

凡是注日期的引用文件，的版本适用于本文件。

凡是不注日期的 GB/T 602化试的配制 GB/T 604红外光谱分法通则 GB/T 114子级水 GB 12463危险货物运输包装通用技术条 GB/T14666分分析化学术语 联合国《关中危险货物运验的建议书规 3分类 3.1等级 按产品在4000波数范围内红外吸收峰透过率不 3.2标记 产品标记方法应符合下列规定 GeCl-08-
产品等级，用阿拉伯数字表示 产品纯度的百分含量为8个“9” 四氯化锗 4要求 4.1外观 无色透明液体，不应有悬浮物和沉淀物。

SJ/T 11476.2-2014 4.2主要化学成分 产品中GeC1和金属杂质的质量分数应满足表1的规定。

表1主要化学成分 化学成分含量 GeCl.≥99.999999% Cu≤0.5×10° Mn≤0.5×10 cr≤1.0×10 Fe≤2.0×10 Co≤1.0×10 Ni≤1.0×10 v≤1.0×10° Zn≤1.0×10 A1≤1.0×10 Pb≤1.0×10 4.3红外吸收峰透过率 吸收池长度为10cm时，不同等级的GeC1产品在4000cm～1000cm波数范围的红外吸收峰透过 率应满足表2的规定。

表2红外吸收峰透过率 红外吸收峰位置透过率
GeC1-08-1 GeC1-08-2 （3610±2）cm（Ge0HC1）≥95%≥90% 2970 cm~2925 cm(CH)≥98%≥95% 2860 cm²~2830 cm²(HC1)≥98%≥95% (2336±2）cm²（Co.)≥98%≥95% (2272±2) cm(GelIC1)≥99%≥99% 2000 cm²~1400 cm²≥95%≥90% (1173±2）cm≥95%≥90% 1060 cm²~1015cm≥99%%66 5检验方法 5.1产品外观质量用目视检查。

5.2产品中铁、钴、镍、铜、铬、锰、钒、锌、铝、铅等10种金属杂质的含量测定按附录A进行。

5.3产品在4000cm~1000cm波数范围内的红外吸收峰透过率测定按附录B进行。

5.4产品中四氯化锗的含量采用减量法测定，即产品总的含量减去测定的金属杂质含量后得到。

5.5允许采用等效检验方法，但在出现争议时应以本部分规定的检验方法为准。

2...

L23 ICS 33.120.30 备案号：SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11474-2014
射频连接器用柔性防护帽规范 Specificationforflexibleprotective capforradio-frequency connectors
2014-10-14发布2015-04-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T11474-2014
前言 本规范按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。

本规范由全国电子设备用高频电缆及连接器标准委员会归口。

本规范起草单位：佛山市方普防护技术有限公司。

本规范参加起草单位：中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司40所、苏州吴通通讯股 本规范主要起草人：方松喜份有限公司、西安富士达科技有限公司吴正平、武向文、陈国华。

S
SJ/T11474-2014
引言
本文件的发布机构提请注意，声明符合本文件时，可能涉及到文件4.2.1结构条款中关于ECY圆柱磨 菇形防护帽的部分与外观设计（专利号：ZL201030102505.1）相关专利的使用。

本文件的发布机构对于该专利的真实性、有效性和范围无任何立场。

该专利持有人已向本文件的发布机构声明，愿意对本行业内任何申请人实行免费授权。

该专利持有 人的声明已在本文件的发布机构备案。

相关信息可以通过以下联系方式获得： 专利持有人姓名：佛山市方普防护技术有限公司。

地址：佛山市顺德区陈村镇潭村力源物流城A区8座4、5号、9座3、4号。

请注意除上述专利外，本文件的某些内容仍可涉及专利。

本文件的发布机构不承担识别这些专利的 责任。

SJ/T 11474-2014
射频连接器用柔性防护帽规范
1范围 本规范规定了射频连接器用柔性防护帽（以下简称防护帽）的分类与型号、要求、试验方法、检验 规则、包装、标志、运输和贮存。

