中华人民共和国国家标准
GB/T 14140-2025代替 GB/T 14140-2009 GB/T 30866-2014
半导体晶片直径测试方法
Testmethod for measuring diameter of semiconductor wafer
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布
snc
前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.
试方法》，本文件以GB/T14140-2009为主，整合了GB/T30866-2014的内容.与GB/T14140- 本文件代替GB/T14140-2009《硅片直径测量方法》和GB/T30866-2014《碳化硅单晶片直径测2009相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：
a）删除了光学投影法（见GB/T141402009的方法1）；b）更改了范围（见第1章，GB/T14140-2009的第1章、第13章）；c）更改了术语和定义（见第3章，GB/T14140-2009的第15章）； d）增加了轮廓仪法（见第4章）；e）更改了千分尺法的方法原理（见5.1.GB/T14140-2009的第16章）；f）增加了千分尺法测试时测微螺杆变形的干抗因素（见5.2.5）；h）更改了千分尺法的精密度（见5.8，GB/T14140-2009的第23章）； g）更改了千分尺法的直径测试位置（见5.6.1，GB/T14140-2009的20.2）；i）更改了千分尺法的试验报告（见5.9，GB/T141402009的第24章）；j）增加了游标卡尺法（见第6章）.
请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口.
本文件起草单位：麦斯克电子材料股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、山东有研艾斯半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、上海新昇半导体科技有限公司、湖州东尼半导体科技有限公司、浙江晶盛机限公司、深圳德芯微电股份有限公司、浙江材孜科技有限公司、河南省惠丰金刚石有限公司、杭州朗迅科技股份有限公司、杭州芯云半导体集团有限公司.
本文件主要起草人：田素霞、陈卫群、李素青、张亮、邵奇、郭可、朱晓彤、王江华、饶伟星、张海英、冯天、晏阳、曹建伟、刘薇、肖燕青、冯黎明、王明华、王志强、徐振、李志凯、丁盛峰.
本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为：
-1993年首次发布为 GB/T 14140.1-1993和 GB/T14140.2-1993；2009年第一次修订时合并为GB/T14140-2009：
一本次为第二次修订，并人了GB/T30866-2014《碳化硅单晶片直径测试方法》的内容.
半导体晶片直径测试方法
1范围
本文件描述了用轮廊仪法、千分尺法和游标卡尺法测试半导体晶片直径的方法.
于测试晶片的不圆度. 本文件适用于圆形半导体晶片直径的测试，测试范围为标称直径不大于300mm，本文件不适用
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件.
GB/T14264半导体材料术语
3术语和定义
GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件.
4轮廓仪法
4.1方法原理
将被测晶片放在平坦、洁净的吸盘或晶片边缘夹持装置上，沿规定的图形在两个相对探头之间运动.探头对晶片表面进行扫描，照在晶片边缘测试点及切口位置，获得经过中心点直线上边缘每点的数据.计算一系列成对边缘位置点的距离，得出晶片的直径.
4.2干扰因素
4.2.1晶片活净度可能会对扫描结果产生干扰，对测试结果有影响.4.2.2晶片边缘波纹或参差不齐等对测试结果有影响，4.2.3设备校准不准确，会引入测试结果的偏差. 4.2.4设备的定位精度会影响测试位置，从面影响采样点的位置，可能导致测试结果错误.4.2.5测试设备的参数设置不同对测试结果有影响.
4.3试验条件
测试应在下列环境中进行， a）温度：23℃士5℃.b）相对湿度：（50士20）%.
4.4仪器设备
4.4.1边缘轮廊测试仪，应包含以下部件.
