中华人民共和国国家标准
GB/T 29056-2025代替GB/T 29056-2012
Determination of impurity content in trichlorosilane for silicon epitaxyInductively coupled plasma mass spectrometry
国家标准化管理委员会 国家市场监督管理总局 发布
snc
前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.
镍、铜、钼、砷和锐量的测定电感耦合等离子体质谱法》，与GB/T29056一2012相比，除结构调整和编 本文件代替GB/T29056一2012《硅外延用三氯氢硅化学分析方法硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钻、辑性改动外，主要技术变化如下：
a）增加了锂、钠等元素的测定，更改了测定范围（见第1章，2012年版的第1章）；b）更改了方法原理（见第4章，2012年版的第2章）：c）增加了干扰因素（见第5章）； d）增加了试验条件（见第6章）；e）更改了试剂和材料（见第7章，2012年版的第3章）；f）更改了仅器设备（见8.1，2012年版的第4章）；g）增加了分析天平、电加热板、器Ⅲ等要求（见8.2~8.8）；h）增加了样品采样的要求（见第9章）： i）删除了分析步骤中的安全措施（见2012年版的5.1）；j）增加了仪器准备（见10.1）；k）更改了试料、平行试验、标准溶液的配制和测定步骤（见10.2、10.3、10.5、10.7.2012年版的5.2、5.3、5.5、5.6) ;1）更改了精密度要求（见第11章，2012年版的第7章）； m）删除了质量保证与控制（见2012年版的第8章）：n）更改了试验报告（见第12章，2012年版的第9章）.
请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口. 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准
本文件起草单位：洛阳中硅高科技有限公司、江苏鑫华半导体科技股份有限公司、四川永祥新能源有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、亚洲硅业（青海）股份有限公司、青海南玻新能源科技有限公司、青海丽豪清能股份有限公司、新疆新特新能材料检测中心有限公司、湖北江瀚新材料股份有限公司.
本文件主要起草人：万烨、郭树虎、刘见华、曹俊英、赵培芝、吴作木、宋丹、王春明、魏东亮、李强、冉祎、康俊勤、甘俊、汤艳.
本文件于2012年首次发布，本次为第一次修订.
硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
警示一一使用本文件的人员应有正规实验室工作的实践经验.本文件并未指出可能的安全问题，使用者有责任采取适当的安全和健康措施，并保证符合国家有关法规规定的条件.
1范围
钼、砷、铅等元素的电感耦合等离子体质谱仪测定方法.
本文件适用于硅外延用三氯氢硅中杂质元素含量的测定，各元素测定范围见表1.
表1各元素测定范围
测定范围元素 ng/g锂 01~[0°0确 01~[0°0钠 0I~[0°0镁 01~[0°0铝 0 01~10钾 0 01 ~10钙 0I~[0°0磷 钛 0I~[0°0 01~[0°00 005~10铬 0I~[0°0锰 0 01~10铁 01~[0°0钻 0 005~10镍 0I~[0°00 01~10锌 01~[0°00 005 ~10 01~[0°001~[0°00I~[0°0
