SJ/T 11410-2009 九针点阵式打印机芯通用规范.pdf
ICS35.260.10 L63 备案号: SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11410—2009 九针点阵式打印机芯通用规范 General specification of 9-pin stylus printing core. 2010-01-20发布 2010-03-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 2010 TANDAROS 复制 夏制 阳配有公司 5张 000 T14-209 身全 无效 头全 所 油 普 有 复制无效复制无效 身酬 复制无效 驿 身酬 复制 u 香 壁效 复制开效 铺翻乐 ...
SJ/T 11407.3.2-2015 数字接口内容保护系统技术规范 第3-2部分:DTV-CI内容保护系统测试规范.pdf
ICS33.160.25 M74 备案号:52007-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11407.3.2-2015 数字接口内容保护系统技术规范 第3-2部分:DTV-C1内容保护系统 测试规范 Content protection specifications for digital interface- Part3-2:Test specification for DTV-CI content protection system 2015-10-10发布 2016-04-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 2015 FANDARDS SJ/T11407.3.22015 目次 前言 III 1范围.. 1 2规范性引用文件 1 3术语和定义 1 4缩略语.. 2 5 测试用标准大气条件 6被测设备功能声明 7物理层测试. RY. 3 3 5 7.1 CICAM缓存大小和 5 7.2 CICAM对中支持 5 7.3 主机缓存小 6 7.4主机对R位的支持 6 7.5主机对中断支持 7 8 CICAM测试. 8.1 CICAM打开CC资源 SJ 7 7 8.2 CICAM正确行认证协 8 8.3 CICAM验证DPH 9 8.4 CICAM验E二级A证书 .9 8.5 CICAM验证主机备诉书 .... 10 8.6 CICAM验证RH 10 8.7 CICAM验证AKH. 11 8.8 CICAM正确执行SAC初始化协 ......11 8.9 CICAM检查SAC初始化协议中的 NDARDS ........12 8.10 CICAM提供良好的随机数 ....12 8.11 CICAM正确执行URI版本协商协议 8.12 CICAM正确执行CCK更新协议. .13 8.13 CICAM在CCK更新协议中提供良好的随机数. .....14 9主机测试. 9.1主机正确执行认证协议. ............15 9.2主机验证CICAM的二级CA证书..... ..16 9.3 主机验证CICAM的设备证书.. ...16 9.4主机验证CICAM的DHPM.... ........17 9.5 主机验证CICAM的RM.. ....17 9.6 主机显示注册通知消息: . 18 I SJ/T11407.3.22015 9.7主机认证上下文 ..18 9.8主机正确执行SAC协议 .19 9.9主机在SAC协议中提供良好的随机数..... ..........20 9.10主机在SAC协议中检查CICAM的ID.... .....20 9.11主机执行URI版本协商协议.. ...20 9.12主机正确执行CCK协议..... ...........21 9.13 主机在CCK...
SJ/T 11407.3.1-2015 数字接口内容保护系统技术规范 第3-1部分:DTV-CI内容保护系统技术规范.pdf
ICS33.160.25 M74 备案号:52008-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11407.3.1-2015 数字接口内容保护系统技术规范 第3-1部分:DTV-C1内容保护系统 技术规范 Content protection specifications for digital interface- Part3-1:Specification for DTV-CI content protection system 2015-10-10发布 2016-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11407.3.1-2015 目 次 前言 IV 1范围 1 2规范性引用文件. ....1 3术语和定义..... .1 4符号和缩略语... 3 4.1符号..... 3 4.2缩略语..... 3 5.系统概述... 4 5.1介绍.... 4 5.2系统组件. 5 5.3.系统流程 6 5.4密钥层次... .6 5.5 CICPS对CI1.0的扩展. .7 5.6模块工作模式和工作状态∴ .8 5.7操作模式.... 13 6认证机制.. .15 6.1模块绑定和注册 15 6.2认证协议.... ...18 6.3认证上下文与重新认证. 25 7 内容加密与解密.............. 26 7.1概述..... 26 7.2加解密原则... .26 7.3双密钥机制... 26 7.4加解密方法. 27 8安全认证信道. 31 8.1 CICPS安全认证信道....... 31 8.2SAC消息格式及语义..... .36 8.3SAC消息发送. ...38 8.4SAC消息接收... :.39 8.5SAC消息的封装....... ....40 9内容控制密钥更新协议.... 40 9.1协议流程概述.... .... 40 9.2内容控制密钥更新协议触发条件 42 9.3内容密钥最大生命周期 43 I SJ/T11407.3.1-2015 9.4内容控制密钥的计算. 43 10URI传输机制. 43 10.1URI及其缺省值.. 43 10.2URI传输协议 44 .......48 11.1应用信息资源.. ....48 11.2主机语言和国籍资源....... 11.3内容控制资源.. ..52 12系统吊销机制............ ........62 12.1吊销机制概述 12.2主机吊销要求....... .....63 12.3 CRL和CWL下载... ...66 12.4 主机吊销的执行 ..68 12.5其他文件格式.... .....69 13主机业务阻止.. .72 13.1 CICPS受保护业务信令...... ......72 13.2SD...
