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碳化硅衬底激光剥离设备
Laser slicing equipment for SiC substrate
浙江省企业技术创新协会 发布
目次
前1范围... 言2规范性引用文件3术语和定义.4工作条件.5技术要求 6试验方法.7检验规则 58标志、包装、运输和贮存
前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.
本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由浙江省企业技术创新协会提出并归口.
本文件主要起草单位：西湖仪器（杭州）技术有限公司.
本文件参与起草单位：西湖大学、西湖大学光电研究院、北京天科合达半导体股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、浙江材孜科技有限公司、河北同光半导体股份有限公司.
本文件主要起草人：仇曼、刘东立、俞小英、朱佳凯、刘峰江、陈文轩、刘春俊、魏汝省、王明华、崔景光.
碳化硅衬底激光剥离设备
1范围
本文件规定了碳化硅衬底激光剥离设备的术语和定义、工作条件、技术要求、试验方法、检验规则、标志、标签、包装、运输和贮存.
本文件适用于碳化硅衬底激光剥离设备的生产和检验.
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款，其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件.
GB 2894 安全标志及其使用导则GB/T 4208 外壳防护等级（IP代码）GB/T 5226.1 机械电气安全机械电气设备第1部分：通用技术条件GB/T 6388 运输包装收发货标志GB/T 7247.1 激光产品的安全第1部分：设备分类、要求GB/T 7932 气动对系统及其元件的一般规则和安全要求GB/T 10320 激光设备和设施的电气安全GB/T 13306GB/T 13384 机电产品包装通用技术条件GB/T 18490.1 机械安全激光加工机第1部分：通用安全要求GB/T 24342 工业机械电气设备保护接地电路连续性试验规范
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件.
3.1
激光剥离lascr slicing
将光子能量低于材料禁带宽度的激光聚焦到晶体材料表面以下一定深度，在晶体材料内部进行激光扫描，通过多光子过程形成多道改质层，以改质层为基础产生沿晶体解理面延展的裂纹，使裂纹在晶体的整个面内连接，并在外力作用下将晶圆从晶体上剥离.
3.2
碳化硅衬底激光剥离设备laser slicing cquipment for SiC substrate采用激光剥离技术，将碳化硅衬底从晶锭上剥离的设备.
3.3激光扫描laser scanning激光光斑依次扫过样品需要加工的部位，使被扫区域发生材料改性，形成改质层.
4工作条件
4.1电源
供电电源：220V，4kW，20A三脚扁插头（单相），供电频率：50Hz.
4.2环境温度环境温度：22℃±2℃.
4.3湿度湿度：55±10%RH.
4.4空气洁净度要求空气洁净度：ISO Class 4.
4.5气源要求源：0.5MPa~0.7MPa，150L/min
5技术要求
5.1外观要求
5.1.1产品外观应整洁，表面不应有划伤、裂纹、毛刺，表面涂层不应起泡、龟裂、脱落.5.1.2开关、按键和旋钮的控制、调节应准确，灵敏和可靠.零部件应紧固无松动，结构上应有足够的机械稳定性.5.1.3各种功能应正常工作，说明功能的文字和图形应正确清断.使用说明书应能指导用户正确使用和维护.
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