本规范适用于一般贮存环境下的射频连接器用柔性防护帽。

2规范性引用文件 下列文件对本文件的应用靠秘不可少的。

凡是注日期的引月日期的版本适合于本文件。

凡不注日期的引用文份ST（包括的修改单）适用于 GB/T 1410-200色缘材料体积电阻率和表面电阻试验方 GB/T 1804- Q00公鉴的线性和角度尺寸的差 GB/T 2411-更橡胶使用硬度测定压痕硬度氏硬度 GB/T 2423-200电子产品环境测第2部分：法试 GB/T 242产品环培测试第2部分：法试验 GB/T 242产品环培测武第2部分：法试验定湿热试验 GB/T 24216-082部分：验方法试验长霉 GB/T 282 R样检验程序 GB/T 516电部分试验方法针焰测试 GB 15592-262聚氯 SJ/T 11363电子信息产品中有毒有害物质的限量要求LOGY SJ/T 11365-子信息产品中有毒有害物质的检测方法 3分类与型号 3.1分类 防护帽分为圆柱形防护帽（代号为性磨鞋防护帽（代号为ECY，见图1）。

3.2型号 防护帽的型号表示如下： ××-x×> T壁厚（单位为毫米） 颜色代码（R-红色，BU-蓝色，Y-黄色，G-绿色，B-黑色，RM-亚光红， BUM-亚光蓝，YM-亚光黄，GM-亚光绿，BM-亚光黑） 防护帽有效长度（单位为毫米） 防护帽内径（单位为毫米） 防护帽分类代号（见3.1） 示例1:EC20-13.5BM0.8表示圆柱形防护帽，内径为20mm，有效长度为13.5mm，厚度为0.8mm，颜色是亚光黑。

SJ/T 11474-2014 示例2：ECY19.5-15.5R1.2表示圆柱磨菇形防护帽，内径为19.5mm，有效长度为15.5mm，厚度为1.2m， 颜色是红色。

4要求
4.1材料 聚氯乙烯糊树脂应符合GB15592-2008中4.2的规定。

采用其它替代材料时，防护帽应符合本规范的规定。

4.2结构和尺寸 4.2.1结构 EC圆柱形防护帽为通用型，ECY圆柱蘑菇形防护帽为易于装卸的改进型。

形状任意形状任意
YYYYYYYYY
a) EC圆柱形防护帽 b）ECY圆柱蘑菇形防护帽
图1防护帽结构图 4.2.2尺寸 防护帽的尺寸应符合表1的规定，线性尺寸未注公差应符合GB/T1804-2000中的m级公差等级： 表1防护帽的尺寸及适配表 标称内径壁厚有效长度标准规适配的连接器的外径 d h±0.151±2.0保持力NDmn Dm推荐的适配射频连接器类型 mm mm mm mm min max mm mm 2.4511.02.62.62.8SSMB型插座、SSMC型插座 3.5015.03.63.63.8SMB型插座、MCX型插头、
SMC型插座 3.8011.04.0544.21.0/2.3型插座、SSMC...

ICS 33.120.10 L26 备案号： SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T 11473-2014 交联聚乙烯绝缘铜膜屏蔽控制电线和电缆 Controlwires andcableswithcross-linkedpolyethyleneinsulation copper-platingscreen 2014-10-14发布 2015-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布
SJ/T11473-2014 前言 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。

本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本标准由全国电子设备用高频电缆及连接器标准化技术委员会归口。

本标准起草单位：天津六O九电缆有限公司。

本标准主要起草人：李兆楠、张国菊、复云怀、 潘冰、刘家栋、戴显尧、秦殊刚。

SJ
SJ/T 11473-2014 交联聚乙烯绝缘铜膜屏蔽控制电线和电缆 1范围 本标准规定了交联聚乙烯绝缘铜膜屏蔽控制电线和电缆的产品分类、技术要求、试验方法、检验规 则、包装、标志、运输和贮存。

本标准适用于控制、监控回路及保护线路场合的控制系统中和类似条件下使用的交联聚乙烯绝缘铜 膜屏蔽控制电线和电缆（以下简称电 2规范性引用文件 下列文件对于 用是必不可少的。

