团体 标 准
T/ZZB3936-2025
中高压绝缘栅双极型晶体管（IGBT）驱动器
Medium to high voltage insulated-gate bipolar transistor （IGBT) driver
浙江省质量协会发布
DEFINED QUALITY
目次
2规范性引用文件 范围3术语和定义4缩略语5工作条件，6基本要求，7技术要求，8试验方法...9检验规则.10标志、包装、运输、贮存11质量承诺，
前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.
请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由浙江省质量协会归口.
本文件主要起草单位：杭州飞仕得科技股份有限公司.
本文件参与起草单位：杭州飞仕得半导体科技有限公司、杭州飞仕得芯动科技有限公司、浙江省质量科学研究院.
本文件主要起草人：李军、王文广、陈哲、钱方平、刘晓明、洪磊、张杰、江丰裕.
本文件评审专家组长：陈萍.
中高压绝缘栅双极型晶体管（IGBT）驱动器
1范围
本文件规定了中高压绝缘栅双极型晶体管（IGBT）驱动器的工作条件、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及质量承诺.
栅双极型晶体管驱动器（以下简称“驱动器”）. 本文件适用于新能源、工业控制等领域应用的1200V、1700V、3300V、4500V和6500V电压等级绝缘
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用面构成本文件必不可少的条款，其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件.
GB/T191包装储运图示标志
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flammability of plastic materials for parts in devices and appliances)
