ICS31.030 L90 备案号：50570-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11513—2015 太阳电池用铝浆 Aluminium paste for solar cell 2015-04-30发布 2015-10-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11513-2015 前言 本标准依据GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准起草单位：西安宏星电子浆料科技有限责任公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院. 本标准主要起草人：赵莹、鹿宁、陆冬梅、牛淑容、康海莹、张一凡、杨长印、王香. AND INDUSTRY SJ STANDARDS 1 SJ/T11513—2015 太阳电池用铝浆 1范围 本标准规定了太阳电池用铝浆的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输 和储存等. 2规范性引用文件 ND INFORA 下列文件对于本文件的是必木可少的.凡是注口 仅所注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的用 最新版本（包括的修改单人 文件. GB/T6682中国家实验室用水规格 GB/T17473.2 中子技好赏金属浆科测试方法细度测 ON GB/T174733一微电子技术用贵金属浆料彩试方法方阻测完 SJ20634电子浆料性能试验方法 3术语和定义 3.1 五 CHNOLO 铝浆 铝浆是一种铝粉 玻璃粉、有机载体和添加物组成的能够满足丝网印刷成涂数的膏状物. 4技术要求 4.1特性 STANDARDS 4.1.1浆料特性 太阳电池用铝浆浆料特性应符合表1的规定. 表1浆料特性要求 浆料细度 浆料粘度(25℃) 固体含量 检验项目 浆料外观 um Pas % 技术要求 均匀、无沉淀的膏状物 ≤25 15~70 65~85 浆料粘度测试使用不同仪器、转子、转速，数值由供求双方商定. 4.1.2浆料烧成膜特性要求 太阳电池用铝浆烧成膜特性应符合表2的规定. 1 ...

ICS 31.030 L 90 S. 备案号：50569-2015 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11512-2015 集成电路用电子浆料性能试验方法 Test methodsofelectronicpastesforintegratedcircuit performent 2015-04-30发布 2015-10-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布
SJ/T 11512-2015 目次 前言. IV 1范围 般要求 3详细要求， 100系列 电子浆料通用性能试验 ND 2 方法101 方法102 电子浆料 3 方法103 电子浆 方法 方法104 电子 6 方法105 电子 TECHNOL 200系列 导 方法201 方法202 11 方法203 300系列 电 15 方法301 系数 15 方法302 电阻 电试验方法 17 方法303 电阻浆 方法304 电阻浆料 21 方法305 电阻浆料恒温 23 400系列介质浆料性能试验方 25 方法401介质浆料介电损耗试验方法， 25 方法402介质浆料电容试验方法， 27 方法403介质浆料击穿电压试验方法， 29 方法404介质浆料绝缘电阻试验方法.
SJ/T11512-2015 前言 本标准是按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。

本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）归口。

本标准起草单位：西安宏星电子浆料科技有限责任公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院。

本标准主要起草人：康海莹、周蓉、牛淑蓉、赵莹、陆冬梅、孙社稷、王大林、王香。

SJ/T 11512-2015 集成电路用电子浆料性能试验方法 1范围 本标准规定了集成电路用电子浆料性能试验方法。

本标准适应于集成电路用导体浆料、电阻浆料、介质浆料等电子浆料。

2一般要求 2.1试验条件 除非另有规定， 在以下标准大气条件下进行。

试验的应符合 a) ）环境温 相对湿 359 c) ）气压 86-kPa 106 试验 强烈 出、无振动、无电磁干扰、无化学有害气氛的洁争 实验室内进行。

2.2试验报告 试验报告 应包括以下 a）浆料 格、 测试 c) d) 测试人和 仪器型号： f 试验环境温度 2.3试验方法分类及编号 电子浆料性能试验方法采用独业编号 现定如下 a）方法100系列（101~105）：电子浆料通用性能试验方法： b）方法200系列（201～203）：导体浆料性能试验方法； c）方法300系列（301~305）：电阻浆料性能试验方法； d）方法400系列（401~404）：介质浆料性能试验方法。

3详细要求...

ICS 31.030 L90 SJ 备案号：50568-2015 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11511-2015 液晶显示器用正胶显影液 PositivePhotoresistdeveloperforLCD 2015-04-30发布 2015-10-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布
SJ/T11511-2015 前言 本标准是按照GB/T1.1一2009之规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）归口. 本标准起草单位：江阴润玛电子材料股份有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院. 本标准主要起草人：戈士勇、何珂 土周霞、 土香、 装会川. ATIONT SJ
SJ/T 11511-2015 液晶显示器用正胶显影液 1范围 本标准规定了液晶显示器用正胶显影液的术语、性状、技术要求、试验方法、检验规则和包装、标 志、储存、运输等. 本标准适用于液晶显示器用正胶显影液，以下简称正胶显影液. 本标准不涉及使用安全性问题 本标准的使用 适当的安全健康条款及使用范围的限 制. AND 2规范性引用文件 下列文件对 件.凡是不注日 文 其最新版本（银括的修改单）适用于本 GB/T 191 包装 运图 GB/T601 剂 GB/T 601 剂 制备 GB/T 603 化学 式剂试验 GB/T605 式剂色度测定通用方法 GB/T 631 200 化学试 GB/T 667 产品彩材 GB/T6682 验室用水规格和试验方法 GB/T 8170 规则与极限数值的表示和判定 GB/T 9729 氯化物测定通用方法 GB/T 11446.1 子级水 GB15258化学品 写规定 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件. 3.1 超纯硝酸ultrapure nitric acid 金属离子含量不大于1μg/L的硝酸.
SJ/T11511-2015 4 性状和技术要求 4.1性状 本试剂为无色透明有刺激性氨味的碱性液体，为四甲基氢氧化铵的水溶液，四甲基氢氧化铵含量允 许相对偏差为±1.0%. 4.2技术要求 正胶显影液技术要求应符合表1的规定： 表1技术要求 项目 指标 色度 10 Hazen 颗粒（≥0.5um） 50 pcs/mL 氯化物（CI） ≤0.1 mg/kg 碳酸盐（CO） ≤100 mg/kg 银（Ag） 50 μg/kg 铝（AI) ≤50 μg/kg 砷（As）* ≤50 μg/kg 金（Au） μg/kg 硼（B）* 50 μg/kg 钡（Ba） ≤50 μg/kg 铍（Be）* 从50 μg/kg （Bi） 50 μg/kg 钙（Ca） 50 μg/kg 镉（Cd） ≤50 μg/kg 2
SJ/T 11511-2015 表1(续) 项目 指标 钻（Co) ≤50 μg/kg 铬（Cr) 以S0 μg/kg 铜（Cu） μg/kg 铁（Fe） μg/kg 镍（Ga）* ≤50 μg/kg 汞（Hg） μg/kg 铟（In）* ≤50 μg/kg 钾（K） S μg/kg 锂（Li） μg/kg 镁(Mg) MSO μg/kg 锰（Mn） μg/kg 钼（Mo） μg/kg 钠（Na） μg/kg 镍（Ni） μg/kg 铅（Pb） μg/kg 铂（Pt）* μg/kg 锑（Sb）* μg/kg 锡（Sn） μg/kg 锶（Sr） ≤50 μg/kg 3...

