ICS31.070 CCS L15 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11873—2022 超声波测距传感器总规范 General specification for ultrasonic distance sensor 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11873-2022 目次 前言 I 1范围. 1 2规范性引用文件 .1 3术语和定义. .1 4分类及命名 3 4.1分类. ..3 4.2型号命名... 3 5技术要求... . ......... 3 5.1总则.. 3 5.2外观和标识.. 3 5.3结构和外形尺寸. ....... 4 5.4性能. 4 5.5环境适应性... 5 6检验方法. 6 6.1检验条件与一般规定.. 6 6.2外观和标识. 6 6.3结构和外形尺寸.. 6 6.4性能指标的检验. ....6 6.5环境适应性. .....10 7检验规则.... .13 7.1检验分类 ....13 7.2鉴定检验..... ...13 7.3质量一致性检验. ..14 8标志、包装、运输和存储. .15 8.1标志 ...15 8.2包装 .15 8.3运输 ..16 8.4储存 16 附录A(资料性)型号命名方式 17 SJ/T11873-2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出. 本文件由中国电子技术标准化研究院归口. 本文件起草单位：广东奥迪威传感科技股份有限公司、中国电子技术标准化研究院. 本文件主要起草人：张曙光、张喆斯、陈富、朱兆焱、刘若冰. OF INDUSTRY ANLSININ NFORMATION TECHNO SJ STANDARDSJ ...

ICS31.070 CCS L15 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11872—2022 照明用照度传感器的性能要求 Performance requirements of light sensors for lighting 2022-10-20发布 2023-01-01实施 RY AND E 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ SJ/T11872—2022 目次 前言 III 引言 ....IV 1范围.. 1 2规范性引用文件. 3术语和定义. 1 4分类. 2 4.1按使用场所 4.2按使用方式 4.3按通讯接 CINFORMATION 2 2 2 5性能.. 5.1总则 2 5.2工作环境 2 5.3供电电源 2 5.4光 电1 3 5.5温 度特性 SJ 4 5.6数据 5 NLSINIW STANDARDS ...

ICS31.070 CCS L15 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11871—2022 照明用红外传感器的性能要求 Performance requirements of infrared sensors used for lighting 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11871-2022 目次 前言. III 引言 .......IV 1范围.. ..1 2规范性引用文件 3术语和定义. ..1 4分类. 2 4.1按感测目标方式 2 4.2按输出信号方 式 2 4.3按照使用方式 2 5性能... 2 5.1工作环址 2 5.2供电电源 2 5.3感则 衣域 2 5.4感测 3 5.5啊应时间 3 5.6抗小动物) 目标 3 5.7抗环光应 5.8抗照明光源响应 SJ 3 3 5.9抗尚动流 3 5.10功毛 4 6规格分类和要 W 4 STANDARDS ...

ICS31.070 CCS L 15 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11870—2022 照明用光传感器的性能测试方法 Test methods for the performance of light sensors used in the lighting 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11870—2022 目次 前言 III 引言 ..IV 1范围.. .1 2规范性引用文件. .1 3术语和定义. .1 4标准测试条件. 2 DUSTRA 4.1实验室和环境条 2 4.2测试电源. 3 4.3预热时间 3 5测试方法 3 5.1测试准 3 5.2电性能 3 5.3温度特性 5.4光电啊应特性 MULSINIW CHNo SJ 3 5 STANDARDS ...

