中华人民共和国国家标准
GB/T 33657-2017
Nanotechnologies--Electrical operating parameter testspecification of wafer level nano-scale phase change memory cells
中国国家标准化管理委员会 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布
目 次
前言引言 IV1范围2规范性引用文件3术语和定义4测试仪器和设备5测试样本结构6测试参数的选择 测试流程测试报告8 附录A（资料性附录） 相变存储单元测试系统的构建附录B（资料性附录）相变存储单元的初始化方法
前言
本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草.请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任.本标准由中国科学院提出.本标准由全国纳米技术标准化技术委员会（SAC/TC279）归口. 本标准起草单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所.本标准主要起草人：陈一峰、陈小刚、宋志棠
引言
低阻的多晶态间进行高速可逆的结构变化，变化前后的电阻差别可达10倍以上，从而实现数据存储的功能.
规范准确的提取，它们不仅可以有效评估由相变存储单元构成的相变存储器的若干性能指标，还将为 相变存储单元的电学操作参数包括写操作参数以及擦操作参数.这些参数可以通过本标准的测试相变存储器的驱动电路、读出电路以及存储阵列的设计提供依据.
相变存储单元可使用的相变材料种类繁多，可实现的器件结构也不唯一，本标准的测试规范可以供有效的手段. 为不同相变材料、不同相变单元器件结构的性能表征以及相变存储器量产过程中工艺稳定性的监控提
由于操作电流和相变存储单元的电极尺寸关系密切，过大的电极尺寸会导致操作电流和功耗激增，相应的电学操作参数测试规范也可能超出本标准规定的范围.具体到本标准，我们制定适用于存储器的电极尺度小于100nm的相变存储单元，100nm~300nm的相变存储单元也可参照本标准执行.
纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储 单元电学操作参数测试规范
1范围
本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范，其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能.
本标准适用于以硫系化合物为主要原料，基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100nm的相变存储单元，100nm~300nm的相变存储单元也可参照本标准执行.
本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元.
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件.凡是不注日期的引用文件其最新版本（包括的修改单）适用于本文件.
1:2001 IDT) GB4793.1-2007测量、控制和实验室用电气设备的安全要求第1部分：通用要求（IEC61010-
GB/T9178集成电路术语GB/T11464电子测量仪器术语GB/T13970数字仪表基本参数术语GB/T13978数字多用表
3术语和定义
文件. GB/T9178、GB/T11464、GB/T13970和GB/T13978界定的以及下列术语和定义适用于本
3.1
相变存储单元phasechangememory cell
一种在外部电场的电热学作用下能够在多晶相和非晶相之间进行可逆的结构变化的存储器件单元.
3.2
写操作reset operation
相变存储单元在外部电场的作用下从多晶态转变为非晶态的过程.
擦操作set operation
相变存储单元在外部电场的作用下从非晶态转变为多晶态的过程.
读操作readoperation
通过测量相变存储单元的电阻读出单元的存储状态.