SJ/T 11405-2009 光纤系统用半导体光电子器件 第2部分:测量方法.pdf
ICS 33.180 L50备案号:SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11405--2009
光纤系统用半导体光电子器件 第2部分:测量方法 Semiconductoroptoelectronicdevicesforfibre optic system applications-Part 2:Measuring methods (IEC 62007-2:1999,IDT)
2009-11-17发布2010-01-01实施 SJ中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T 11405-2009
目次
前言 范. 2规范性引用文件 3光发射器件测量方法 3.1带或不带尼纤的发光极管(I.ED)、红外发射极管(IRED)、激)极管的辐射功率或正向电流 3.2带或不带尼纤的红外发射板管、发光二极管的开关时间2 3.3带或不带尼纤的发光二极管(LED)、红外发射极管(IRED)和激光二极管的小信号截止频率(fc) .4 3.4带或不带尼纤的激光二极管的阅值电流:4 3.5带或不带纤的发光极管(LED)红外发射极管(IRED)和激光极管的相对强度噪声.6 3.6带或不带飞纤的激光二极管的开关时间 3.7带或不带尼纤的发光极管、红外发射极管、激光极管的载被噪声比 3.8带或不带纤的发光极管、红外发射二极管、激光极管及激光模块的S参数 3.9带纤、带或不带致冷器的激光模块的跟踪误差、...1 3.10带或不带尾纤的激光极管的光谱线宽.....12 3.11发光极管(IED)和i红外发射二极管(IRED)在1dB压缩点的调制电流(Ip"1dB))..1. 3.12发光极管(LED)和红外发射二极管(IRED)的双频差拍失真(I)12D21)....15 3.13激光极管或激光极管模块的中心波长()和均方根光谱带宽(△m)..17 3.14光纤模拟传输系统或子系统的激光极管或激光模块的复合失真..19 3.15光纤模拟传输系统或子系统的激光二极管或激光二极管模块的阶和三阶互调失真...21 3.16带或不带尼纤的激光极管或激光模块的微分效率(m)..23 3.17带或不带尼纤的激光.极管的微分电阻r(正向)...24 3.18模拟激光器的载噪比... 3.19光学调制深度...6 4光探测器件测试方法.28 4.1PIN光电极管的噪..8 4.2带或不带尼纤的前光电极管的过剩噪声因子.29 4.3带或不带尼纤的光电极管的小信号截止频率..31 4.4带或不带尼纤的前光电极管(APD)的倍增因子..32 4.5带或不带飞纤的PIN光电极管或写崩光电极管(APD)的开关时间.33 4.6 PIN-FET 细件的响应度...36 4.7 PIN-FET组件的频率响应平HU度(AS/S)...7 4.8PIN-FET组件的输出噪声功率谱密度Pm.38 4.9PIN-FET组件的低频输出噪声功率谱密度(PmLF)和转折频率(f)..39 4.10PIN-FET组件的最小可探测功率40 4.11模拟PIN极管的阶和阶调失真.42
SJ/T11405-2009
附录A(资料性附录)标准对照表,.44 附录B(资料性附录)本部分中的条款号与IEC62007-2:1999条款号对照表....45
Ⅱ
SJ/T 114052009
前言
《光纤系统用半导体光电子器件》的预计结构如下: 第1部分:毕本额定值和特性: 第2部分:测量方法 本部分等同采用1EC62007-2:1999《光纤系统用半导体光电子器仁第2部分:测量方法》(英文 版)。
为了便于使用,本部分做了下列编辑性修改: 用小数点“”代料作为小数点的逗号“,”: 删除国际标准的前言: 一为了保持标准结构的统,删除了原文图中的图题部分: 一为使本部分中的图号具有连续性,将原图号“图46~图49”改为“图32~图35”,原图号“图 32图45”改为“图36~图49”; 一为了便于引用,将文中公式进行了编号; 一为在条款号编排1体现的层次更清晰,将IEC620072中的级条款的字母改为分条号,条 款号的对照长在增加的附录B中说明: 故本部分对“B”的说明用注释长述。
本部分的附录A、附录B为资料性附录。
本部分山1业和信息化部电子工业标准化研究所归口。
本部分起单单位:L业和信息化部电子工业标准化研究所。
本部分主要起草人:赵英、陈兰、王幼林。
III1
SJ/T 114052009
光纤系统用半导体光电子器件 第2部分:测量方法
1范围 本部分规定了用于光纤系统子系统的半导体光电子器件(以下简称“器件”)的测量方法。
2规范性引用文件 本章无内容 3光发射器件测量方法 3.1带或不带尾纤的发光二极管(LED)红外发射二极管(IREI激光二极管的辐射功率或正向电 流 3.1....
SJ/T 11404-2009 铌酸锂集成光学器件通用规范.pdf
ICS33.180 M33 备案号: SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11404—2009 铌酸锂集成光学器件通用规范 General specifications for LiNbO3 integrated optical devices 2009-11-17发布 2010-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 00 2010 SJ/T114042009 铌酸锂集成光学器件通用规范 1范围 本规范规定了酸钾集成光学器件(以下简称“器件”)所需的质量评定程序、检验要求、筛选、 抽样要求、试验和测量方法的内容. 本规范适用于山酸钾材料制作的强度调制器、相位调制器、光开关以及用于光纤陀螺的波导相 位调制器等,由组酸锂材料制造的具有类似功能的集成光学器件可参照执行. 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款.凡是注山期的引用文件,其随后的 修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本规范,然而,鼓励权据本规范达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本规范. GB/T191-2000包装储运图示标志 GBT2121电1电子产品环境试验第1部分:总则 GB/T2423.1电[电子产品环境试验第2部分:试验方法试验A:低温 (BT2423.2电【电了产品环境试验第2部分:试验方法试验B:高温 GBT2423.5电【电子产品环境试验第2部分:试验方法试验Ea和导则:冲击 GB/T2123.10电1电产品环境试验第2部分:试验方法试验FC和导则:报动(正弦) GB/T2423.1!电L电了产品环境试验第2部分:试验方法试验Fd:宽频带随机报动一一般 要求 GBT2123.22电T.电了产品环境试验第2部分:试验方法试:N:温度变化 GB/T2423.28电厂电子产品环境试验第2部分:试验方法试验T:锡焊 GB/T2828.12003计数抽样检验程序第!部分:按接收质量限(AQ1.)检索的逐批检验抽样计划 GB/T18310.1纤维光学山连器件和无源器件成木试验和测量程序第2-4部分:试验光纤/光缆 保持力 GJB128A-1997半导体分立器件试验方法 GJB4026-2000酸锂集成光学器件通用规范 SJ20869酸钾集成光学波导调制器测试方法 3术语和定义 SJ20869已确立的和下列术语和定义适用于本规范. 3.1 相位调制器phase modulator 利用器件的电光效应,通过外加电场改变波导中传导光波的相位的器件. 3.2 强度调制器intensity modulator 利用器件中的分束器将传导光波分束成两路相光,经过相位调制器改变两束光波的相位差,通过 合束器使输出光强附外加电信号而改变的器件. 1 SJ/T11404-2009 3.3 光开关o...