ICS31.030 L 90 S 备案号：50567-2015 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11510-2015 液晶显示器用铝腐蚀液 AluminumetchingsolutionforLCD 2015-04-30发布 2015-10-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布
SJ/T 11510-2015 前言 本标准是按照GB/T1.1一2009之规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）归口. 本标准起草单位：江阴润玛电子材料股份有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院. 本标准主要起草人：戈士勇、何珂 王周霞、 主香、装会川. SJ TECHNOL
SJ/T 11510-2015 液晶显示器用铝腐蚀液 1范围 本标准规定了液晶显示器用铝腐蚀液的术语、性状、技术要求、试验方法、检验规则和包装、标志、 储存、运输等. 本标准适用于液晶显示器用铝腐蚀液，以下简称铝腐蚀液. 本标准不涉及使用安全性问题 适当的安全健康条款及使用范围的限 制. 2规范性引用文件 下列文件对 件.凡是不注日 文件 其最新版本（包括的修改单）适用于本 GB/T 191 包装 运图 GB/T 601 GB/T 602 剂 杂 制备 GB/T 603 化学 剂 试验 及想热的制备 GB/T 441 化工 密度、相对 GB/T 6678 产品 GB/T6681 分析 验室用水规 GB/T8170 约规则与极限数值的表示和判定 GB/T 9728 硫酸盐测定通用方法 GB/T 9729 款化物测定通用方法 LOGY GB/T 11446.1 电子级水 GB 15258 8化学品安全签编 育规定 GB 50472 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件. 3.1超纯硝酸ultrapure nitric acid 金属离子含量不大于1μg/L的硝酸.
SJ/T 11510-2015 4性状和技术要求 4.1性状 本试剂为无色的透明粘稠状液体，为磷酸、硝酸、乙酸和水按一定配比混合而成的混合液体，其中 磷酸含量允许偏差为±1.0%，硝酸含量允许偏差为±0.3%，乙酸含量允许偏差为±0.5%. 4.2技术要求 铝腐蚀液技术要求应符合表1的规定： 表1技术要求 项目 指标 酸值允许偏差（以H计） ±0.2* mmol/g 密度允许偏差（25℃） ±0.01* g/mL 颗粒（≥0.5um） ≤50 pcs/mL 颗粒（≥lum） 从10 pcs/mL 氯化物（CI） mg/kg 硫酸盐（SO） mg/kg 银（Ag） ≤300 μg/kg 砷（As） ≤300 μg/kg 砷（As） ≤300 μg/kg 金（Au） ≤300 μg/kg 钡（Ba） μg/kg 钙（Ca） ≤1000 μg/kg （Cd） ≤300 μg/kg 钻（Co） 0 μg/kg 铬（Cr） μg/kg 铜（Cu） ≤300 μg/kg 铁（Fe） μg/kg ≤300 汞（Hg） ≤300 μg/kg...

ICS 31.030 L 90 备案号：50566-2015S 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11509--2015
液晶显示器用ITO腐蚀液 ITOetchingsolutionforliquidcrystaldisplay
2015-04-30发布2015-10-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T11509-2015
前言 本标准是按照GB/T1.1-2009之规则起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。

本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）归口。

本标准起草单位：江阴润玛电子材料股份有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院。

本标准主要起草人：戈士勇、何珂、王周霞、王香、
S
SJ/T 11509--2015
液晶显示器用ITO腐蚀液
1范围 本标准规定了液晶显示器用ITO腐蚀液的术语、分类、性状、技术要求、试验方法、检验规则和包 装、标志、储存、运输等。

本标准适用于液晶显示器用ITO腐蚀液，以下简称ITO腐蚀液。

本标准不涉及使用安全性问题本标准当的安全健康条款及使用范围的限 制。

2规范性引用文件 下列文件对于是的凡是注日期的引用件，期的版本适用于本文 件。

凡是不注日其最新版本（低括的修改单）适用于本文件 GB/T 191包装储运图示 GB/T 601标 GB/T 602剂杂液的制备 GB/T603化学式剂试验力法中所使用制剂及制的制备 GB/T 4472化工广密度、相对 GB/T66722产品采 GB/T6682验室用水规格和试验方法 GB/T 9723火焰原子吸收光谱法通则 GB/T 9727磷酸盐测定通用方法 GB/T 9728试确酸盐测定通用方法 GB/T9854-2008化学试剂草酸 GB/T11446.1电子级
HG/T3474-2000化学试剂三氯化铁 SJ/T 11510-2015液晶显示器用铝腐蚀液 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。

3.11T0 indium tin oxides 铟锡氧化物，一种n型氧化物半导体。

SJ/T 11509-2015 3.2超纯硝酸ultrapure nitric acid 金属离子含量不大于1μg/L的硝酸。

4分类、性状和技术要求 4.1分类...

