中华人民共和国国家标准
GB/T 30856-2025代替GB/T30856-2014
LED外延芯片用砷化镓衬底
GaAs substrates for LED epitaxial chips
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布
前言
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.
本文件代替GB/T30856-2014（1ED外延芯片用砷化衬底3，与GB/T30856-2014相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：
a）更改了规格（见4.1.2.2014年版的4.3）；b）更改了电学性能的要求（见5.1，2014年版的4.4）；c）更改了参考面及切口的要求（见5.2.2014年版的4.4）；e）更改了位错密度的要求（见5.4 2014年版的4.6）： d）更改了表面晶向及晶向偏离的要求（见5.3，2014年版的4.5）：）更 更改了儿何尺寸的要求（见5.5，2014年版的4.9）；g）更改了表面质量的要求（见5.6，2014年版的4.7）；h）更改了电学性能的检验方法（见5.2.2014年版的4.8）：j）更改了检验规则（见第7章，2014年版的第6章）： i）更改了切口的检验方法（见6.2.3，2014年版的5.5.2）；k）更改了标志（见8.1.2014年版的7.1）：1）更改了包装（见8.2.2014年版的7.2）；m）删除了使用方块电阻测量仅测量衬底电阻率的方法和衬底室温载流子浓度与迁移率的测量方
法（见2014年版的附录A和附录B）.
请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口.
本文件起草单位：南京集溢半导体科技有限公司、中山德华芯片技术有限公司、广东先导微电子科技有限公司、全磊光电股份有限公司、山东浪潮华光光电子股份有限公司、云南鑫耀半导体材料有限公 司、北京大学东莞光电研究院、中国科学院半导体研究所、大庆溢泰半导体材料有限公司、易事达光电（广东）股份有限公司、深圳市冠科科技有限公司、广东中阳光电科技有限公司.
本文件主要起草人：赵中阳、郑红军、冯佳峰、于会永、刘建庆、孙雪峰、张双翔、闫宝华、林作亮、刘强、马金峰、赵有文、赵春锋、彭璐、徐宝洲、兰庆、陈皇.
本文件于2014年首次发布，本次为第一次修订.
LED外延芯片用砷化衬底
1范围
本文件规定了LED外延芯片用砷化单晶衬底（以下简称"砷化衬底”）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容.
本文件适用于LED外延芯片用砷化单晶衬底的生产、检测及质量评价.
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件.
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3术语和定义
GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件.
4分类和牌号
4.1分类
4.1.2砷化嫁衬底按直径分为50.8mm、76.2mm、100.0mm、150.0mm、200.0mm五种规格. 4.1.1砷化嫁衬底按导电类型分为n型和p型.