SJ/T 11403-2009 通信用激光二极管模块可靠性评定方法.pdf
ICS 31.260 L51 备案号: 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11403-2009 通信用激光二极管模块可靠性评定方法 Laser diode modules used for telemunication Reliabilityassessment 2009-11-17发布 2010-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 2010
11403 2009 改进程 可靠性结果的分析 技术交流 设计和/或工 品交付 和激光
乐叔 ...
SJ/T 11402-2009 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范.pdf
ICS33.180 M33 备案号: SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11402-2009 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 Technical specification of semiconductor laser chip used in optical fiber munication 2009-11-17发布 2010-01-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11402--2009 前 言 本规范由中国电了技术标准化研究所 本规范起草单位:武汉电信器件有限公司 本规范要起草人:任凡、罗 、 SJ/T11402-2009 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 1范围 本规范规定了光纤通信用半导体激光器芯片(以下简称芯片)的术语和定义、分类、技术要求和可 性要求、检验规则、测量和试验方法、包装、:和运输等. 木规范适用于传输速率从155M/s2.5G/s的光纤通信系统中法布里-泊罗激光极管(FP-1.D) 和分布激光极管(DFB.D)芯片的采购、制造和质量控制. 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本现范的条款.凡是注日期的引用文件,其随后的 修改单(不包括助误的内容)或修订版均不适用于本规范,然而,鼓励根据本规范达成协议的各方研究 是雪可使用这些文件的城新版本.凡是不注日期的用文件,其最新版本适用于本规范. GB/T15651半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件(1FC60747-5 1DT) GB/T21194-2007通信设备用的光电子器件的可靠性通用要求 G1B518A--1996微电子器件试验方法和程字 YD/T701-1993半导体激光二级管组件测试方法 3缩略语、符号、术语和定义 GB/T15651、YD/T701--1993中确立的以及下列缩略语和符号适用于本规范. 3.1缩略语 3.1.1 FP fabry-perot 法布里泊罗 3.1.2 DFB distr ibuted feedback 分布 3.2术语、符号和定义 3.2.1 斜率效率slope efficiency 7 在值电流以上的1曲线的斜率,表小每安培(或每毫安)注入电流有少瓦(毫瓦)的激光输出. 3.2.2 线性工作电流linear operating current P曲线光力率出现非线性变化时对应的电流. 4要求 4.1分类 芯片分类见表! 1 ...
SJ/T 11387-2008 直播卫星电视广播接收系统及设备通用规范.pdf
ICS33.160.25 M74 备案号: SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11387-2008 直播卫星电视广播接收系统及设备 通用规范 General specification for DTH satellite TV broadcasting reception system and equipment 2008-12-02发布 2008-12-02实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11387-2008 目 次 前言 1范围.. 2规范性引用文件 3系统组成 4要求. 2 4.1系统要求 2 4.2天线要求 .3 4.3室外单元要求 .5 4.4室内单元要求 .8 5试验方法 11 5.1测试条件 11 5.2外观、结构和工艺检查 .12 5.3电性能测量 .12 5.4功能检查 .12 5.5电磁兼容性测量 .12 5.6安全性检查 .12 5.7环境适应性 .12 5.8可靠性试验 .13 6检验规则 .15 6.1定型检验 .15 6.2交收检验 .22 6.3例行检验 23 7标志、包装、运输和贮存 25 7.1标志 25 7.2包装 25 7.3运输 25 7.4贮存 26 附录A(规范性附录)功率分配器要求 27 附录B(规范性附录)增益、馈源照射角、交叉极化鉴别率、圆极化电压轴比和相位噪声的测量方法 28 附录C(规范性附录)测量仪器、设备连接图 ....31 附录D(规范性附录)视频、音频测量方法 .32 附录E(资料性附录)传输流误码率(P)测量 33 I SJ/T11387-2008 前言 本规范是依据GD/JN01-2007《先进卫星广播系统—一顿结构、信道编码与调制》并参考国家广播 电影电视总局科技司2008年4月份发布的《中国广播电视直播卫星“村村通”系统技术体制白皮书》(2008) 相关要求制定的,适用于中国广播电视直播一期工程. 本规范的附录A、附录B、附录C、附录D是规范性附录,附录E是资料性附录. 本规范由中国电子技术标准化研究所归口. 本规范起草单位:中国电子技术标准化研究所、中国电子科技集团公司第五十四研究所、陕西如意 电气总公司、南京熊猫电子股份有限公司、江苏银河电子股份有限公司、湖南航天卫星通信科技有限公 司、福建神州电子有限公司、贵州振华天通设备有限公司、青岛海信电器有限公司、四川视频电子有限 责任公司、安徽四创电子股份有限公司、福建卓异电子有限公司、四川长虹电器股份有限公司、青岛海 尔电子有限公司、华亚微电子(上海)有限公司、杭州国芯科技有限公司、深圳市华达玻璃钢通信制品有 限公司、珠海艾雷特电子有限公司、深圳同洲电子股份有限公司、四川九州电子股份有限公司、泉州天 地星电子有限公司. 本规范起草人:李胜利、田议、李培红、王杏林、于卫东、陈仁伟、...
