ICS31.080 L53 备案号：52039-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2658.12—2015 代替SJ/T2658.12—1986 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽 Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode -Part 12:Peak-emission wavelength and spectral radiant bandwidth 2015-10-10发布 2016-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T2658.122015 前言 SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分： —第1部分：总则； —第2部分：正向电压： —第3部分：反向电压和反向电流： 第4部分：总电容； 第5部分：串联电阻 第6部分：辐射功率 第7部分：辐射通量： RY AND 第8部分：A辐射强度 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角； INFORMATION —第10部分调制带宽： —第11部分：响应时间 —第12部分峰值发射波长和光谱辐射带宽； ——第13部分：辐射功率温度系数 —第14部分：结温； ——第15部分：热阻； J TECHNOL ——第16部分：光电转换效净 本部分为SJ/2658的第12部分 本部分按照GB11-一2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》 给出的规则起草. 本部分代替SJ/2658.12一1986《半导体红外发光二极管测试方法峰值波长和光谱半宽度的测试 方法》，除编辑性修改外主要技术变化如下： —修改了峰值发射波长和光谱辐射带宽的测量原理图（见图） —细化了峰值发射波长和光谱辐射带宽的测量步骤（见5.2 补充了峰值发射波长和光谱辐射带宽测量方法的规定条件（见5.3）. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口. 本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院. 本部分主要起草人：张戈、赵英. 本部分所代替标准的历次版本发布情况为： SJ/T2658.12—1986. SJ/T2658.122015 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽 1范围 本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）峰值发射波长和光谱辐射带宽的测量原理图、 测量步骤以及规定条件. 本部分适用于半导体红外发射二极 2规范性引用文件 STRY INFORMATI 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件. 凡是不注日期的引用文件其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. SJ/T2658. 半导休红外发射二 管测量方法第1部分：总则 3术语和定义 5J ● 下列术语和定义适用于本文件， TECHNON 3.1 峰值发射波长peak-emission wavelength 在规定的正向工电流下，器件的光谱辐射分布曲线上最大辐射功率所对应的波长. 3.2 光谱辐射带宽spectral radiant bandwidth 在规定的正向工作电流下，器件的光谱辐射分布曲线上最大辐射功率的规定百分比所对应的两个波 长之差. NDA 4一般要求 测量峰值发射波长和光谱辐射带宽的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定. 5测量方法 5.1方法I—单色仪法 5.1.1测量原理图 采用单色仪法测量峰值发射波长和光谱...
SJ/T 2658.12-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽.pdf