凡是注日期的引用文件 期的版本适用于本文 件。

凡是不注日期 共新叛本（包括的修改单用子 GB/T 2423. 电 电子产品基本环镜式验程序试验恒定湿热试验方法 GB/T 2828. -200 计数 检验程序第部分：按接收质量限（AQL） 的蓬批检验抽样计划 GB/T 2951 08 光缆绝缘和护套材料通用试验务法第11部分： 通用 试验方法一厚度 和外形尺寸测 机 性能试 6081 1993,IDT) GB/T 295 8 电缆外护 GB/T 304 电 性能试验方 导体 流电阻试验 GB/T 3048 电 试验 GB/T 3048 电缆电性能试验方法 8 ：交流电压 试验 GB/T 3953- 工圆铜线 GB/T 4909.2 颗电线试验方法第2部分：尺寸测量 GB/T 4910-20 锡圆铜线 GB/T 5441.6-1985 通信电缆试验方法串音衰减试验比较法 GB/T 8815-2008 乙烯塑料 GB/T 11115-2009 聚&烯（P）树胎 GB/T18380.12-2008电缆和光缆福火 第12部分：单根绝缘电缆火焰垂直 蔓延试验1kW预混合型火焰试验方法（IEC60332-1-2 2004,IDT) IEC61196-1-103：2005同轴通信电缆第1-103部分：电气试验方法电缆的电容试验（Coaxial munication cables-Part 1-103:Electrical test methods -Test for capacitance of cable) IEC61196-1-201：2009同轴通信电缆第1-201部分：机械试验方法电缆的冷弯性能试验 （Coaxial munication cables -Part 1-201:Mechanical test methods-Test for cold bend performance of cable) 3产品分类 3.1产品型号及名称 电线电缆的型号组成见图1，其型号名称见表1：
SJ/T 11473-2014 K R D 聚氯乙烯护套 铜膜屏蔽 辐照交联聚乙烯绝缘 控制电线 a）电线 P V P R 软型 镀锡铜编织外屏蔽（若有时） 聚氯乙烯护套 镀锡铜编织内屏蔽（若有时） 铜膜屏蔽 辐照交联聚乙烯绝缘 控制电缆 b）电缆 图1电线和电缆的型号组成 示例： 标称截面为0.35mm?的32芯交联聚乙烯绝缘铜膜屏蔽聚氯乙烯护套编织外屏蔽控制电缆表示为：KRDVPR32X0.35。

表1电线和电缆的型号名称 型号 名称 KRDV （ARDV) 交联聚乙烯绝缘铜膜屏蔽控制电线 KRDVR (KYVRP) 交联聚乙烯绝缘铜膜屏蔽聚氯乙烯护套控制电缆 KRDPVR (KYVRPP2) 交联聚乙烯绝缘铜膜屏蔽编织内屏蔽聚氯乙烯护套控制电缆 KRDVPR(KYVRPP1) 交联聚乙烯绝缘铜膜屏蔽聚氯乙烯护套编织外屏蔽控制电缆 注：括号中为原企业标准中的型号。

3.2产品的使用特性 额定电压：交流110V； 安装温度：不低于-15℃； 安装最小弯曲半径：15倍电线电缆直径： 导电线芯允许最高连续工作温度：70C； 环境温度：静态最低环境温度为-40℃： 相对湿度：温度在40C时为98%及以下。

SJ/T 11473-2014 3.3产品标记 电线电缆的标记由型号、电缆芯数、标称截面及本...

ICS29.050 K11 备案号： SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11472—2014 镀锡铜包铝线 Tinned copper-clad aluminum wire 2014-10-14发布 2015-04-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 2015 SJ/T11472—2014 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出. 本标准由全国电子设备用高频电缆及连接器标准化技术委员会(SAC/TC190)归口 本标准起草单位：大连通发新材料开发有限公司、深圳通发双金属材料有限公司、中国电子科技集 AN-WPORMIATON 工业标准化研究院. 本标准主要起草人 DUSTR 仑、刘不家、陈志彬、宗皙坚、 是正平. SJ STANDARDS 1 ...