SJ/T 11380-2008 自动声纹识别(说话人识别)技术规范.pdf
ICS35.040 L71 备案号:23323-2008 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11380—2008 自动声纹识别(说话人识别)技术规范 Technology specification for automatic voiceprint recognition (speaker recognition) 2008-03-10发布 2008-03-10实施 中华人民共和国信息产业部发布 SJ/T113802008 目次 前言 1范围 2规范性引用文件 3术语与定义 4数据交换格式 4.1概述 .7 4.2通用操作7 4.3语音操作 .8 4.4模型与模型集操作 9 4.5声纹模型训练 9 4.6声纹确认 ...10 4.7声纹辨认 .10 4.8声纹检出 11 4.9声纹追踪 ..11 附录A(规范性附录)VPR-APIv1.O函数定义 .13 SJ/T11380-2008 前 言 请注意本标准的某些内容有可能涉及专利.本标准的发布机构不应承担识别这些专利的责任. 本标准的附录A是规范性附录. 本标准由全国信息技术标准化技术委员会归口. 本标准由北京得意音通技术有限责任公司、清华大学智能技术与系统国家重点实验室(语音技术中 心)、中国电子技术标准化研究所负责起草. 本标准主要起草人:郑方、宋战江、徐明星、吴畏、邓菁、吴志刚. ...
SJ/T 11379-2008 等离子体显示器件 第4部分:气候和机械试验方法.pdf
ICS 31.120 L 47 备案号:23325-2008 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11379-2008 等离子体显示器件 第4部分:气候和机械试验方法 Plasmadisplaypanels Part 4:Climatic and mechanicaltesting methods 2008-03-10发布 2008-03-10实施 中华人民共和国信息产业部发布
SJ/T 11379--2008 前言 《等离子体显示器件》的预计结构如下: 第1部分:术语与文字符号; 第2-1部分:光学参数测量方法; 第2-2部分:光电参数测量方法; 第2-3部分:显示质量测量方法; 第3-1部分:机械接口; 第3-2部分:电子接口; 第4部分:气候和机械试验方法; 第5部分:总规范。
本部分是《等离子体显示器件》系列标准的第4部分。
本部分由中华人民共和国信息产业部提出 本部分由中国电子技术标准化研究所(CESI)归口。
本部分起草单位:上海松下等离子显示器有限公司。
本部分主要起草人:彭辉。
SJ/T 11379-2008 等离子体显示器件 第4部分:气候和机械试验方法 1范围 本部分规定了气候和机械的试验方法。
本部分适用于彩色等离子体显示模块(以下称等离子体显示器件)。
2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。
凡是注日期的引用文件,其随后的 修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本部分。
然而,鼓励根据本部分达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本部分。
GB/T2421一1999电工电子产品环境试验第1部分:总则 GB/T2423.1-2001电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验A:低温 (IEC 60068-2-1:1990, IDT) GB/T2423.2-2001电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验B:高温 (IEC 60068-2-2:1974,IDT) GB/T2423.3-1993电工电子产品基本环境试验规程试验Ca:恒定湿热试验方法 (IEC 60068-2-3:1993,IDT) GB/T2423.5--1995电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验Ea和导则:冲击 (IEC 60068-2-27:1987, IDT) GB/T2423.10一1995电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验Fc和导则:振动 (正弦)(IEC 60068-2-6:1982,IDT) GB/T2423.21-1991电工电子基本产品环境试验规程试验M:低气压试验方法 (IEC60068-2-13:1983,IDT) GB/T2423.34-2005电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验Z/AD:温度/湿度组合 循环试验(IEC 60068-2-38:1974,IDT) GB/T4857.5-1992包装运输包装件跌落试验方法(ISO 2248:1985,IDT) GB/T4857.17-1992包装运输包装件编制性能试验大纲的一般原理(ISO4180-1:1980,IDT) GB/T4857.18-1992包装运输包装件编制性能试验大纲的定数据(ISO4180-2:1980,IDT) GB/T4857.22一1998包装运输包装件单元货物稳定性试验方法(ISO10531:1992,IDT) GB/T18910.5一XXXX液晶显示器件第5部分:环境、耐久性和机械试验方法(IEC61747-5:1998, IDT) GB/TxXXXX.1一XXXX等离子体显示器件第1部分:术语与文字符号(IEC61988-1:2003,IDT) GB/TxXxXx.2/1等离子体显示器件第2-1部分:光学参数测量方法(IEC 61988-2-1:2003,IDT) GB/T xxXXx.2/2 2等离子体显示器件第2-2部分:光电参数测量方法(IEC 61988-2-2:2003, IDT) 3术语、定义和文字符号 1
SJ/T 11379--2008 GB/TxXXXx.1一xXxx确立的以及下列符号适用于本部分: Pop:在测试状态中等离子体显示器件运行时的大气压。
R:在测试状态中等离子体显示器件非运行时的大气压。
4试验设备 试验设备和/或操作条件应满足所规定的各项试验要求。
5标准条件 5.1基准标准大气条件 -温度:25℃; 一大气压:101.3kPa; 相对湿度:25%~85%,适用时。
如果要测量的参数取决于温度与/或气压,而且其相互关系不明确,其值应在5.3规定的条件下测量。
而且,如果需要,应将其换算成上述基准标准大气条件下的参数值。
5...