ICS31.080 CCS L53 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11869—2022 硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范 Detail specification for white power light-emitting diode chips on silicon substrate 2022-10-20发布 2023-01-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ FANDAROO SJ/T11869-2022 目次 前言. I 引言 ...II 1范围.... 1 2规范性引用文件... 1 3术语和定义 4要求.. .1 5检验方法. ..3 6检验规则... ..4 7包装、运输、储存.. ...8 附录A(规范性)硅衬底白光功率发光二极管芯片结构 10 附录B(规范性)硅衬底白光功率发光二极管芯片外观检验. 12 SJ/T11869-2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的 规定起草. 本文件是LED芯片系列标准的一个部分，该系列已出版了以下几个部分： —GB/T36356一2018功率半导体发光二极管芯片技术规范： —GB/T36357一2018中功率半导体发光二极管芯片技术规范： SJ/T11486一2015小功率LED芯片技术规范 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由中华人民共和国工业和信息化部提 本文件由中国电子技术标准化研 院. 本文件起草单位：晶能电（江西有限公可、 IFOR有限公司、深圳市长方集团股份 有限公司、惠州雷士光电科 有限公司、中节能晶和科技有限公司、 省野汽车照明有限公司、长 春希达电子技术有限 上海三思电子工程有限公司、深圳市洲明 粉有限公司、中国光学光电 子协会、中国计量科 研院、广州赛西标准检测研究院有限公司、厦产品质量监督检验院、惠州 仲恺高新区LD 单发展促进会南骨高新区光电产业联盟. 本文件主要草人：肖伟民、赵汉民、王志彭翔、封波、柳杨、伏波、刘志刚、洪震、成森 继、王琼、向健勇、白莹、邓异、何飞龙、汪羊、陈赤、吴桂、葛莉荭 MULSININ 5u ECHNOLOGY STANDARDS ...

ICS31.080 CCS L53 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11868—2022 硅衬底蓝光功率发光二极管芯片详细规范 Detail technical specification for power blue light-emitting diode chips on silicon substrate 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11868-2022 目次 前言. III 引言 ...IV 1范围.. ...1 2规范性引用文件.. ..1 3术语和定义. ..1 4要求. 1 4.1总则. 1 4.2材料、结构和工 1 4.3外观质量 1 4.4绝对最大额 RY AND.INFORMATION 2 4.5环境应性 2 4.6电耐 SJ 3 4.7静电旅电敏感度 3 5检验方法 3 5.1测试条件 TECHNOLO 3 5.2结 构 3 5.3外观m 3 5.4光电特桃 3 5.5环境适性 3 5.6电耐久 4 5.7静电敏感 4 6检验规则. 4 6.1通则. 4 6.2检验分类. STANDARDO 4 6.3批的组成 4 6.4抽样. 4 6.5重新提交 4 6.6筛选， .5 6.7鉴定检验 5 6.8 质量一致性检验. 5 6.9样品的处理.. 7 6.10不合格. 7 6.11检验记录.. 7 7包装、运输、储存. 7 7.1包装要求. 7 7.2运输要求 8 7.3储存要求 8 I SJ/T11868—2022 附录A(规范性)硅衬底功率LED芯片的外观检验. 9 II ...

ICS31.080 CCS L53 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11867—2022 硅衬底蓝光小功率发光二极管芯片详细规范 Detail specification for low power blue light-emitting diode chips on silicon substrate 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 TANDARD SJ/T11867-2022 目次 前言 III 引言 .....IV 1范围. 1 2规范性引用文件. .1 3术语和定义. ..1 4要求. 4.1总则. 1 4.2绝对最大额 值 4.3材料、结构和 2 4.4外观 2 4.5光电特性 TEC 2 4.6环境适性 4.7电耐性 4.8静电感电压 5检验方法 5.1测试条件 SJ 2 2 2 3 3 5.2试验尔 方法 3 5.3结构与只 3 5.4外观元 3 5.5光电特 3 5.6环境适应 4 5.7电耐久性 4 5.8静电敏感电压 4 6检验规则... 4 6.1检验分类.. 6.2批的组成 STANDARDS 4 4 6.3 重新提交 .5 6.4筛选. 5 6.5鉴定检验. 5 6.6质量一致性检验 ....5 6.7样品的处理. .7 6.8不合格. 6.9检验记录 .7 7标志、包装、运输、储存. ...7 7.1标志 ..7 7.2包装. 8 7.3运输 8 I SJ/T11867-2022 7.4储存. ..8 附录A(规范性)硅衬底蓝光小功率LED芯片的外观检验 ..9 II ...