江苏省工程建设企业技术标准 320707-R115—2021 Q/320707JYB01-2020 JY热固复合聚苯乙烯泡沫保温板 外墙外保温系统应用技术规程 江苏建院佰晟节能科技有限公司发布 江苏省工程建设标准站公告 江苏省工程建设企业技术标准 JY热固复合聚苯乙烯泡沫保温板 外墙外保温系统应用技术规程 320707-R115—2021 Q/320707JYB01-2020 主编单位：江苏建院佰晟节能科技有限公司 发布单位：江苏建院佰晟节能科技有限公司 公告单位：江苏省工程建设标准站 江苏凤凰科学技术出版社 2021南京 前言 本规程由江苏建院佰晟节能科技有限公司（地址：江苏省赣 榆经济开发区振兴路11号；邮政编码：222100；联系电话： 0518-86680229)发布，负责管理解释，并对内容及实施结果承 担责任. 本规程共7章，主要技术内容包括：1总则；2术语；3基 本规定；4性能要求；5设计；6施工；7工程验收；附录A、附 录B. 本规程内容涉及的商标、专利等知识产权已获得权人就 本规程编制、生产、应用等授权许可. 本规程涉及的全部产品、技术等由江苏省建院佰晟节能科技 有限公司直接供应，或授权许可供应. 本规程主编单位、技术支持单位、主要起草人和主要认证 专家： 主编单位：江苏建院佰晟节能科技有限公司 技术支持单位：连云港市建筑设计研究院有限责任公司 主要起草人：陈柏林郝宣王旭东韩中敬朱海龙 杨浩李世歌 查立意朱素业郝松 辛守音 主要认证专家：高建明 许锦峰 陶敬武 吕如男 庞涛 ...

ICS31.030 L90 备案号：50565-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11508—2015 集成电路用正胶显影液 Positive Photoresist developer for Integrated Circuit 2015-04-30发布 2015-10-01实施 9102 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T115082015 前 言 本标准是按照GB/T1.1一2009之规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准起草单位：江阴润玛电子材料股份有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院. 本标准主要起草人：戈士勇、何珂 工周霞、王香、表会川. AND INDUSTRY AUISININ ECHNO SJ STANDARDS I ...

ICS31.030 L90 备案号：50564-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11507—2015 集成电路用氧化层缓冲腐蚀液 Oxide coating etching buffer for integrated circuit 2015-04-30发布 2015-10-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11507—2015 前 言 本标准是按照GB/T1.1一2009之规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准起草单位：江阴润玛电子材料股份有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院. 本标准主要起草人：戈士勇、何珂 周腹、王首、装会川. AND INDUSTRY TECHINOL SJ STANDARDS 1 SJ/T11507—2015 集成电路用氧化层缓冲腐蚀液 1范围 本标准规定了集成电路用氧化层缓冲腐蚀液的术语、性状、技术要求、试验方法、检验规则和包装、 标志、储存、运输等. 本标准适用于集成电路用氧化层缓冲腐蚀液 本标准不涉及使用安全性问题.本标准的使 应负责建适当的安全健康条款及使用范围的限 制. 2规范性引用文件 STRY 下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引 用件，仅所日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期 用文件，其最新版本（包指的修改单）适用于本文件 GB/T 191 包装储运图示标志 GB/T 601 学试剂标准滴定溶液的制各 GB/T 602 化学试剂杂服测定用标准溶波的制备 GB/T 603 化学试剂试验方法中所用制剂及制品的制备 GB/T 605 化学试剂色度定通用方法 GB/T6678化工产品采样总则 GB/T6682分实验室用水规格和试验方法 GB/T9727 化学试剂磷酸盐测定通用方法 ECHNOLOGY GB/T9728 化学剂硫酸盐测定通用方法 GB/T9729化学试秒氯化物测定通用方法 GB/T9742化学试剂硅酸盐测定通用方法 B50472电子工业洁净广房设计范VDARDS GB/T11446.1电子级 水 GB15258化学品安全标签编写规 SJ/T11510一2015液晶显示器用铝腐钟 3术语和定义 超纯硝酸ultrapure nitric acid 金属离子含量不大于1μg/L的硝酸. 1 ...

ICS 31.030 L90 备案号：50563-2015SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T 11506-2015
集成电路用铝腐蚀液 AluminumetchingsolutionforIntegratedCircuit
2015-04-30发布2015-10-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T 11506-2015
前言 本标准是按照GB/T1.1一2009之规则起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。

本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）归口。

本标准起草单位：江阴润玛电子材料股份有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院。

本标准主要起草人：戈士勇、何珂。

土尚霞、土香、装会川。

SU
SJ/T11506-2015
集成电路用铝腐蚀液
1范围 本标准规定了集成电路用铝腐蚀液（以下简称铝腐蚀液）的术语、性状、技术要求、试验方法、检 验规则和包装、标志、储存、运输等。

本标准适用于集成电路用铝腐蚀液。

本标准不涉及使用安全性问题当的安全健康条款及使用范围的限 制。

2规范性引用文件 下列文件对于 件。

凡是不注日文保其最新版本（包活的修改单适用于本 GB/T 191包装储运图 GB/T 601剂标 GB/T 602剂杂制备 GB/T603及制的制备 GB/T 447 P化工广步密度、相对 GB/T 667化2产品采 GB/T6682分所验室用水规格和试验方法 GB/T8170约规则与极限数值的表示和判定 GB/T 9728硫酸盐测定通用方法 GB/T 9729氯化物测定通用方法 GB/T 11446.1 GB15258化学品美
3术语 下列术语和定义适用于本文件。

3.1 超纯硝酸ultrapure nitricacid 金属离子含量不大于1μg/L的硝酸。

SJ/T11506-2015 4性状和技术要求 4.1性状 本试剂为无色的透明粘稠状液体，为磷酸、硝酸、乙酸和水按一定配比混合而成的混合液体，其中 磷酸含量允许偏差为土1.0%，硝酸含量允许偏差为土0.3%，乙酸含量允许偏差为土0.5%。

4.2技术要求 铝腐蚀液技术要求应符合表1的规定： 表1技术要求 项目指标
m 酸值允许偏差（以H计）± 0.2 mmol/g 密度允许偏差（25℃）± 0.01 g/mL 颗粒（≥0.5um）50S0小50 pcs/mL 颗粒（≥1.0um）101010 pcs/mL 氯化物（CI）≤5 mg/kg 硫酸盐（SO4)以S心心 mg/kg 银（Ag）100从20心 μg/kg 砷（As）以10010 μg/kg 金（Au）从10020 μg/kg 钡（Ba）≤100≤20 μg/kg 钙（Ca）≤1000≤500≤50 μg/kg 镉（Cd）以10020 μg/kg 钴（Co)100≤20心 μg/kg 铬（Cr）以10020心 μg/kg
SJ/T11506-2015 表1 (续) 项目指标
1m 铜（Cu）以100从S0S μg/kg 铁（Fe）100心 μg/kg 汞（Hg)以100≤20心 μg/kg 钾（K）从100≤20心 μg/kg 镁（Mg）≤100从10 μg/kg 锰（Mn）从100从10 μg/kg 钠（Na）从100从20 μg/kg 镍（Ni）10010 μg/kg 铅（Pb）以10010心 μg/kg 锑（Sb）≤500从20 μg/kg 锡（Sn）以100以20MN μg/kg 钛（Ti）从100从20 μg/kg 钒(V)以100≤20 μg/kg 锆（Zr)≤100≤20 μg/kg 注：酸值和密度由供需双方商定，含量允许偏差值满足表1规定。