SJ/T 11378-2008 等离子体显示器件 第3-1部分:机械接口.pdf
ICS31.120 L47 备案号:23324-2008 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11378-2008 等离子体显示器件 第3-1部分:机械接口 Plasma display panels- Part 3-1:Mechanical interface (IEC61988-3-1 MOD) 2008-03-10发布 2008-03-10实施 中华人民共和国信息产业部发布 SJ/T113782008 前 言 《等离子体显示器件》系列标准的预计结构如下: 第1部分:术语与文字符号; 第2-1部分:光学参数测量方法: 第2-2部分:光电参数测量方法: 第2-3部分:显示质量测量方法: 第3-1部分:机械接口: 第3-2部分:电子接口; 第4部分:气候和机械试验方法; 第5部分:总规范. 本部分是《等离子体显示器件》系列标准的第3-1部分.本部分修改采用IEC61988-3-1:2005《等 离子体显示器件—一第3-1部分:机械接口》(英文版),其技术性差异用垂直单线标识在它们所涉及 的条款的页边空白处.在附录A中给出了技术性差异及其原因的一览表以供参考. 为了便于使用,本部分还做了下列编辑性修改: a)删除国际标准的前言; b)将“IEC61988的本部分”改为“本部分”; c)用小数点“.”代替作为小数点的逗号“,”; d)将第2章引用的IEC标准改为对应的国家标准. 本部分的附录A是资料性附录. 本部分由中华人民共和国信息产业部提出. 本部分由信息产业部电子工业标准化研究所归口. 本部分起草单位:TCL集团股份有限公司、海信电器股份有限公司. 本部分主要起草人:闫晓林、黄卫东、刘卫东、乔明胜、房艳荣. I SJ/T11378-2008 等离子体显示器件 第3-1部分:机械接口 1范围 本部分规定了等离子体显示模块、组件、装配件以及辅助元器件的制图和尺寸要求.这些要求包 括了示图、说明文字和相关的尺寸表.本部分作为基本原则,适用于使用标准尺寸描述来制造等离子 体显示模块. 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款.凡是注日期的引用文件,其随后 的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本部分,然而,鼓励根据本部分达成协议的各方 研究是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本部分. GB/T XXXXX.1-XXXX等离子体显示器件第1部分:术语和文字符号(IEC61988-1:2003 IDT) 3术语、定义和文字符号 GB/T XXXXX.1确立的以及下列术语和定义适用于本部分. 3.1 轮廓限界clearance outline 包含了模块的部件以及模块制造商推荐采用的附加余裕的三维表面尺寸. 3.2 模块底板module chassis 模块的金属底板,用于安装显示屏,驱...
SJ/T 11348-2016 平板电视显示性能测量方法.pdf
ICS33.160.25 M74 备案号: SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11348—2016 代替SJ/T11348—2006 平板电视显示性能测量方法 isplay performance methods of measurement for flat panel television 2016-01-15发布 2016-06-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 01 SJ/T113482016 目 次 前言, III 1范围. .....1 2规范性引用文件.. 1 3术语和定义. 1 4测量的一般要求... 3 4.1一般说明 4.2测试信号. 4.3测试仪器 STRY AND 3 3 6 4.4测量条件 8 4.5一般工作条使 .9 5图像的显示特性 SJ 10 5.1亮度. 10 5.2对比魔 10 5.3亮度均匀性 11 5.4白色色度 12 5.5基色色度坐标 13 5.6相关色减 13 5.7 色域覆盖彩 14 5.8 白色色度不 15 5.9 重显率 16 5.10 清晰度. .......16 5.11 动态清晰度 17 5.12 亮度可视角 TANDARDS 17 5.13 色度视角 19 5.14 像素缺陷. 20 5.15 残留影像. 20 5.16 固有分辨力 22 5.17 白平衡误差:. 22 5.18 亮度均匀性与视角的关系, 22 5.19 色度与亮度可视角的关系 23 5.20 运动图像拖尾时间. 24 5.21 通断比. 25 5.22 响应时间. 25 5.23 灰阶响应时间. 26 5.24 亮度非线性. 5.25 亮度启动特性. 27 27 I ...
SJ/T 11340-2015 液晶前投影机通用规范.pdf
ICS33.160.25 M74 备案号: SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11340—2015 代替SJ/T11340—2006 前投影机通用规范 General specification for front projector 2015-04-30发布 2015-10-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11340—2015 目 次 前言 Ⅱ 1范围 2规范性引用文件 3术语、定义和缩略语 4一般要求 2 5技术要求. 3 6测试方法 .5 7检验规则 8标志、包装、运输、贮存 .12 9产品使用说明书编写要求 .13 附录A(规范性附录)开箱检验内容及不合格判据 ...14 附录B(规范性附录)工艺装配检验内容及不合格判据 17 附录C(规范性附录)环境试验内容及不合格判据 .18 附录D(规范性附录)常温性能检验内容及不合格判据20 附录E(规范性附录)产品使用说明书内容 21 SJ/T11340—2015 前言 本规范按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本规范自发布之日起代替SJ/T11340一2006《液晶前投影机通用规范》,本规范与SJ/T11340一2006 相比,除编辑性修改外主要技术改变如下: 一一本规范名称由《液晶前投影机通用规范》修改为《前投影机通用规范》: 一一术语和定义增加“前投影机”(见3.1.1)、“被动待机状态”(见3.1.2)、“被动待机功率” (见3.1.3)、“整机质量”(见3.1.4)和“通断比”(见3.1.5),缩略语增加“整机质量” (见3.2): 一删除了功能要求中“遥控”(见2006年版的5.2.1)、“吊顶”(见2006年版的5.2.1)、“放 大漫游(局部/中心)”(见2006年版的5.2.1)、“画面冻结”(见2006年版的5.2.1)和 “多画面”(见2006年版的5.2.1): 一删除了图像显示格式(见2006年版的5.3.1),改由产品规范规定(见5.4): 一一删除了可支持计算机的显示格式(见2006年版的5.3.2),改由产品规范规定(见5.4): 一一修改了常温性能要求中“调焦距离”(见5.5 2006年版的5.5)、“最大投影尺寸”(见5.5, 2006年版的5.5)、“色域覆盖率”(见5.5 2006年版的5.5)、“工作噪声”(见5.5 2006 年版的5.5)等要求: 一删除了常温性能要求中“运动图像拖尾时间”(见2006年版的5.5): 一增加了产品说明书编制要求(见9). 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本规范由全国音频、视频及多媒体系统与设备标准化技术委员会归口. 本规范主要起草单位:工业和信息化部电子工业标准化研究院、深圳雅图数字视频技术有限公司、 ...
