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AMC在洁净室中的监测与控制 工市

胡亚南

(美埃(中国)环境净化有限公司,江苏南京211111)

摘要:近年来科学技术的不新发展,半导体工艺得以全面升组发展,使得活净室控制质量的要求越来起等刻.由子AMC在生产遵程中针对不同制程均会产生不良的影响,使得成品质量受到严重的影响,如何针对AMC进行监测与控制 就成为当谊应需解决的重要课题.

美键词:活净实:AMC:监别:控制doi :10. 3969/j. issm. 1006 8554. 2017. 11. 127

0引言

2洁净室AMC控制分析

1)洁净室内部的洁净空气是通过新风装置所获取,而这些可以尝试在增能方面架高排气装置,保障各种排放废气能够进行更为御底的扩散,新风采风口与排放装置应当尽可能远离,以此来提升新风的洁净度.

还包括任何有干扰作用的固体、液体、气体、热、电磁.大部新风则是通过外气所获取,外气当中会包含SO、NO.但半导 在洁净室技术中,污染不仅包括严格意义上灰尘的微粒,颗粒类型,只需要HEPA/ULPA过滤器就能够进行有效地过然排气装置已经针对各种废气进行有效地处理,虽然处理的效 分洁净室均会尽可能控制各种悬浮微粒污染,由于微粒属于大体工厂所生成的废气,往往会对新风造成不良影响.所以,虽键.越来越多的学者提出,洁净室空气中的悬浮分子污染物果也能达到90%以上,但仍存在度气,与此同时,因为产能致命缺陷.因此,如何监测并控制洁净室中的AMC就或为当 (AMC)会对不同制程产生不良的影响,甚至所引发产品存在的持续提升,使诸多动力设备的持续增加,所以在设计的时候,前研究的重要内容.

1洁净室AMC监测

2)当外气进入到新风装置以后,针对新风进行处理优化.一般来说,直接检测技术主要是利用自动监测设备来实当中水喷淋装置能够直接溶解外气中部分能够溶于水的酸碱择性的吸附气体.要想实现对甲蓝、氨气等相关气体的吸附处 理,则应当针对吸附剂实施化学处理,化学吸附通常是不可再生的,必须要进行定期更换处理.

1.1直接监测技术

现,通过设备及时量示洁净室AMC的变化情况.当前,NH、物质.通过提升喷薄装置流量,能够提升溶解效率,全面提升 NO、H SSO:都是当前使用较为普遗的气体,主要蓝测原理水质的洁净度,璇免二次污染的现象.化学过滤器本身是有选为电化学传感器、离子迁移谱、光离子化检测器、化学发光等.

如利用化学发光法,利用NO(一氧化氮)与O,化学反应的发光现象检测NO,的浓度是一种先进方法.其化学发光机理可用下述反应式表示;

光刻地区),往往十分容易受到AMC干找,洁净室还需要实施 3)当新风进人到洁净室内部以后,在部分特殊的地区(如原有FFU上增加 cemcal flher,能够量著提升净化的效果. 独立回风控制处理.一般来说,可以选择微正压处理,通过在

(1)

(2)

反应化学发光和NO浓度成正比,具体的化学发光强度1能够表示为:

4)对于员工操作来说,应尽可能防止化学品泄露现象.针对新的建筑材料、新设备来说,净化服应当采用AMC散发量较 小的材料制作,新设备刚刚进人的时候,应当把净化间静压提高,加速AMC的挥发.

(3)

1=u

公式中C指的是NO浓度,u则指的是1个与化学反应二氧化氮效率相关的系统参量,在系统处在稳定工作的状态下,可以视作常数.

3结语

1.2间接蓝测技术

近年来,率导体副程技术的全面发展,芯片线宽全面进入到纳米级别,洁净室对于AMC的控制变得越来越苛刻.因此,针对洁净室AMC监测与控制至关重要,这就需要深人分析 AMC的来源及危害,综合利用多项技术,针对AMC进行及时环风、化学过滤器、物理过滤器,针对整个洁净室的环境进行全 的监测,全面掌控洁净室AMC的实际情况.综合利用新风、循面的控制,尽可能减少AMC所造成的不良影响,全面保障半导体生产的效率与质量.

1)表面分析技术.把需要测试的样片放置到半导体洁净室中,AMC能够在样品表面位置产生分子或者原子层级的沉 积膜,然后通过表面分析技术,针对AMC进行分析.

质量传感器与表面声波传感器.两种传感器分别利用不同的 2)压电品体传感器.压电品体传感器主要包含石英晶体物质来获取AMC情况.

1.3采祥分析技术

所谓采样分析法,指的是在洁净室现场进行采样,并在实验室进行分析的测试方案.其体来说,应当根据实际情况选择对应的方案.比如,针对挥发性有机气体,通常选择不锈钢桶 进行采样处理,采用气相色谱/质谱GC/MS进行分析:针对无[2]张华延,其蔚兰,向灵均.CFD在电子洁净室节然设计中机成分,则需要选择落液吸收进行采样处理,采用电感耦合等离子体质浩(ICP/MS)与离子色谱(IC)进行组合分析.

参考文献:

[1]费佚.新型过氧乙酸票芽稳剂在制药活净室中的应用[J].中调药事 2015 29(4) :446 449.的息用[J],朝冷与空调,2013 27(6):565-568.

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