ICS31.260 CCS L45 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11866—2022 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范 Semiconductor optoelectronic devices- Detail specification for power white light-emitting diodes on silicon substrate 2022-10-20发布 2023-01-01实施 N AND SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11866—2022 目次 前言 III 引言 ....IV 1范围. ..1 2规范性引用文件. .1 3术语和定义 ....1 4要求. 1 5检验方法 6检验规则 7包装、运输 BUSTRY AN 3 MAECHNO 5 9 8其他说明 9 GJ 附录A(规范性 11 附录B(规范 15 附录C(规范性) 电耐久 17 MULSININ STANDARDS ...

ICS29.045 CCS H83 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11865—2022 功率器件用中150mmn型碳化硅衬底 150 mm n-type silicon carbide substrate for power devices 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11865-2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由中国电子技术标准化研究院归口. 本文件起草单位：山东天岳先进科技股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集 团公司第十三研究所、中国电子科技集团公可第五十五研究所、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、 全球能源互联网研究院有限公司、株洲中 代电气股份有限公司 中国电子科技集团公司第四十六研 究所、东莞市天域半导体利技有限公司 江苏卓远半 本文件主要起草人 含 宋生、张红岩、张秋、高 文涛、杨世兴、房玉龙、李 赞、冯淦、杨霏、李诚腾、 上英 、韩景瑞、李国平. IND ECHNO SJ STANDARDS SJ/T11865—2022 功率器件用中150mmn型碳化硅衬底 1范围 本文件规定了功率器件用150mmn型碳化硅(SiC)衬底的术语、要求、检验方法、检验规则、标 志、包装、运输和储存. 本文件适用于经抛光后制备的中150mmn型SiC衬底，晶型为4H. 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过 AND INFORA 中的规范 用间构成本 .其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适 U :不注日期的引用文件，其最 配放纯 泡的修改单)适用于本 文件. GB/T2828 抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQ)检索的批检验抽样计划 GB/T6616 硅片及膜薄层电阻测试方法 接触流 GB/T1338 硅及其它官电子材料晶片参老长度测量方法 GB/T 13388硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 GB/T 14264 羊导体科术语 GB/T 24578 硅片表面金属的反射X光荧光光谱测式方法 TECI GB/T 25915. 2021 净室及相受坏境第一部分：技粒子浓度划分尘洁净度等级 GB/T 30666 2014碳化硅单晶抛光片鑫 8 GB/T 30866 碳化硅单品片直径测试方法 GB/T30867 碳化硅单品系原度和总厚度变化试方 GB/T 31s5n 碳化硅单晶抛光微管度无损检测方法 GB/T 321 8 食化镓单晶衬底片射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 GB/T32278碳化硅单晶片平整度测试方法 SJ/T11500 碳化硅单晶晶向的测试方法 MOOTON SJ/T1150 碳残单晶晶型的测试方法 SJ/T11503 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法 SJ/T11504 碳化硅单品抛光片表面质量的测试方法 YS/T 26 硅片边缘轮 金法 3术语和定义 CANDARDS GB/T14264和GB/T30656一2014界定的木语和定义适用于本文件. 3.1 碳化硅衬底silicon carbide substrate 从碳化硅单晶经切割、研磨、抛光、清洗等加工步骤制备的符合外延要求的圆形衬底. 3.2 合格质量区fixed quality area(FQA) 衬底的合格质量区是扣除边缘去除区的剩余区域，衬底参数在这一区域被测量并提供.中150mm n型...