SJ/T 10998-2020 电子元器件详细规范 CBB13型金属箔式聚丙烯膜介质直流固定电容器 评定水平EZ.pdf
ICS 31.060.30 L11
中华人民共和国电子行业标准 SJ/T10998-2020 代替SJ/T10998-1996
电子元器件详细规范 CBB13型金属箔式聚丙烯膜介质 直流固定电容器 评定水平EZ Detail specificationforelectronicponent- Fixed polypropylene film dielectric metal foil d.c.capacitors,type CBB13- AssessmentlevelEZ
2020-12-09发布2021-04-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T 10998-2020 前言 本规范按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。
本规范是根据GB/T10189-2013《电子设备用固定电容器第13-1部分:空白详细规范金属 箔式聚丙烯膜介质直流固定电容器评定水平E和EZ》起草的产品详细规范。
本规范代替SJ/T10998一1996《电子元器件详细规范CBB13型金属箔式聚丙烯膜介质直流固定 电容器评定水平E》。
本规范与SJ/T10998-1996相比,主要变化如下: 由于评定水平由E改为EZ,因此样品数调整(见表4); 删除稳定性等级“3”: 提升绝缘电阻指标; 对100V-0.33uF产品间距尺寸进行纵改为“23”; 补充规定1600V-0.0068F产品间距尺 增加A0分组: A1分组中L由S-“S-3” A2分组中IL值”改为“S-3” B1分组中可焊性”试验由D改为ND; -B1分组增加“东志耐溶剂”试验: 明确“绝缘电阻”中性能要求“数值”为“规定值”: 4.振动”试验加速度值取整,由““98m/s2”改为“100m/s2”; 磷撞试验加速度值取整,由390m/s2”改为“400m/s2”;TECH 0.5低气压”试验大气压力值取整,由“8.5kPa”改为“8kPa” 加1.5“电容器的标志”和1.5.2”电容器的包装标志” 稳态湿热”试验条款号由“4.1.1更正为4.11”“耐久性”试验条款号“4.1.2”更 正为“4.12 抽样方案由IEC604101973改为GBT22828.1 请注意本文件的某些内容可能涉及专利,本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本规范全国电子设备用阻容元件标准化技术委员会(SAC/TC165)归口 本规范主要起草人:王珏、董小婕、龙新华。
本规范所代替标准的历次版本发布情况为: GB/T9606-1988 SJ/T10998-1996
SJ/T 10998-2020
电子元器件详细规范 CBB13型金属箔式聚丙烯膜介质 直流固定电容器 评定水平EZ
中华人民共和国工业和信息化部SJ/T 10998-X××X
电子元器件质量评定水 GB/T 2693-2001质直流固定电容器
CBB13型金属箱 该电容器采用装丙 作电极,无感卷绕而成。
外部阻警环氧粉末包封,径向 引出。
外形图
单位为毫米
d±0.05
评定水平:EZ
按本详细规范鉴定合格的元器件有效数据在鉴定合格产品一览表中给出...
SJ/T 10876-2020 电子元器件详细规范 CT52型圆片穿心瓷介电容器 评定水平EZ.pdf
ICS 31.060.20 L11 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T10876-2020 代替SJ/T10876-1996 电子元器件详细规范 CT52型圆片穿心瓷介电容器 评定水平EZ Detail specificationforelectronicponents- Capacitors of disc feed-through ceramic dielectric,type CT52 AssessmentlevelEZ 2020-12-09发布 2021-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布
SJ/T 10876-2020 前言 本规范按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。
本规范是根据GB/T5969-2012《电子设备用固定电容器第9-1部分:空白详细规范2类瓷介 固定电容器评定水平EZ》起草的产品详细规范。
本规范替代SJ/T10876一1996《电子元器件详细规范 CT52型圆片穿心瓷介电容器评定水平 E》。
本规范与SJ/T10876-1996相比。
主要变化如下: 评定水平由“E”改为“EZ”; 外形图增加螺纹安装型: 增加机械负荷试验用专用夹具示意图: 增加外形尺寸、额定电压和温度特件 表下 表3作相应更改; GB/T9144-2003《普通螺纹优选 系列》; 订货资料增加型号规格命名; 一质量一致性检验的试验一览表部分内容按GB/T5967-2001进行 本规范起 草单位: 成都宏明电子股份有限公司、厦门加特利科技有限公司。
本规范主要起草 人:何精华、董小婕、李娜娜。
本规范 所代替规范的历次版本发布情况为!
10876 1987 T1087 1996 STA D
SJ/T 10876-2020 电子元器件详细规范 CT52型圆片穿心瓷介电容器 评定水平EZ 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T 108762020 电子元器件质量评定水平按: AND INF 5969-2012 GB/T 2693-2001 外形图 CT52型 电容器 该系列产品是两端采用脂 封装的非密封结 螺纹安 构,封装形式包括 螺纹封装 焊接式封装, 内部采用2类陶瓷 料制作 圆片穿心瓷介 容器 螺纹安装型 ARDS 图3 ND 评定水平:EZ 图4焊接安装型 按本详细规范鉴定合格的元件的有效资料在鉴定合格产品一览表中给出...
SJ/T 10875-2020 电子元器件详细规范 CC52型圆片穿心瓷介电容器 评定水平EZ.pdf
ICS31.060.20 L11 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T10875—2020 代替SJ/T10875一1996 电子元器件详细规范 CC52型圆片穿心瓷介电容器 评定水平EZ Detail specification for electronic ponents- Capacitors of disc feed-through ceramic dielectric type CC52- Assessment level EZ 2020-12-09发布 2021-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 ...
