ICS31.080.30 L42,L44
中华人民共和国电子行业标准 SJ/T 11765-2020
晶体管低频噪声参数测试方法
Measurementmethodof low-frequencynoiseparametersfortransistors
2020-12-09发布2021-04-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T 11765-2020
目次
前言，III 范围 2规范性引用文件 术语和定义. 4测试条件及要求. 5测试系统的构成及要 5.1通则... 5.2测试偏置 6测试程序.. 6.1测试 6.2等效输入噪声电压巧 6.3等声电压. 6.4等声电流功 6.5等输入噪声电流. 6.6噪声系数.. 6.7数据的记录 附录A（资料性附录）典型测试图 MIN
SJ/T 11765-2020 前言
和具体电子元器件的低频噪声参数测试方法，后者包括但不限于：《晶体管低频噪声参数测试方法》、电子元器件低频噪声参数测试方法的系列标准包括：《电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求》 《二极管低频噪声参数测试方法》、《光电耦合器件低频噪声参数测试方法》、《电阻器低频噪声参数 测试方法》。
本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。
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本文件的发布机构不承担这些专利的责任。
本标准由基于低频噪声技术的电子元器件可靠性无揭检测标准工作组归口。
本标准起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、中国运线火箭技术研究院、西安电子科技大学、 科技集团公司第十中国振华集团永光电子有限公甸、江西联创特种微电子有限公司、研究所、中国电子科技集团公司第五十五研究所深圳市量为科技有限公司、中国电子 苏州半导体总厂限公司、济南市半导体元件实验所。
0东江、赵建华、迟雷、施尚、 本标准主要起草人：、侯秀萍。
罗宏伟、胡为、生小强、张伟、黄平、余永涛、 吕瑞芹、顾惠海
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III...