5试验方法 5.1一般规定 本试验方法中除另有规定外，标准滴定溶液、杂质测定用标准溶液和所用制剂及制品均按GB/T601、 GB/T602、GB/T603之规定制备：除特殊要求外，实验室用水应符合GB/T6682中二级水规格，实验 用试剂均为分析纯。

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ICS29.045 H83 备案号：50562-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11505—2015 蓝宝石单晶抛光片规范 Sapphire single crystal polished wafers specification 2015-04-30发布 2015-10-01实施 N24 102 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11505—2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009制定的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口. 本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、 合肥晶桥光电材料有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、 天通电子控股股份有限公司. 本标准主要起草人：何秀坤 付雪涛. INDUSTRY MACHNO SJ STANDARDS 1 SJ/T11505—2015 蓝宝石单晶抛光片规范 1范围 本标准规定了衬底和红外探测器窗口用蓝宝石单品抛光片的技术要求、测试方法、检验规则、标志、 包装、运输和贮存等内容. 本标准适用于泡生法和直拉法生长的蓝宝石单晶抛光片，其它方法生长的蓝宝石单晶抛光片也可参 照本标准. 2规范性引用文件 TRY AND INFORMAT 下列文件对于文的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件， 所期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的明文件最额版本（包括的修改单用无本文 GB/T1555 体单晶岛问区衍射测定方法 GB/T2828 逐批检查计女抽样程序及抽样表 GB/T 661 正片度和和总摩度变化测试方法 GB/T6619 破片弯曲测 GB/T6621人硅抛光片表面平整度测试方法 GB/T6624抛光片表量目测检验方法 GB/T14140破片直径测量方法 GB/T14264 得体材料术语 SJ/T11396 袋家装发光二极管监宝石衬底片 SJ/T20387 红外 测零用蓝宝石窗口性能试验方法 3术语和定义 ty GB/T14264 界定的术语和定 ANDARDS 4要求 4.1衬底抛光片 蓝宝石单晶衬底抛光片的要求见SJ/T11396. 4.2窗口抛光片 4.2.1材料 蓝宝石窗口所用材料为蓝宝石单晶，其化学组成为a-Al2O3 蓝宝石单晶性能应符合如下要求： a)纯度应不低于99.995%： b)衍射摇摆曲线半峰宽度应不大于15弧秒： 1 ...

ICS29.045 H83 备案号：50561-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11504—2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法 Test method for measuring surface quality of polished monocrystalline silicon carbide 2015-04-30发布 2015-10-01实施 18 中华人民共和国工业和信息化部 发布 SJ/T11504—2015 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、工业和信息化部电子工业标准化研究院. 本标准主要起草人：丁丽、周智慧葡焖、 郝建民、何零坤、冯亚彬、裴会川. AND INDUSTRY SJ STANDARDS I SJ/T11504—2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法 1范围 本标准规定了碳化硅单晶抛光片（以下简称“抛光片”）表面质量的目视检验方法. 本标准适用于单面或者双面抛光的碳化硅单晶抛光片表面质量的检测. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件. 凡是不注日期的引用标准，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T14264半导体材料术语 GB/T25915.1一2010洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件. 4方法原理 抛光片表面质量缺陷在一定光照条件下可产生光的漫反射，且可被目测观察到.据此可直接（或采 用5倍~10倍放大镜)目视检测抛光片的表面缺陷. 5测试设备 5.1高强度汇聚光源：钨丝灯，离光源100mm处汇聚光斑直径(20~40)mm 照度不小于16000x. 5.2大面积漫射光源：可调节光强度的荧光灯或乳白灯，使检测面上的光强度为(430~650)cd. 5.3净化台：洁净度应优于GB/T25915.1一2010规定的ISO5级要求. 5.4真空吸笔：不可引入任何缺陷. 5.5放大镜：放大倍数为(5~10)倍. 5.6长度测量工具：分度值不大于1mm的钢板尺. 6环境条件 6.1环境温度：(18~28)℃. 6.2环境湿度应不大于75%. 6.3洁净室：洁净度应优于GB25915.1一2010规定的ISO6级要求. 1 ...

ICS29.045 H83 备案号：50560-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11503—2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法 Test methods for measuring surface roughness of polished monocrystalline silicon carbide wafers 2015-04-30发布 2015-10-01实施 2015 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T115032015 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、北京天科合达蓝光半导体有限公司、工 业和信息化部电子工业标准化研究院 本标准主要起草人：丁丽、 INDUSTR TECHNOL 何秀坤、冯亚彬、装会川. SJ STANDARDS ...

ICS29.045 H83 备案号：50559-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T115022015 碳化硅单晶抛光片规范 Specification for polished monocrystalline silicon carbide wafers 2015-04-30发布 2015-10-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11502—2015 前言 本规范按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本规范由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本规范起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、北京天科合达蓝光半导体有限公司、工 业和信息化部电子工业标准化研究院、河北问光品体有限公司 本规范主要起草人：丁丽、 周智慧、吴华、何秀坤、冯亚彬、装会 川、李龙远. INDUSTRY FESRMATION TECHNO SJ STANDARDS 1 SJ/T11502—2015 碳化硅单晶抛光片规范 1范围 本规范规定了碳化硅单晶抛光片的术语和定义、牌号、要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、 贮存和运输等内容. 本规范适用于晶型为6H和4H 单面或双面抛光，直径100mm及以下的碳化硅单晶抛光片.其它晶 型或尺寸的碳化硅单晶抛光片可参照便用 2规范性引用文件 TRY AND INFORMA 下列文件对于文件的应用是必不可少的，凡是注日期的引用文件仪在期的版本适用于本文件. 凡是不注日期的引用准，其最新版本（包活的修改单）适同本文件 GB/T6619 硅弯度测试方法 GB/T6620 硅片翘曲度非接独式测试方 GB/T 662 抛光片表平整度测试方法 GB/T13387硅及其它电子材料品片参考面长度测量方法 GB/T13388硅参考面结晶学取向X射线测式 GB/T14264米体材料 GB/T30866碳化硅单晶片直测试方 GB/T30867北佳单晶片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T30868化硅单晶片微管密度的测定化学腐蚀法 SJ/T11499 碳化单晶电学性能的测试方法 SJ/T11500碳化晶昌向的测试方法 SJ/T11501 碳化硅单晶晶型的测试方法 SJ/T11503 碳化硅 单 NDARDS 光片衣面粗糙度的测试方法 SJ/T11504 碳化硅单砸光 页的试法 3术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 微管micropipe 微管是在碳化硅单品中产生的一种中空的细管，其径向尺寸从纳米到微米量级，腐蚀后在显微镜下 观察呈六边形，其对碳化硅器件具有严重的制约作用. 3.2 微管密度micropipe density 1 ...

