SJ 中华人民共和国电子行业军用标准 FL6131 SJ50033/175—2007 半导体分立器件 3DA522型硅微波脉冲功率晶体管 详细规范 Semiconductro discrete devices Detail specification for type 3DA522 silicon microwave pulse power transistor 2008-01-24发布 2008-02-01实施 中华人民共和国信息产业部批准 SJ50033/175-2007 前言 本规范是GB33A-1997《半导体分立器件总规范》的相关详细规范. 本规范由信息产业部电子第四研究所归口. 本规范起草单位：信息产业部电子第四研究所. 本规范主要起草人：曹赞. I SJ50033/175-2007 半导体分立器件 3DA522型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 1范围 本规范规定了3DA522型硅微波脉冲功率晶体管（以下简称器件）的详细要求.按GJB33A-1997中1.3 的规定，提供的质量保证等级为普军级、特军级和超特军级，分别用字母JP、JT和JCT表示. 2规范性引用文件 下列文件中的有关条款通过引用而成为本规范的条款.凡注日期或版次的引用文件，其后的任何修 改单（不包括勘误的内容）或修订版本都不适用本规范，但提倡使用本规范的各方探讨使用其最新版本 的可能性.凡不注日期或版次的引用文件，其最新版本适用于本规范. GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T7581半导体分立器件外形尺寸 GJB33A-1997 半导体分立器件总规范 GJB128A-1997半导体分立器件试验方法 3要求 3.1总则 器件应符合本规范和GJB33A-1997规定的要求.本规范的要求与总规范不一致时，应以本规范 为准. 3.2设计、结构和外形尺寸 3.2.1引出端材料和镀涂层 发射极和集电极引出端材料为可伐合金带，基极引出端为钨铜，引出端表面镀金. 3.2.2器件结构 本器件是采用硅外延平面结构的NPN型晶体管，具有阻抗匹配网络，用金属陶瓷外壳气密封装. 3.2.3外形尺寸 外形尺寸应按GB/T7581及图1的规定. 3.3最大额定值和主要电特性 3.3.1最大额定值 圾大额定值见表1. 3.3.2电特性(TA=25℃) 电特性见表2. 3.4测试要求 测试应符合GJB33A-1997及本规范的规定. 1 ...
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