ICS29.045 H83 备案号： SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11471—2014 发光二极管外延片测试方法 Measurement methods for epitaxial wafers of light-emitting diodes 2014-10-14发布 2015-04-01实施 SJ 2015 中华人民共和国工业和信息化部 发布 SJ/T11471—2014 前言 本标准按照GB/T1.1一2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草. 请注意本标准的某些内容可能涉及专利.本标准的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口. 本标准起草单位：上海蓝光科技有限公司、山东华光光电子有限公司. 本标准参加单位：见附录C. 本标准主要起草人：潘尧 TND成】 INDUSTR UISINIW SJ STANDARDS I SJ/T11471—2014 发光二极管外延片测试方法 1范围 本标准规定了可见光发光二极管外延片（以下简称外延片）的几何参数、表面缺陷、结构参数及光 电参数的测试方法. 本标准适用于镓砷磷系、镓铝砷系、铜磷系及铝嫁钢氮系外延片 2规范性引用文件 RY AND INFORMAT 下列文件对于本文的应男是必不可少的.凡是注日期的引用 主期的版本适用于本文件. 凡是不注日期的引用件 其最新版本（包括的修改单）适用于 GB/T6619 硅秀曲度测试法 N GB/T6620 中片翘曲度非接触式测试方法 GB/T6624七2009硅折光片表面质量目检验方法 GB/T87582006 砷化惊外延层愿度红外干涉测量方法 GB/T8760一2006砷化家单晶位错密度的测量方法 GB/T1414021993硅片直径测量方注 GB/T14262009半导材料术语 GB/T189072002透射电子显微镜选区电子射分析方法 GB/T20229化镓单晶 TECHNOLOG GB/T2030一2006纳米级长度的扫描电镜测量方法通则 GB/T25915.1—200 洁净室及相关受控环境第一部分：空气洁净度 B/T7503金属覆盖层横截面厚度扫描电镜测试方法 半导达发光N节ARD SJ/T11394一2009半导体发光二极管测试方法 SJ/T11395-2009 体照明术洁 SJ/T11399-2009 SJ/T11470一2014发光二极管外延片 3术语和定义 GB/T14264一2009和SJ/T11395一2009界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1辐射功率保持率radiant power maintenance 芯片在规定工作条件下连续工作规定时间后的辐射功率的值与初始值之比. 4一般要求 4.1测试环境条件 1 ...

ICS29.045 H83 备案号： SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11470-2014 发光二极管外延片 Epitaxial wafers of light-emitting diodes 2014-10-14发布 2015-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T114702014 前言 本标准按照GB/T1.1一2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草. 请注意本标准的某些内容可能涉及专利.本标准的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院技术归口. 本标准起草单位：上海蓝光科技有限公司 本标准参加单位：见附录B 本标准主要起草人：潘尧波 AND TECHNOL SJ STANDARDSI I SJ/T11470-2014 发光二极管外延片 1范围 本标准规定了可见光发光二极管外延片（以下简称外延片）的要求、测试方法、检验规则、标志、 包装、运输和储存. 本标准适用于镓砷磷系、镓铝砷系 铝惊钢磷系及铝镓钢氮系外延片. 2规范性引用文件 TRY AND 下列文件对于本文 INFORMAZ 是必不可少的.凡是注日期的引 注日期的版本适用于本文件. 凡是不注日期的质文洋 其最新版本（包括的修改单）适用 本 GB/T2828.1 数油样食验程第1部分：按接收质量限 检索的逐批检验抽样计 划(ISO285 1999 GB/T 1 4264-2909 SJ/T 1305 009半导体照明术语 SJ/T 11396 2009 化家基发光二极管蓝宝石衬底片 SJ/T 1129 2014 3术语和定义 TECHNOLO GB/T142642009、SJ/T11395一2009界定的以及下列术语和定义适用 件. 3.1 辐射功率保持率radiant power maintenance 芯片在规定工作条件 连续上作规定时间后的辐射功率的 赠之比. 4分类 TANDAR 4.1按有源层材料分类 外延片按有源层材料分为： a)镓砷磷系(GaAs-P); b)镓铝砷系(Ga-Al As): c)铝镓钢磷系(Al Ga Ini P): d)铝镓钢氮系(Al Ga Ini- N). 4.2牌号与说明 牌号表示为： ...