ICS 29.045 H 83 备案号：50558-2015SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11501--2015
碳化硅单晶晶型的测试方法 Testmethodfordeterminingcrystaltype ofmonocrystalline siliconcarbide
2015-04-30发布2015-10-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T 11501-2015
前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。

本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）归口。

本标准起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、工业和信息化部电子工业标准化研究院。

本标准主要起草人：丁丽、郝建民周智慧、蔺姻、何秀坤、冯亚彬、裴会川。

SJ OGY
SJ/T11501-2015
碳化硅单晶晶型的测试办法
1范围
本标准规定了利用拉曼光谱测定碳化硅单晶结晶类型的方法。

本标准适用于碳化硅单晶晶型的测定。

2规范性引用文件
下列文件对于本文不可少的。

凡是注日期的外用期的版本适用于本文件。

凡是不注日期的引用新版本（包括的修改单）适用于 GB/T 14264科术语
3术语和定义 GB/T 14264以及下语和定义活联本文件。

3.1 拉曼散射scatter 光通过介质 4方法原理 当光照射到晶体晶体中的电子将被极化并产生感应电偶极链，散身光，其中除有与激发光 还有与激发光频率不相同的非成其中由光学声子引起的非 衡位价远地振动，这种振动是一种集体 运动，形成格波，可将其分解成许多彼此独的振办真，会被晶格振动模调制，因此拉曼散 射光包含晶格信息，利用它可进行晶型签别 在碳化硅中，由Si-C双原子层之间不同的堆垛方式，形成不同晶型的晶体。

归纳起来有三类：3C， nH和3nR。

在这些记号中，用C（立方）、H（六方）和R（三方）字母表示晶体的点阵类型，用n表示 原胞中包含化学式单位（碳化硅）的数目。

3C-SiC只有一个拉曼活性模，此振动模是三重简并的，可分 裂为一个波数为796cm的横模和一个波数为972cm的纵模。

nH-SiC和3nR-SiC的结构则要复杂一些，n 愈大其原胞中含有的原子数目（2n）愈多，拉曼活性模的数目也就愈多。

理论上2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC 和15R-SiC的拉曼活性模的数目分别为4、10、16和18。

不同结构碳化硅的Raman活性模数不同，产生 Raman峰的位置也不同，因此用其确定碳化硅的晶型。

SJ/T 11501-2015 5仪器设备 拉曼光谱测试仪示意图如图1所示。

激光束
集光系统
群品
光电倍增管放大器记录仪 双连单色仪
图1拉曼光谱测试仪示意图
6测试环境
6.1温度：（18~28）℃。

6.2相对湿度应不大于75%。

6.3测试时要避光。

7测试程序 7.1打开计算机电源开关和拉曼光谱仪开关，预热激光管30min以上。

7.2开启光源，用硅片进行仪器校准。

7.3将待测碳化硅样品固定在样品池中。

7.4调节聚焦透镜，使光聚焦在被测样品表面。

7.5设定合适的激光波长、光栅宽度、扫描时间、扫描次数、扫描间隔、光谱范围。

7.6调节收集透镜，使光聚焦在检偏振器的狭缝中，使散射光进入双单色器。

7.7当样品的拉曼信号最强时，开始进行样品谱图采集。

7.8记录拉曼光谱谱线波数。

7.9打印并保存拉曼光谱图。

SJ/T 11501-2015 8结果分析 将测试结果分别与不同晶型碳化硅单晶的拉曼光谱数据（见表1）及标准拉曼光谱图（见附录A） 进行比对，根据不同晶型所占的比例确定碳化硅单晶晶型。

附录A中图A.1～图A.5分别给出了不同晶型 碳化硅单晶（3C-SiC、2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC和15R-SiC）在背散射几何配置下的的拉曼光谱。

表1不同晶型碳化硅单晶的拉曼光谱数据 晶型晶系点群拉曼光谱谱线波数
cm 3CSic立方Ta796,、972, 2HSiC六方Co264w、764、799、968m 4H-SiC六方Cv196w、204,、266、610、776、796、964 6H-SiC六方Cv145、150m、236、241、266、504、514、767m、789,、797、889 965, 15RSiC三方Csv167、173m、255、256、331、337、569、573、769,、785,、797m 860、932、938、965 注：拉曼光谱谱线波数中的s表示强，m表示中等，w表示弱。

9报告
报告应...

ICS29.046 H83 备案号：50557-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11500—2015 碳化硅单晶晶向的测试方法 Test method for measuring crystallographic orientation of monocrystalline silicon carbide 2015-04-30发布 2015-10-01实施 CD 中华人民共和国工业和信息化部发布 N SJ/T115002015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、工业和信息化部电子工业标准化研究院. 本标准主要起草人：丁丽、郝建民、周智意、商姻、何秀坤、冯亚彬、裴会川. AND INDUSTRY SJ STANDARDS I ...

