中华人民共和国国家标准
GB/T 35158-2017
俄歇电子能谱仪检定方法
Verification method for Auger electron spectrometers
中国国家标准化管理委员会 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布
目次
前言引言1范围2规范性引用文件3缩略语和符号3.1缩略语 3.2符号4方法原理与系统构成4.1方法原理4.2系统构成5计量单位与技术指标5.1计量单位5.2技术指标6检定环境6.1外观要求 6.2安装场所要求6.3电源 ... 516.4环境温度与湿度7检定项目与方法7.1能量标检定7.2强度标检定 7.3横向分辨率检定 24 317.4离子枪检定 407.5荷电控制与校正检定. 0S8报告检定结果. 559检定周期 55参考文献 56
前言
本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草.本标准由全国微束分析标准化技术委员会（SAC/TC38）提出并归口.本标准起草单位：厦门大学、清华大学，本标准起草人：姚文清、岑丹霞、张增明、徐建、刘芬、王水菊.
引言
俄歇电子能谱仪（AES）广泛用于材料的实验性和常规性表面与界面分析，为纳米尺度的表面分析仪器.我国目前有多家公司儿十台不同型号的该类仪器.由于没有合适的检定方法的综合性国家标准，仪器的能量标、强度标，溅射速率、横向分辨率等各项性能标准不统一，因此需要制定检定方法的国 家标准，以实现获取的谱图数据的科学性和可比性，这对于促进我国光电信息、能源及新材料等相关领域的科技与产业的发展很有意义.
俄歇电子能谱仪检定方法
1范围
本标准规定了俄歇电子能谱仪（Auger electron spectrometer）的检定方法.本标准适用于激发源为电子束，且带有溅射清洁用离子枪的俄歇电子能谱仪.
2规范性引用文件
件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文
GB/T20175-2006表面化学分析溅射深度剖析用层状膜系为参考物质的优化方法GB/T21006一2007表面化学分析X射线光电子能谱仪和俄歇电子能谱仪强度标的线性GB/T28632-2012表面化学分析俄歌电子能谱和X射线光电子能谱横向分辨率的测定GB/T29558-2013表面化学分析俄歇电子能谱谱仪强度标的重复性和一致性 GB/T29731一2013表面化学分析高分辨俄歇电子能谱仪元素和化学态分析的能量标校准GB/T29732一2013表面化学分析中等分辨率俄歇电子能谱仪元素分析的能量标校准GB/T32998-2016表面化学分析俄歌电子能谱荷电控制与校正方法报告的规范要求
ISO16531：2013表面化学分析深度剖析AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及相应的电流或电流密度测量（Surface chemical analysis-Depth profiling-Methods for ion beam alignment and the associated measurement of current or current density for depth profiling in AES and XPS)
ISO17109：2015表面化学分析深度剖析溅射深度剖析时使用多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歌电子能谱和二次离子质谱溅射速率的方法（Surface chemical analysis-Depth profiling-Methoxd formass spectrometry sputter depth profiling using single and muli-layer thin ilms) sputter rate determination in X-ray photoelectron spectroscopy Auger electron spectroscopy and secondary-ion
3缩略语和符号
3.1缩略语
下列缩略语适用于本文件.
XPS：X射线光电子能谱（X-ray Photoelectron Spectroscopy)AES：俄歇电子能谱（Auger Electron Spectroscopy）OMI：光学显微像（Optical Microscope Image）SEI;二次电子像（Secondary Electron Image)FWHM：本底以上最大峰强一半处的全宽，以eV为单位（full width at half maximum peak inten- SEM：二次电子显微术（Secondary Electron Microscope)sity above the background in eV)
3.2符号
下列符号适用于本文件.
