ICS31.080.10 L41 中华人民共和国国家标准 GB/T6589-2002/IEC60747-3-2:1986 0C750005 代替GB/T6589一1986 半导体器件 分立器件 第3-2部分：信号（包括开关）和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管 (不包括温度补偿精密基准二极管) 空白详细规范 Semiconductor Devices--Discrete devices— Part 3-2:Signal (including switching)and regulator diodes- Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes (excluding temperature-pensated precision reference diodes) (IEC60747-3-2:1986 IDT) 2002-12-04发布 2003-05-01实施 中华人民共和国 国家质量监督检验检疫总局 发布 GB/T6589—2002/IEC60747-3-2:1986 前言 GB/T6589是等同采用IEC60747-3-2:1986(QC750005)《电压调整和电压基准二极管（不包括温 度补偿精密基准二极管)空白详细规范》（英文版）. 本部分代替GB/T6589一1986《电压调整和电压基准二极管（包括温度补偿精密基准二极管）空白 详细规范》. 本部分与GB/T6589一1986的主要差别是： 1)本部分适用范围不包括温度补偿精密基准二极管. 2)在标准文本前面增加了前言. 3)因引用的标准更改而修订的地方有： 一全文中涉及到“总规范”处由GB/T4936.1一1985《半导体分立器件总规范》，改为 1EC60747-10:1991《半导体器件第10部分分立器件和集成电路总规范》； 一—第7章中要求的筛选顺序由按GB/T4936.1--1985《半导体分立器件总规范》，改为按 ! GB/T12560一1999《半导体器件分立器件分规范》； 一一第8章中测试方法由按GB/T4936.1一1985《半导体分立器件总规范》，改为按GB/T12560一1999 《半导体器件分立器件分规范》； 一一第8章中抽样要求由按GB/T4936.1一1985《半导体分立器件总规范》，改为按GB/T12560一1999 《半导体器件分立器件分规范》； 一B8、C8分组中电耐久性由按GB/T4938一1985《半导体分立器件接收和可靠性》，改为按 GB/T6571-一1995《半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》； —B3、B4、B5分组和C3、C4分组试验由按GB/T4937一1985《半导体分立器件机械和气候试验 方法》，改为按GB/T4937一1995《半导体器件机械和气候试验方法》； 一-B5分组中交变湿热由按GB/T2423.4一1981《电工电子产品基本环境试验规程试验Db:交 变湿热试验方法》，改为按GB/T4937一1995《半导体器件机械和气候试验方法》. 4)取消了4.5.1和4.5.2的符号Inx. 5)根据GB/T6571一1995对1个电参数名称进行了修改： 一原版4.5中“最大反向恒定（直流）电流”改为“最大反向直流电流”. 6)5.8中“最大等效噪声电压”改为“最大噪声电压”. 7)第7章中要求的筛选顺序原为GB4936.1的3.6.2，本版为GB/T12560的3.7. ...
GB/T 6589-2002 半导体器件 分立器件 第3-2部分 信号（包括开关）和调整二极管电压调整二极管和电压基准二极管（不包括温度补偿精密基准二极管）空白详细规范.pdf