ICS 29.045 H 83 备案号：50556-2015S 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11499-2015
碳化硅单晶电学性能的测试方法 Test method for measuring electrical properties of monocrystalline silicon carbide
2015-04-30发布2015-10-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T 114992015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。

本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）归口，本标准起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、工业和信息化部电子工业标准化研究院。

本标准主要起草人：丁丽、郑庆瑜何秀坪、冯亚彬、裴会川。

SJ MINIST
SJ/T 11499-2015
碳化硅单晶电学性能的测试方法
1范围 本标准规定了碳化硅晶体材料导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的测试方法。

本标准适用于在（-263.15~426.85）C温度范围内，电阻率在1x10Ω-cm以下、品型为6H和4H的碳化 硅单品的电学性能测试。

2规范性引用文件AND 下列文件对于本文必不可少的。

凡是注日期的引用文期的版本适用于本文件。

凡是不注日期的引引月最新版本（包括的修改单）适用于 GB/T 14264 GB/T 30867碳化品片厚度和度变化测试 3术语和定义 GB/T 142的术语和 4方法原理 碳化硅单品学参数测试采用范德堡法。

对于任意形状、厚度均 在样品四周做四。

分别在零磁场和 磁场下测量样品的由公式（1）和公式（2）计算可得到碳化硅单品世阻率和霍尔系数.利 用霍尔系数的符号可列断材料的导电类型。

将电阻率、霍尔系数代人可计算得到碳化硅单品 的霍尔迁移率。

IB x10 un(3) 式中： p电阻率，Ωcm： RH霍尔系数，cm²/C： PH霍尔迁移率，cm²/Vs： 样品厚度，cm：
SJ/T 11499-2015 Va霍尔电压，V： Voc、Vsc-分别为在DC、BC电极间测得的电压，V： IAs、IAD分别为AB、AD电极间通过的电流，A： B垂直于样品的磁通量，T： 范德堡修正因子，见附录A。

（a）图形(b）四叶形（c）方形（d）矩形
图1典型范德堡样品及电极位置 5干扰因素 5.1由于碳化硅半导体材料的电学参数为温度的函数，因此在进行高温测量时，样品温度在测量过程 中应保持恒定，以减少由于温度起伏造成的测量误差。

5.2为避免外界干扰，样品室等装置应注意屏蔽，测量系统的连接电缆应尽量短。

此外，样品架及相 关部件要有良好的绝缘特性，避免漏电的发生。

5.3利用蒸发、溅射等技术制备的样品电极通常在样品表面，因此在不影响电极引线正常引出的情况 下，电极的尺寸应尽量小且靠近边缘。

为使f因子接近1，应在样品对称的位置上制备电极，否则测量 结果将偏离真值。

5.4在保证测量有足够信噪比的前提下，测量电流应尽量小，通常样品上的外加电场应小于1V/cm， 以避免注入现象的发生。

6仪器设备 6.1制样设备 6.1.1蒸发台或溅射台 用于制备金属膜，真空度应优于10Pa 6.1.2合金炉 用于电极烧结，使金属膜与样品之间形成良好的欧姆接触。

合金炉腔内环境应为真空状态或充保护 气体。

若合金炉腔内为真空状态，则真空度应优于10Pa。

6.2几何尺寸测量工具 分度值为0.02mm的外径千分尺或精度相当的其他测量工具。

SJ/T 11499-2015 6.3霍尔测试系统 6.3.1恒流源 为样品提供电流，其电流稳定度应优于土0.5%。

6.3.2电压表 用于测量样品电压，测量精度应优于土0.5%，电压表的输入阻抗应为被测样品阻抗的10倍以上。

6.3.3磁铁 磁通密度范围在（0.2~1.0）T以内，在样品所处范围内磁通密度均匀性应优于士1%。

6.3.4开关矩阵 用于改变样品中电流方向和测量相对应电极的电压，开关矩阵应具有良好的绝缘性和可靠性。

6.4低温样品室 6.4.1低温样品室，温度在（-263.15~26.85）C范围内应连续可调，控温精度应优于土1℃。

6.4.2低温测量装置，应靠近被测样品，测温精度优于土1℃。

6.5高温样品室 6.5.1高温样品室，温度在（26.85~426.85）C范围内应连续可调，控温精度应优于土1C。

6.5.2高温测量装置，应尽量靠近被测样品，测温精度应优于土1C。

6.5.3样品防止氧化装置，用于保护样品及电极在高温下不被氧化。

7试样制备
7.1样品选择 样品应为厚度均匀且无空洞的单晶。

尽量选取对称性好的样品，样品周长Lp应大于1.5cm，厚度 应不大于0.1cm（厚度的测量按照GB/T30867-2014的规定进行）。

典型试样形状见图1。

7.2样品清洗 样品依次用丙酮、酒精进行超声清洗。

7.3制备掩膜 根据样品的形状、尺寸制备掩膜，把电极区域以外的样品表面覆盖起来。

7.4制备金属膜 7.4.1对于电阻率小于10Q*cm的样品，N型碳化硅一般用Ni、Au/Ni或Au/NiCr合金作为欧姆接触 材料，P型碳化硅用AI或Ti作为欧姆接触材料。

7.4.2碳化硅材料多型较多，不同多型性质不尽相同，电极制备材料及工艺也有一定差别，相同的碳 化硅材料也会有多种电极制备方法。

电极应能形成欧姆接触，接触电阻与被测样品相比足够小（对于c、 d两种形状的晶片，一般电极≤边长的10%），且所用材料能够耐受测量所需经历的高温或低温。

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H 82 ICS 29.045 备案号：50555-2015SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11498-2015
重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱 测量方法 Testmethodformeasuring oxygencontaminationinheavily doped silicon substrates bysecondaryionmassspectrometry
2015-04-30发布2015-10-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T11498-2015
前言 本标准按照GB/T1.1-2009制定的规则起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。

本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会（SAC/TC203）归口。

本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、 本标准主要起草人：何友琴苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司。

李翔、付雪涛。

S
SJ/T11498-2015
重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
1范围 本标准规定了用二次离子质谱法（SIMS）对重掺硅衬底单晶体中氧浓度总量的测试方法。

本标准适用于硼、锑、砷、磷的掺杂浓度<0.2%（1×10atcm）的硅材料。

特别适用于电阻 率在0.0012Qcm~1.0Qcm的p型硅材料和电阻率在0.008Ωcm~0.2Ωcm的n型硅材料。

2规范性引用文件 下列文件对于本文必不可少的。

凡是注日期的引用日期的版本适用于本文 件。

凡是不注日期的其最新版本（包括的修改单）适用 GB/T 24580 n移抵中赠范行的二次离子质请检方法 3术语和定义 GB/T2459界定的水语和定义活用子本文件。