ICS 31.030 L90 备案号：S 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11469-2014
压电陶瓷材料性能测试方法 切变压电应变常数ds的准静态测试 Test methodsfor the piezoelectric properties ofceramics shearpiezoelectricstrainconstant distesting onquasi-staticprinciple
2014-10-14发布2015-04-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T11469-2014 前言 本标准按GB/T1.1-2009给出的规则起草。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）提出并归口。

本标准起草单位：中国科学院声学研究所。

本标准主要起草人：潘潮、陈守六、易晓星、章力旺、龚莉莉。

SJ
SJ/T11469-2014
引言
切变压电应变常数d是表征压电陶瓷材料压电性能的一个重要参数，过去通常采用动态法对其测 量，但由于动态法测量较复杂，且对被测样品的形状尺寸有特殊要求，因此对实用压电元件（不一定能 满足动态法对形状尺寸要求）的测量往往无能为力。

2007年，中国科学院声学研究所在国内外首先研制 出采用准静态法测量压电陶瓷切变压电应变常数ds的测试装置，可以简单、快速、准确的测得压电陶 瓷元件的切变压电应变常数d，同时形成产品销往国内外，至今在行业内已拥有一定用户，但由于目前 国内外还尚无一个准静态法测量压电陶瓷切变压电应变常数ds的国际标准以及国家标准或行业标准供 他们使用，为了进一步向行业内推广普及这种新的测量压电陶瓷切变压电应变常数d的准静态方法，规 范现有测试方法中的测试条件、测试装置和测试步骤等要素，特制定本行业标准。

本文件的发布机构提请注意，声明符合本文件时，可能会涉及到“用于切向压电应变常数d测量中 使用的切向加力部件”（专利号ZL200710120432.6）专利中相关专利的使用。

本文件的发布机构对于该专利的真实性、有效性和范围无任何立场。

该专利持有人已向本文件的发布机构保证，他愿意同任何申请人在合理且无歧视的条款和条件下， 就专利授权许可进行谈判。

该专利持有人的声明已在本文件的发布机构备案。

相关信息可以通过以下方 式获得： 专利持有人姓名：中国科学院声学研究所 地址：北京市北四环西路21号 请注意除上述专利外，本文件的某些内容仍可能涉及专利。

本文件的发布机构不承担识别这些专利 的责任。

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SJ/T 11469-2014
压电陶瓷材料性能测试方法 切变压电应变常数ds的准静态测试
1范围 本标准规定了准静态法测量压电陶瓷材料的切变压电应变常数ds的测试装置，测试条件，测试方法。

本标准适用于压电陶瓷材料切变压电应变常数ds的准静态法测试。

2规范性引用文件 下列文件对于本是必不可少的。

凡是注日期的引用日期的版本适用于本文 件。

凡是不注日期件其最新版本（包括的修改单） GB/T 3389. 3术语和定义 GB/T338996界定语和定义适本文件。

4符号 下列符号文件。

C品并联的电容，单位为法拉（F）： C2并联的电容，单位为法拉（F）： dis切变压电应变常数，单位为库仑每牛顿（C/N）或未每伏（mV）： ds单位为库仑每牛顿（C/N）m/V): d1横向压电单位为库仑每牛顿（m/V）； F纵向准静态低 Fs切向准静态低频交变力，3 Q被测样品在与x轴相垂直电极面上产生的电荷，单位为库仑（C）： Q2比较样品在与z轴相垂直电极面上产生的电荷，单位为库仑（C）： U,被测样品所产生的电荷Q，在与其并联的电容C上建立的电压，单位为伏（V）； U比较样品所产生的电荷Q2，在与其并联的电容C2上建立的电压，单位为伏（V）； 纵向力与切向力之间的夹角，单位为度（°）或弧度（Rad）。

SJ/T 11469-2014 5测试 5.1原理 准静态法的测试原理是依据正压电效应，当在压电振子某个方向j上施加一个频率远低于振子谐振 频率的低频交变力F时，会在与某个方向i相垂直的电极面上产生同频率的交变电荷Q。

这样即可由式 d=Q/F得到相应的压电常数d：这里，i=-1，2，3，分别对应与x，y，z轴相垂直的电极面；j=l，2，3， 4，5，6，其中，1至3分别对应x，y，2轴方向的作用力：在本标准中，5为与x轴相垂直的电极面上沿z 轴方向的面作用力。

采用不同的施力方法和不同的拾取电荷的电极面，就可获得不同的压电应变常数， 如lds，d1，dso 切变压电应变常数ds的测试原理见图1。

样品先在z方向极化，极化后去除两端面上的电极，再在 与x轴相垂直的两平面上制备电极。

对于...