ICS29.045 CCS H83 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11864—2022 半绝缘型碳化硅单晶衬底 Semi-insulating silicon carbide single crystal substrate 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 FANDARON SJ/T11864-2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由中国电子技术标准化研究院归口. 本文件起草单位：山东天岳先进科技股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集 团公司第十三研究所、中国电子科技集团公可第五十五研究所、苏州能讯高能半导体有限公司、中国电 子科技集团公司第四十六研究所、江苏桌远 导体有限生 本文件主要起草人：高超、张红 木王、 张秋、染庆瑞RM 涛、杨世兴、房玉龙、李资、任勉、 王英民、李国平. INDUSTR HO人 SJ STANDARDS SJ/T11864—2022 半绝缘型碳化硅单晶衬底 1范围 本文件规定了半绝缘型碳化硅(SiC)单晶衬底的术语、分类、要求、检验方法、检验规则以及标志、 包装、运输、贮存等. 本文件适用于经抛光后制备的50.8mm 76.2mm 100.0mm 150.0mm半绝缘型SiC衬 底，晶型为4H. 2规范性引用文件 下列文件中的内容 通过 AND INFORA 仅该日期对应的版适用购规范 用而构成本 .其中，注日期的引用文件， 文 :不注日期的引用文件，其取新版个 C 包招的修改单)适用于本 文件. S GB/T28281 数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检素的逐批检验抽样计划 GB/T13387人健及其它电材料品片而长度测量方法 GB/T13388 硅片参者面结晶学取向射线测量方法 GB/T 14264半导体材料术语 GB/T 2591—2021洁净室及相关受控环境第一部分：按粒子浓度戈划分空气清净度等级 GB/T 30656 2014豪化硅单链抛光 GB/T 30866 碳化硅单晶片直径测试方 GB/T306 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 碳化硅单抛光片微管密度无损测方法 GB/T32188氨化镓单晶底片X射绒双晶招摆曲线半宽测试方法 GB/T 327 碳化硅单晶平整度式方法 SJ/T 1500 碳化硅单晶晶向的测试方法 SJ/T11501碳化硅单晶晶型的测试方法 CHNOLOGY SJ/T11503化单晶抛光片表面粗糙度的测试方法 SJ/T11504碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法 YS/T26硅片边缘轮廓检验方法 3术语和定义 GB/T14264和GB/T30 TA界大ARDS 4分类 按照GB/T30656一2014的规定，SiC衬底分为三个等级：工业级(P级)、研究级(R级)和试片 级(D级). 5要求 5.1几何参数 SiC衬底的几何参数应符合表1的规定. ...

ICS31.030 CCS L90 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11863—2022 单片超大尺寸掩模板装载盒规范 Specification for ultra large size mask substrate case 2022-10-20发布 2023-01-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ SJ/T11863-2022 目次 前言 ..I 1范围.. .1 2规范性引用文件 3术语和定义 ...1 4要求 ...1 SJ/T11863—2022 前言 本标准按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口. 本文件主要起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院、深圳清溢光电股份有限公司. 本文件主要起草人：王香、曹可慰、万承华、等琪、张莹、冯亚斌、张理、付雪涛. INDUSTRY O会 FORMAIION IECHNO SJ STANDARDS ...

ICS29.220.01 CCS K80 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11862—2022 锂电池术语 Terminology of lithium battery 2022-10-20发布 2023-01-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ SJ/T11862—2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国碱性蓄电池标准化技术委员会归口 本文件起草单位：工业和信息化电子工业标准化研究院惠州亿纬锂能股份有限公司、宁德时代 新能源科技股份有限公司、清华大学 天种电池稀限公司深圳市比亚迪锂电池股份有限公司、 东莞迈科电池有限公司 中国 院物理研究所、北京卫监新科技有限公司. 本文件主要起草 张寿波、张新河、黄华英、 李泓、俞会根. 0 IND MULSINIW E豫CHNO SJ STANDARDSI SJ/T11862-2022 锂电池术语 1范围 本文件规定了用于锂电池的一般术语. 本文件适用于锂原电池和锂蓄电池. 2规范性引用文件 下列文件中的内容通R AND INFORM 中的规范性引用而构成本文件必 . 基中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适甲呼本文件；不注日期的引用文件，其最新版 5 活的修改单)适用于本 文件. ON GB/T2900 12008 电工术语电池和蓄电池 3术语和定义 GB/T2900.412008 界定的以及下列术语和定义适用于本文件 3.1基本概含 U TECHNO 3.1.1 锂原电池hium primary battery 负极为理，被设计为不可充电的电池，也叫锂一次电池.包括单体锂原地和理原电池组. 3.1.2 锂离子电池lithium ion battery 利用锂离子作为导电离子在正极和负极之间移动，通过化学能和电能相互转化实现充放电的电池. 包括单体锂离子电池和锂子电池组 3.1.3 锂金属蓄电池rechargeable lithium metal cendary liehium metal battery 电池中负极侧含有金属锂，且被设计为可充电的电池.也叫可充放金属锂电池. 3.1.4 锂蓄电池rechargeable lithium battery;secondary lithium battery 锂离子电池和锂金属蓄电池统称为锂蓄电池，也叫锂二次电池.包括单体锂蓄电池和锂蓄电池组. 3.1.5 单体锂离子电池lithium ion cell 锂离子电池的基本单元，由电极片、电解质和外壳等构成. 3.1.6 锂离子电池组lithium ion battery 装配有使用所必需的装置（如外壳、端子、标志或保护管理装置）的一个或多个单体锂离子电池构 成的组合. 1 ...