方法概述TRY 将单晶硅样品将样品架放在100℃ 空气中烘烤一然后放入SIMS仪器的样品室。

用艳一次离子束轰击每fmn用质谱分析负的 二次离子。

对样品品连续进行检测，每个样品溅射三个不同位置分标其中的氧和硅，并计算 每个样品的氧和硅（07）的二次离子强度比。

计算每个样品离子强度比的相双标准偏差（RSD）。

如果任何一个非区熔样品的离子强度比的相对标准偏差大于3%，要对其进行进一步的测试。

外吸收法测试的等同浓度。

5干扰因素
5.1样品表面硅氧化物，碳氧化物以及水分子中的氧干扰氧的测试。

5.2从SIMS仪器样品室吸附到样品表面的氧干扰氧的测试。

5.3当掺杂浓度低于1X1020atcm，掺杂离子对氧离子的产额没有影响。

5.4样品测试之前，在区熔硅样品上测得的氧的SIMS仪器背景应尽可能的低而且稳定。

5.5在样品架窗口范围内的样品表面必须平整，以保证每个样品的样品表面与离子收集光学系统的倾 斜度是一致的，否则测试的准确度和精度都有所降低。

5.6测试准确度和精度随着样品表面的粗糙度的增大而显著降低，可以通过使用化学机械抛光样品来 消除。

5.7标样中氧的不均匀性会限制测试精度。

5.8参考样品中氧的标称浓度的偏差导致SIMS测试结果的偏差。

SJ/T11498-2015
6测量装置
6.1二次离子质谱仪 仪器需要装备艳一次离子源，电子倍增器和法拉第杯检测器，具备检测负二次离子的能力。

SIMS 仪器必须状态良好（经过烘烤），以便提供尽可能低的仪器背景。

6.2冷却低温板 液氮或者液氮冷却低温板环绕在分析室中样品架的周围。

6.3样品架 用来承载样品的装置。

6.4烤箱 用来烘烤装载了样品的样品架
7样品准备
7.1样品的测试表面必须平坦光滑，需经过腐蚀抛光或化学机械抛光。

7.2从硅衬底晶片上将样品切割成小块，使得样品大小要适合SIMS样品架的形状。

样品必须按照普 通的分析实验室的惯例处理，没有特殊的环境要求。

7.3将样品装入SIMS样品架，并检查确认样品是否平坦地放在窗口背面，并尽可能地多覆盖窗口。

一次装入的样品包括：一片区熔硅片：两个参考样品和一个或多个待测样品。

7.4将装有样品的样品架放在100C土10C的空气中烘烤1h，然后再装入SIMS仪器内。

8测量环境条件
8.1环境温度：18℃~25℃。

8.2环境湿度：30%~80%
9测量步骤
9.1装载样品 9.1.1将样品装入SIMS样品架，检查确认样品是否平坦地放在窗口背面，并尽可能地多覆盖窗口。

一次装入的样品包括：一个区熔硅样品，两个或多个参考样品和要测试的样品。

9.1.2将装好样品的样品架放在100C±10C的空气中烘烤1h。

9.2仪器调试 9.2.1按照仪器说明书开启仪器。

9.2.2将液氮或者液氢装入冷阱。...

ICS 29.045 H83 备案号：50554-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11497--2015 砷化家晶片热稳定性的试验方法 Testmethodfor thermal stabilitytestingofgallium arsenidewafers 2015-04-30发布 2015-10-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布
SJ/T11497-2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009制定的规则起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。

本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203）归口。

本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、 苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司。

本标准主要起草人：何秀坤 SJ
SJ/T 11497--2015 砷化镓晶片热稳定性的试验方法 1范围 本标准规定了半绝缘砷化（GaAs）晶片热稳定性的试验方法。

本标准适用于电阻率在10Ω-cm~10Q-cm范围半绝缘砷化单晶材料的热稳定性试验。

2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。

凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。

凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件。

SJ/T11488半绝缘砷化单晶电阻率、霍尔系数和霍尔迁移率的测量方法 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。

3. 1 保护退火Protectionofannealing 在退火过程中使用保护层（通常采用氮化硅或二氧化硅）对砷化家样品表面进行保护，从而减少砷 蒸气从样品的表面升华。

3.2 相邻退火Adjacent annealing 将样品置于两片相同的砷化之间进行退火，从而减少退火过程中砷蒸气从样品的表面损失。

3.3 热稳定性Thermal stability 同一样品退火试验前后的体积电阻率比值。

4方法 通过热退火前后半绝缘砷化相邻晶片体积电阻率的变化来表征材料对热处理的敏感性，即材料的 “热稳定性”。

5干扰因素 退火温度、退火时间、保护气氛和退火炉洁净度等均会对试验结果产生影响。

SJ/T 11497-2015 6试验装置 6.1加热系统 用于加热试样至850“℃，在一定的流量气氛中维持该温度，可在30min内冷却至低于100℃，如 图1所示。

加热系统的构成主要包括： a）翻盖式或者管式的规范热源。

可以在流气状态下，加热长度为样品区2倍的区域，并维持温度 在850℃±3℃； b 石英管。

长度是加热炉整体加热区域长度的2倍，并具有足够大的直径，可以放置待试验样品； 可迅速将样品和载舟推入或拉出退火炉加热区的装置： d) 可拆卸尾端帽： e) 可提供混合气体或纯化的氢气 样品和载舟 进气口 可拆解 图1 典型 6.2安全防护装量 试验区域应有 设施， 世漏时能 6.3样品托 耐热并不释放杂质污染样品 7试验程序 7.1样品制备 方法》进行退火前样品电阻率测量，另一组进行热退火试验。

7.2热退火预处理 对欲退火组试样，在H2O2：HO：HSO4的体积比为1：1：10组成的溶液中腐蚀10min，用去离子 水冲洗2min，干燥待用。

7.3热处理 把干燥过的样品放在退火炉中的样品托上并推入恒温区。

将纯净的情性气体（高纯氢气或高纯氮气）
SJ/T 11497-2015 微正压通入退火炉，排除炉内残余空气，这个过程需要30min。

开启氢气并停止情性气体。

开启加热炉 升温至850C开始计时，温度退火30min后停止退火炉加热，样品在继续通入氢气1小时冷却后改用情 性气体冷却至室温。

7.4退火后样品电阻率测定 从退火炉中取出热处理样品，用金刚砂研磨去除样品表层，按SJ/T11488进行退火后样品电阻率 的测量。

8计算 样品热稳定性因子r由公式（1）计算： (1) 式中： r 热稳定性因子： PP 热处理前后电阻率，Qcm。

9报告 报告应包括如下内容： a) ）样品来源： b) 样品编号、名称、规格型号： c) 退火条件： d) 测量仪器型号： e) 测量结果； f) 测试者姓名、测试单位、测试日期。

