ICS31.080.30 L42 备案号: SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T1831—2016 代替SJ1831-1981 半导体分立器件 3DK28型NPN硅小功率开关晶体管 详细规范 Semiconductor discrete devices Detail specification for silicon NPN low power switching transistor type 3DK28 2016-04-05发布 2016-09-01实施 SJ N 发布 2016 中华人民共和国工业和信息化部 FANDARDE SJ/T1831—2016 前言 本规范按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本规范代替SJ/T1831一1981.与SJ/T1831一1981相比,本规范主要技术变化如下: 一本规范外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准. 一原标准开关参数tg(载流子贮存时间)和tr(下降时间)在本规范中合并为to(关断时间), 即tofm-tstro 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口. 本规范起草单位:石家庄天林石无二电子有限公司. 本规范主要起草人:赵滨宋凤领吕瑞芹. 本规范于1981年首次发布,本次为第一次修订. I SJ/T1831—2016 引言 本规范适用于3DK28型NPN硅小功率开关晶体管.本规范按照GB/T6218一1996《开关用双极型晶体 管空白详细规范》制定,符合GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规 范》Ⅱ类和GB/T12560一1999《半导体器件分立器件分规范》的规定. AND ORMATION ECHINOI SJ STANDARDSJ II ...
推荐内容/By 规范库
-
SJ/T 10675-2002 电子及电器工业用二氧化硅微粉.pdf
-
SJ/T 10380-2012 工业用酸洗石英砂.pdf
-
SJ 21554-2020 印制板背钻加工工艺控制要求.pdf
-
SJ/T 11379-2008 等离子体显示器件 第4部分:气候和机械试验方法.pdf
-
SJ/T 10567-2020 电子元器件详细规范 CC2型瓷介固定电容器 评定水平EZ.pdf
-
SJ/T 10929-1996 电子工业用硅酸钾溶液中重金属(Pb)的测定方法.pdf
-
SJ/T 11743.4.2-2019 频率控制与选择用压电和介电器件 术语 第4-2部分:材料 压电陶瓷.pdf
-
SJ/T 10906-1996 电子玻璃中氧化钡的分析(硫酸钡重量法).pdf
-
SJ/T 11734-2019 芯片级封装(CSP)LED空白详细规范.pdf