SJ/T 10874-2020 电子元器件详细规范 CL21型金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器 评定水平EZ.pdf
ICS 31.060.30 L 11
中华人民共和国电子行业标准 SJ/T10874-2020 代替SJ/T10874-1996
电子元器件详细规范 CL21型金属化聚乙烯对苯二甲酸 酯膜介质直流固定电容器 评定水平EZ Detail specificationfor electronicponent Fixed metallized polyethylene-terephthalate film d.c.capacitors,type CL21- AssessmentlevelEZ
2020-12-09发布2021-04-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T 10874-2020 前言
本规范按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。
本规范是根据GB/T7333-2012《电子设备用固定电容器第2-1部分:空白详细规范金属化 聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器评定水平E和EZ》起草的产品详细规范。
本规范代替SJ/T10874-1996《电子元器件详细规范CL21型金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质 直流固定电容器评定水平E》。
本规范与SJ/T10874-1996相比,主要变化如下: ,, 最小电容量由0.01mF折展到0.001F; 外形尺寸小体本积化: 增加AO分组S A1分组中北由"S-4”改为“S-3” A2分组电L“V改为“S3” B1组中可焊性试验由D改为ND; B1分组增加“标志溶剂”试验; 电压”试验增加性能要求判据“允许有自愈” 引出端强度”试验条件:”弯曲”试验适用“扭转”试验不 试验加速度值取整,由98m改为“ 试验加速度值取整,由390ms改为“INO 气压”试验“8.5kPa”改为“8kPa” 气候顺试验中4.10.2.中间测量”“4.10.4.1“4. 10. 4. 2 中间测量” 增加电容器的标志”和1.5.2“电容器的包装标志”; 抽样方案由1EC60410:1973改为GB/T2828.1。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。
本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本规范由全国电子设备用阻容元件标准化技术委员会(SACTC165)期口。
本规范主要起草单位:成都宏明电子股份有限公司、、厦门丰力扬科技有限公司。
本规范主要起草人:王理。
、董小婕、龙新华。
D 本规范所代替标准的历次版本发布情况为: GB/T 7335-1987 -SJ/T 10874-1996
SJ/T 10874-2020
电子元器件详细规范 CL21型金属化聚乙烯对苯二甲酸 酯膜介质直流固定电容器 评定水平EZ
中华人民共和国工业和信息化部SJ/T108742020
电子元器件质量评定甲酸酯膜介质直流固定 GB/T 2693200电容器
外形图该电容器来用聚酯膜作介质,真空蒸发在薄膜上的铝
单位为毫米作电极,无感卷绕而成。
部阻燃环氧粉末包封,径
向引出。
评定水平:EZ 性能等级:1级、2级
览表中给出 ND 1一般数据 1.1推荐安装方法 见GB/T7332-2011中1.4.2,应牢固地固定电容器本体。
1.2尺寸 电容量、额定电压与外形尺寸见表1。
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SJ/T 10856-2020 电子元器件详细规范 CA42型固体电解质固定钽电容器 评定水平E.pdf
ICS 31.060.40 L11
中华人民共和国电子行业标准 SJ/T10856-2020 代替SJ/T10856-1996
电子元器件详细规范 CA42型固体电解质固定钽电容器 评定水平E Detail specificationfor electronic ponents TypeCA42fixedTantalumcapacitorswithsolidelectrolyte AssessmentlevelE
2020-12-09发布2021-04-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T 10856-2020 前言
本规范按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。
本规范是按照GB/T7214-2003《电子设备用固定电容器第15-3部分:空白详细规范固体电 解质和多孔阳极钮电容器评定水平E》(IEC60384-15-3)制定的。
符合GB/T2693-2001《电子 设备用固定电容器第1部分:总规范》(IEC60384-1:1999,IDT)和GB/T7213-2003《电子设 备用固定电容器第15部分分规范非固体或固体电解质钼电容器》(IEC60384一15:1992,IDT) 的要求。
本规范代替SJ/T10856-1996《电于器件详细规范CA42型利固体电解质固定钮电容器评定水平E (可供认证用)》。
与SJ/T10856一11996D a)表1中缩小了每种壳多的体积,产品规格扩展了53个; b)1.3中容量分许低着别除50-20%,气候类别由55/0810调整为55/125/21; c)表2中室收为25C,室温漏电流由0.02CRUkRUR。
高低温稳定性 提高, 1)由UR: 2)125C漏电流15CRU调整为CUR; 3)调整电容量直:-55℃由0%调整为±8%35℃由土1%整±10%(CR≥ 的产品125°℃由土25%整为土15%;u d)中修了标志子色标表示电压的方法,改激光标志,直接特电容器额定电压、 电容及正极符 e)选自410改为标282NOL 请注意本文件的某些内容品参承担识别这些任。
本规范由全电子设备用委员会(SAC/TC165)归口 本规范走中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营六厂)。
本规范主朱强、张波、白净、侯斌、杨立明、王安玖。
本规范于196年次发布,本次为第一次修订。
SJ/T 10856-2020
电子元器件详细规范 CA42型固体电解质固定钽电容器 评定水平E
中华人民共和国工业和信息化部10856-2020
按GB/T 2693-2001
CA42型固体电解质
电容器的用极为多孔状链快,以as作介质,MnO2 作阴极,向引出,电容器的外部用环氧树脂包封。
ww01≤ MINI
S
图1外形图
评定水平:E 性能等级:普通级
按本详细规范鉴定合格的元器件的有效资料在合格产品览表中给出
SJ/T 10856-2020 1一般数据 1.1推荐的安装方法 见GB/T7213-2003中1.4.2规定,电容器在使用时直插安装。
做振动、碰撞实验应固定本体和 引线,其引线固定点距本体(6土1)mm处。
1.2外形尺寸、最大重量、额定电压及标称电容量 电容器外形尺寸、最大重量、额定电压及标称电容量见表1和图1。
表1外形尺寸、最大重量、额定电压及标称电容量 额定电压(UR)46.3101625354050 V 降额电压(Uc)2.546.31016202532 V 外形尺寸 mm标称电容量(CR) DXH S±0.5 e d最大重量μF (max)
0.10.10.10.10.10.10.10.1 0.150.150.150.150.150.150.150.15 0.220.220.220.220.220.220.220.22 0.330.330.330.330.330.33 0. 470.470.470.470.470.470.470.47 0.680.680.6889°00.6889°00.680.68 0.81.01.01.01.01.01.01.0 4.4X72.51.51.51.51.51.51.5
2.22.22.22.22.2 3.33.33.33.3 4.74.74.7 0.56.86.8
1010 15 5X7.52.51.522156.84. 72.21.51.0
33106.84.73.32.2 5.5X92.52472215108'94.71.5
332215102.2 68473322156.84.7 6×102.52.51006847332210894.7
10068 7. 2×122.089
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SJ/T 10856-2020 表1 (续) 额定电压(UR)46.31016253...