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ICS 29.045 H83 备案号：50553-2015SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T 11496-2015
红外吸收法测量砷化家中硼含量 Determinationof boronconcentrationingallium arsenidebyinfraredabsorption
2015-04-30发布2015-10-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T11496-2015
前言 本标准按照GB/T1.1一2009制定的规则起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。

本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。

本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、 本标准主要起草人：李静、苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司。

S OGY
SJ/T 11496-2015
红外吸收法测量砷化中硼含量
1范围 本标准规定了在77K时，用红外吸收法来测定砷化（GaAs）中替位硼含量的方法。

本标准适用于电阻率大于10°Qcm的半绝缘砷化单晶中替位硼含量的测试，测量硼含量的有效 范围是从1x106atcm到2×1018atcm² 2方法原理 本标准利用低温纟随着温度的降低，半导体林料作为局域缺陷所引起的 特征吸收峰会变锐，增加，提高检测灵敏度。

本标准通过参比方硼样品的红外透射谱， 然后利用砷化中K的51cm(19.34 μm)外吸“收系数，来确定替位 硼含量。

3干扰因素 3.1在硼的吸收收谱带附近有确化镍双声子品格的吸收振动请带，测试时用参出方法扣除该晶格吸 样品的度与测试样品小于2以避免砷化锣格吸收的影响。

x1017 cm进行测对于接近检测下限 度硼含量，或更高分辨半进行测 3.3在77K时 算时，较大的半高测试误差。

4测量仪器和材料 4.1傅立叶变换红外光谱仪 对于傅立叶变换红外光谱仪的分辨率应或更好 4.2千分尺 适用于测量样品厚度的千分尺，准确度为±0.01mm。

4.3样品架 根据测试样品的实际尺寸，选择样品架上遮光孔径的大小，以确证红外光束全部从样品上通过，并 且样品架应垂直或基本垂直于红外光束的轴线方向。

4.4低温恒温装置 保证测量过程中，能使测试样品的温度降至100K以下，可采用液氮降温，并且要求低温恒温装置 样品室的窗片，用在450cm~600cm范围内能透光的光学材料制作（例如碘化艳）。

SJ/T 11496-2015 5环境条件
5.1环境温度：23C土2C。

5.2环境湿度：≤75%。

6试样制备
6.1参比样品 6.1.1本测试方法要求参比样品与测试样品有相同的导电型号，且其厚度与测试样品的厚度差应小于 ±2% 6.1.2选用硼含量小于1x10atcm的砷化样品做参样。

6.2测试样品 6.2.1样品厚度范围为0.5mm~2mm。

6.2.2切取砷化单晶样片，样片经双面研磨、抛光后用千分尺测试其厚度，要求加工后样片的厚度 均匀性应≤0.5%。

7操作步骤
7.1仪器校准 用已知硼含量的标样对仪器进行校准。

7.2仪器检查 开机稳定半小时以后，通过测量确定100%基线的噪声水平来确定仪器的稳定性。

测量前，保证低 温恒温装置已降至测量温度。

对双光束仪器记录样品光路和参比光路空着时的透射光谱。

对单光束仪器， 在样品光路空着时先后两次记录的光谱之比获取透射光谱。

画出波数范围从450cm到600cm透射光 谱即为仪器的100%基线，如果在这个范围内的基线没有达到（100±5）%，则要增加测量次数直到达到 要求。

如果仍然有问题，则需要检修仪器。

7.3测量步骤 用0.5cm分辨率测试样品，应保证红外光束是通过测试样品和参比样品的中心位置。

对于双光路 仪器，在参比光路放置参比样品，同时在样品光路放置测试样品，可以直接获得样品的透射光谱；对于 单光路仪器分别测试样品及参比样品，然后通过差谱计算获得样品的透射光谱。

8计算
8.1如果样品具有平行的光学表面，光垂直入射，则样品光谱的透过率T由公式（1）得出： T=(1-R)²exp(-ad) 1+R²exp（-2ad)-2Rcos（）exp（-αd) 由于光在样品表面的多次反射，光谱是周期性调制。

调制周期函数，可以表示为公式（2）： Φ=4ndy. 2
SJ/T 11496-2015 式中： R反射率，%； n折射率；
波数，cm； p样品厚度，cm： a吸收系数α（v），包括硼的吸收系数αg（v）及基体声子吸收系数。

如果样品没有平行的光学表面，就需要考虑样品的平均厚度和仪器分辨率对测试的影响，则样...

ICS29.045 H82 备案号：50552-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11495—2015 硅中间隙氧的转换因子指南 Guide to conversion factors for interstitial oxygen in silicon 2015-04-30发布 2015-10-01实施 2102 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11495—2015 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009制定的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、 苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技木有限公司 本标准主要起草人：李静、柯秀坤 INDUSTRY MULSININ ORMATION TECHNO SJ STANDARDS I SJ/T11495—2015 硅中间隙氧的转换因子指南 1范围 本标准规定了硅中间隙氧的转换因子指南. 本标准适用于在室温下测试电阻率大于0.12cm的n型硅单晶和电阻率大于0.52cm的p型硅单晶 中间隙氧含量. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1557一2006硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 3各标准之间进行换算的转换因子 3.1表1给出使用不同版本的校正系数计算硅中间隙氧含量数值.目前，氧含量用两种单位表示，分 别为ppma或atcm表示. 表1校正系数及计算结果 采用atcm2 采用ppma单位 标准名称 单位的校正系数 的校正系数 ASTM F121:1983 2.45×107 4.90 JEIDA 61:1983 3.05×107 6.10 GB/T1557—2006 3.14×107 6.28 DIN50438-1或IOC-1988 3.14×107 6.28 ASTM F121:1979 4.815×107 9.63 注：间隙氧含量由at.cm3换算到ppma时，除以5x10[(at.cm)/ppma]- 3.2表2给出氧含量从一种标准到另一种标准之间进行换算的转换因子. 表2标准之间进行换算的转换因子 至 DIN50438-1 ASTM F121:1983 JEIDA 61:1983 GB/T1557-2006 ASTM F121:1979 转换自 或10C-1988 ASTM F121:1983 1 1.245 1.282 1.282 1.965 JEIDA 61:1983 0.803 1 1.030 1....