中华人民共和国国家标准
GB/T 18802.321-2007/IEC61643-321:2001
低压电涌保护器元件 第321部分：雪崩击穿二极管（ABD）规范
Components for low-voltage surge protective devicesPart 321:Specifications for avalanche breakdown diode(ABD)
(IEC 61643-321:2001 IDT)
中国国家标准化管理委员会 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布
目次
前言1范围 2规范性引用文件3术语、定义和符号4雪崩击穿二极管的基本结构和说明5工作条件7故障和失效模式 6标准试验方法和程序
图1单向雪崩击穿二极管的结构、偏置状态和V-I特性图2钳位电压Vc、峰值脉冲电流Irr和额定正向电酒电流Isu的测试电路 图3最大工作电压Vwm，待机电流1和最高工作电压有效值Vw的测试电路图4（雪崩）击穿电压V的测试电路图5正向电酒电压V的测试电路图6雪扇击穿二极管的降额曲线图7过冲电压、响应时间、过冲持续时间图示曲线 图8脉冲电流波形
前言
GB/T18802《低压电涵保护器（SPD）》系列标准的结构和名称预计如下：
低压配电系统用电漏保护器（SPD）第1部分：性能要求和试验方法（GB18802.1-2002/IEC 61643-1:1998);台（） 一低压电涌保护器第21部分：电信和信号网络用低压电淄保护器（SPD）-性能要求和试验方法（GB/T18802.21-2004/IEC 61643-21;2000);低压电涌保护器第22部分：电信和信号网络用低压电涌保护器（SPD）--选择和使用低压电涌保护器元件第311部分：气体放电管（GDT）规范； 右低压电涌保护器元件第321部分：雪前击穿二极管（ABD）规范（GB/T18802.321-2007/IEC 61643-321:2001);低压电涌保护器元件第331部分：压敏电阻（MOV）规范；低压电涌保护器元件第341部分：电涌抑制晶闸管（TSS）规范.
本部分等同采用IEC61643-321：2001《低压电酒保护器器件雪前击穿二极管规范3.在技术内容和文本结构上与IEC61643-321：2001相同.
IEC61643-321：2001规范性引用文件中所列标准虽然有些部分已被转化为我国国家标准，但转化程度复杂，不便引用，所以本部分仍使用了IEC标准.
为方便使用，本部分做了以下编辑性修改：
a）用小数点“.'代替作为小数点的逗号“，；
b）副除国际标准的前言.
本部分由中国电器工业协会提出.
本部分起草单位：西安电瓷研究所、西安电力电子研究所.
本部分主要起草人：桑建平，秦贤满，祝嘉喜，邵晓萍.
第321部分：雪崩击穿二极管（ABD）规范 低压电涌保护器元件
1范围
本部分适用于电涌保护器元件（简称SPDC）的需崩击穿二极管（ABD）.设计和制造的电涌保护器与低压配电系统、输电系统、通信网络系统相连.
本部分中的试验规范适用于单个两端ABD.可将多个ABD封装在一个管壳内作为单个二极管部件，这个部件中的每个二极管都可按本部分进行试验.
设计的ABD的额定值和特性值. 本部分包含了一系列用于ABD电性能的测试方法.本部分的测试方法用于验证或别量特定封装
2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款，凡是注日期的引用文件，其随后是否可使用这些文件的最新版本，凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分.
IEC60068环境试验（部分）IEC60364建筑物电气装置（部分）IEC60364-3：1993建筑物电气装置第3部分：总体特性评估 IEC60721环境条件分类（部分）IEC60747-2：2000半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管IEC60749：1996半导体器件机械和气候试验方法
3术语、定义和符号
下列术语、定义和文字符号适用于本部分：注：本章定义适用于SPDC的ABD，它具有对称的和不对称的电压一电流（V-I）特性，本章定文针对单向器件而言
（见图1），如果考虑双向ABD，第三象限的有关定义则适用于在V-I特性曲线的两个方向.
3. 1
雷岗击穿二极管avalanche breakdown diode;ABD
用于抑制瞬态电压和分流电涌电流的器件，也可以是由多个器件封装面成的具有一个公共端子的两端二极管.
3.2
钳位电压clampingvoltage
Ve
施加规定波形的峰值脉冲电流Iw时，ABD两端测得的蜂值电压.
注：由于发热、反作用力或其他影响，峰值电压和峰值脉冲电流不必在时间上位置重合，也用Va表示，
3.3
额定峰值脉冲电流ratedpeakimpulse current
Iy
可施加的不引起二极管失效的峰值脉冲电流I的额定最大值.
注：除另有规定外，用于二极管特性的冲击皱形为10/1000μs.
最高工作电压maximum workingvoltage
最高工作电压有效值Vwu表示. 可连续施加面不引起ABD劣化或损坏的最高工作峰值电压或直流峰值电压，对于交流电压，用
注：也用V（额定量大值）表示，也称为额定截止电压.
3.5特机电流stand-bycurrent在规定温度和最高工作电压条件下，流过ABD的最大电流.注：对于反向漏电流，也用In表示.
V-I特性曲线上，在规定的脉冲直流电流I（或Im）或接近发生雪扇的电流条件下，ABD两端测得的电压.
3.7电容capacitance在规定频率和偏压条件下，测得的ABD两端的电容.注：也用C表示，
3. 8额定峰值脉冲功率ratedpeakimpulse powerdissipationPrm （额定）峰值脉冲功率是额定峰值脉冲电流Im和钳位电压Vc的乘积.Perm= Iu × Vc注：也用P，表示.
3.9I 额定正向电涌电流ratedforward surgecurrent不使器件失效的8.3ms或10ms正弦半波的最大峰值电流.（本定义仅适用于单向ABD）
正向电涌电压forward surge voltage
在规定的正向电涌电流Is条件下，ABD两端测得的峰值电压，（本定义仅适用于单向ABD）注：也用V，表示.
3. 11击穿电压温度系数temperature coefficientofbreakdownvoltage注：表示为毫伏每开尔文或百分率每开尔文（mV/K或%/K）. 击穿电压V变化量与温度变化量之比.