SJ/T 10787-2020 电子元器件详细规范 CL12型金属箔式聚乙烯对苯二甲酸乙二醇酯膜介质直流固定电容器 评定水平EZ.pdf
ICS 31.060.30 L11
中华人民共和国电子行业标准 SJ/T10787-2020 代替SJ/T10787-1996
电子元器件详细规范 CL12型金属箔式聚乙烯对苯二甲酸 乙二醇酯膜介质直流固定电容器 评定水平EZ Detail specificationforelectronicponent- Fixedpolyethylene-terephthalatefilmdielectricmetalfoild.c.capacitors,type CL12-- AssessmentlevelEZ
2020-12-09发布2021-04-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T 10787-2020 前言
本规范按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。
本规范是根据GB/T6346.1101-2015《电子设备用固定电容器第11-1部分:空白详细规范金 本规范代替SJ/T10787-1996《电子元器件详细规范CL12型金属箔式聚乙烯对苯二甲酸乙二醇 酯膜介质直流固定电容器评定水平E》。
本规范与SJ/T10787-1996相比,主要变化如下: 由于评定水平由E改为EZ,因此样品数调整(见表2) 删除稳定性等级“”; 最小电容量由0.22pF扩展到0.0001gF; B1分组中“可焊性”试验由D改为ND; B1分组标志耐溶剂”试验: 4.7辰动险加速度值取整由“98m/s2”改为“100m/s2” 碰撞式验加速度值取整,由“390m/s²”改为““100m/s2” 压”试验大气压力值取整由“8.5kPa”“8 kPa′ 性”试验时间由2000h改为1000h; 见格,删除“损耗角正切中“CR>10uF”测试条件;TECHNOL 4.3“引出端强度”试验条件: “电容器的标志”和1.52“电容器的包装 IEC604102828 请注意本文件的某些内容可能涉本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本规范由电子设备用阻容元件标准化技术委员会(SAC/Te165)归白。
本规范主要要超理单位:成都宏明电子股份有限公司、厦门丰力扬科技有限公司。
本规范主要起草大,王珏、董小婕、龙新华。
本规范所代替标准的历次版本发布情况为: GB/T6350-1986 SJ/T10787-996
SJ/T 10787-2020
电子元器件详细规范 CL12型金属箔式聚乙烯对苯二甲酸 乙二醇酯膜介质直流固定电容器 评定水平EZ
中华人民共和国工业和信息化AND
GB/T 6346.1101 GB/T 269电子元器件质按:
膜介质直流固定电容器CL12型金属箔式聚乙烯对苯甲二2 S TECHN 外形图R(尺寸见1)膜作介质,该电容器菜用聚乙烯对苯工铝箔作电极,箔式套绕而成。
醇酯
外部阻燃环氧粉末包封,径向引出。
OGY g T ARDS YND
评定水平:EZ
按本详细规范鉴定合格的元器件有效数据在鉴定合格产品一览表中给出...
SJ/T 10786-2020 电子元器件详细规范 CL11型金属箔式聚乙烯对苯二甲酸乙二醇酯膜介质直流固定电容器 评定水平EZ.pdf
ICS 31.060.30 L 11 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T10786-2020 代替SJ/T10786-1996 电子元器件详细规范 CL11型金属箔式聚乙烯对苯二甲酸 乙二醇酯膜介质直流固定电容器 评定水平EZ Detail specificationforelectronic ponent- Fixed polyethylene-terephthalatefilm dielectric metal foil d.c.capacitors,type CL11- AssessmentlevelEZ 2020-12-09发布 2021-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布
SJ/T 10786-2020 前言 本规范按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。
本规范是根据GB/T6346.1101-2015《电子设备用固定电容器第11-1部分:空白详细规范金 属箔式聚乙烯对苯二甲酸乙二醇酯膜介质直流固定电容器评定水平EZ》起草的产品详细规范。
本规范代替SJ/T10786-1996《电子元器件详细规范CL11型金属箔式聚乙烯对苯二甲酸乙二醇 酯膜介质直流固定电容器评定水平E》。
本规范与SJ/T10786-1996相比,主要变化如下: 由于评定水平由E改为EZ,因此样品数调整(见表2) 删除稳定性等级“I"; ND -B1分组中“可焊性”试验由D改为ND; -B1分组增加 试验; 4.7“振动 试验加速度值取整,由“98m/s²”改为“100m 4.8 “ 验加速度值取整,由“390m/s2”改为“400m/s 4.10 试验大气压力值取整 由“8.5kPa” 做为 4. “耐久 试验时间由2000h改为1000h; 衣 “损耗角正切”中“CR>10uF”测试条件; 3中 出端强度” 试验条件; TECHN “电容器的标志》和152“电容器的包装标志”; IEC60410:1973改为GB/T28281 请注意 的某些内容可能涉及专利。
本文件的发布机构不承担识别这些 专利的 责任。
本规范由全国电子设备用阻容元件标准化技术委员会(SAC/TC165)归口 本规范主要起草单位:成都宏明电子股份有限公司、厦门丰力扬科技有限 本规范主要起草人 人:王珏、董小婕、龙新华。
LOGY 本规范所代替标准的历次版本发布情况为: GB/T6349-1986 SJ/T 10786-1996 I
SJ/T 10786-2020 电子元器件详细规范 CL11型金属箔式聚乙烯对苯二甲酸 乙二醇酯膜介质直流固定电容器 评定水平EZ 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T107862020 GB/T 6346. 电子元器件质 GB/T 2693 CL11型 申酸乙二醇酯 膜介质流固定电容器 S 外形图 尺中见丧1) 单位为毫术 二醇酯膜 作介质,铝箔作电极,露箔式卷绕而成。
外 部阻燃环氧粉末色封,径向引出。
ARDS s±1.5 评定水平:EZ 按本详细规范鉴定合格的元器件有效数据在鉴定合格产品一览表中给出...