中华人民共和国国家标准
GB/T47080-2026
金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法
Test method for dislocation density of diamond single crystal polished wafer
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布
前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.
请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口. 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准
本文件起草单位：中国科学院半导体研究所、德州学院、成都中科米格检测技术有限公司、中国石油集团工程材料研究院有限公司、河南碳真芯材科技有限公司、吉林大学、安徽光智科技有限公司、山东大学、嘉兴沃尔德金刚石工具有限公司、北京大学东莞光电研究院、浙江先导微电子科技有限公司、北京 特思迪半导体设备有限公司、宁波晶钻科技股份有限公司、河南省惠丰金刚石有限公司、哈工大郑州研究院、南京同深晶体材料研究院有限公司、湖北碳六科技有限公司、南京瑞为新材料科技有限公司、成都市玖展科技有限公司、佳睿福钻石（河南）有限公司.
本文件主要起草人：霍晓迪、曹繁秋、郑红军、王希玮、闫方亮、王少龙、屈鹏罪、王镇、金鹏、李红东、朱嘉琦、欧琳芳、陈继锋、王琦、于金风、蒋继乐、张娟涛、张军安、王志强、李一村、李东振、吕继磊、徐良伟、 黄亮、冯参军、赵继文.
金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法
1范围
本文件描述了用干法刻蚀结合显微计数测试立方金刚石单晶抛光片位错密度的方法.
本文件适用于{100）、（110}或{111）晶面立方金刚石单晶抛光片位错密度范围为5×10个/cm²~5×10个/cm²的测试.
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件.
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3术语和定义
GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件.
4原理
当用特定等离子体刻蚀金刚石单晶时，在单晶表面的位错线露头处刻蚀速度较快，进而形成具有特定形状的刻蚀坑.在显微镜下观察并按一定规则统计这些具有特定形状的刻蚀坑，单位视场面积内的刻蚀坑个数即为位错密度，mc
5干扰因素
5.1刻蚀过程中，等离子体组成、样品表面温度和刻蚀时间会影响刻蚀效果，对测试结果产生影响.5.3人工统计刻蚀坑个数会产生误差. 5.2样品表面划痕、过大的表面租糙度会影响刻蚀效果，对测试结果产生影响.
6试剂
6.1去离子水或蒸馏水：三级水，符合GB/T6682的要求.
