中华人民共和国国家标准
GB/T 11499-2001
Letter symbols for discrete semiconductor devices
中华人民共和国 国家质量监督检验检疫总局
发布
目 次
前言1范围2总则3整流二极管 4信号二极管（包括开关二极管）和调整二 极管 105射频二极管 136光电子器件 197间流品体管 249绝缘栅双极品体管（IGBT） 8双极品体管 2810场效应品体管11其他半导体器件
前 言
本标准参照了下列国际标准的有关文字符号的内容，对GB/T11499-1989进行修订：IEC60747半导体器件分立器件和集成电路IEC60747-1:1983第1部分总则 IEC60747-1:1991第一次补充IEC60747-1:1993第二次补充IEC60747-1:1996第三次补充IEC60747-2：2000第2部分整流二极管IEC60747-3：1985第3部分信号二极管（包括开关二极管）和调整二极管 IEC60747-3：1991第一次补充IEC60747-3：1993第二次补充IEC60747-4:1991第4部分微波器件IEC60747-4:1993第一次补充IEC60747-4：1999第二次补充 IEC60747-5：1992第5部分光电子器件IEC60747-5：1994第一次补充IEC60747-5：1995第二次补充IEC 60747-6：1983第6部分闸流品体管 IEC60747-6：1991第-次补充IEC60747-6：1994第二次补充IEC60747-7：1988第7部分双极晶体管IEC60747-7：1991第一次补充IEC60747-7：1994第二次补充 IEC60747-8：1984第8部分场效应品体管IEC60747-8：1991第一次补充IEC60747-8：1993第二次补充IEC60747-9：1998第9部分绝缘栅双极晶体管
原标准全文中”功率耗散”都改为”耗散功率”；修改了原标准中"2.1.1.2大写基本字母”；一修改了原标准中"2.1.3电流、电压和功率文字符号规则汇总表”；修改了原标准中"2.3其他量的文字符号”； 修改了原标准中"2.4其他参数”中的部分内容：一副除了原标准中“6.2.2.2其他”中的部分内容：一补充了"2.1.5电流、电压极性标记”；补充了"6.1.1开关时间”； 一补充了"2.5用分贝（dB）表示的以对数形式为单位的信号比的文字符号”；补充了“第9章绝缘栅双极品体管”.
本标准自实施之日起，代替GB/T11499-1989《半导体分立器件文字符号》. 本标准由中华人民共和国信息产业部提出.本标准由全国半导体分立器件标准化分技术委员会归口.本标准由河北半导体研究所负责修订.本标准主要起草人：崔波、顾振球、陈海蓉.本标准首次发布时间：1989年3月31日.
中华人民共和国国家标准
半导体分立器件文字符号
Letter symbols for diserete semiconductor devices
1范围
本标准规定了半导体分立器件主要的文字符号.本标准适用于编写半导体分立器件有关标准和有关技术资料.
2总则
2.1电流、电压和电功率的文字符号
2.1.1基本字母推荐的基本字母有：Ii电流Uu或V，v-电压P.p功率
2.1.1.2小写基本字母的使用小写基本字母用来表示量的周期性波形的瞬态值.
2.1.2下标
2.1.2.1推荐的通用下标 第一下标：F，f--正向n-噪声R，r反向其他下标：（AV） 平均值（BR)-击穿（D)-直接 (er)，er-临界M(MAX) m (max) 相对于时间的最大（峰）值MIN，min相对于时间的最小（峰）值