ICS31.030 CCS L90 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11860—2022 代替SJ/Z1081—1976~SJ/Z10961976 电镀溶液成分分析方法 Test methods for plating solution position 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中国人民共和国工业和信息化部发布 OFANDARDO SJ/T11860-2022 目次 前言 .....III 1范围 . ....1 2规范性引用文件. .1 3一般要求. ..1 3.1试验条件. ....1 3.2试验报告. .1 4详细要求. 2 方法101镀镍溶液成分分 法 .3 方法101-1镍含量分机方法 ..3 方法101-2期酸量分折方法 ...4 方法102镀格溶成分分析方法 ..6 SJ 方法1021三氧化铬 3则定 ..6 方法102-2 硫酸的测 ND.INFORMATION TE .8 方法103 11 方法 11 方法 CHNOLO 12 方法1030 .15 方法103 .17 方法10 .19 方法1042价锡含量分析 ...19 方法104-2 游离硫酸的测 ...21 方法10431 榔甲基磺酸含量分析方法 ...23 方法105钱锌浴液成分分析方法 ......24 方法105-1锌含量的测定 .....24 方法106镀铂浴液成分分析 方法107 镀钯溶液成分分析 方法108 镀佬溶液成分分析方法 方法201 电镀溶液杂质分析原 乙 MDARDS ....25 ...26 ..27 ..28 方法202 电镀溶液金属杂质分析电感耦合等离子发射光谱法 ...30 方法301 氰化镀锌溶液中氧化锌的分析方法 .....31 方法302氰化镀铜溶液中铜的分析方法 ....31 方法302-1EDTA滴定法 ...32 方法302-2碘量法. ...33 方法303 氰化镀银溶液中银的分析方法 ....33 方法304氰化镀镉溶液中镉的分析方法 ....35 方法305氰化镀金溶液中金的分析方法 . .....36 方法305-1碘量法. ...36 方法305-2原子吸收分光光度法 37 I SJ/T11860—2022 方法401氰化镀铜锡合金溶液分析方法 39 方法401-1氰化亚铜的测定... ......39 方法401-2锡酸钠的测定 方法402镀铅锡合金溶液典型分析方法41 方法402-1铅的测定 ...41 方法402-2锡的测定 ....42 方法403氰化镀铜锌合金溶液典型分析方法 ...43 方法403-1铜、锌的连续测定 ...43 II ...

ICS29.160.73 CCS K 24 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11859—2022 微型水泵用单相永磁同步电动机通用规范 General specification of single-phase permanent magnet synchronous motor for micro water pump 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11859-2022 目次 前言 ......III 1范围 ..1 2规范性引用文件. ......1 3术语和定义. 2 4要求. 4.1环境条件和工作制 2 4.2外观. 2 4.3性能要求 4.4安全要求 IRYAND.INFORMATION .. 2 3 4.5噪声. 4 4.6环境适应 5 4.7寿命 5 5试验方法 5 5.1试验件 5 5.2外观 5 5.3性能要求椎查 SJ TECHN 6 5.4安全要求檀查 7 5.5声 8 5.6环境适应能 5.7寿命. 0L0 ....9 ....10 6检验规则. 10 6.1检验分类 10 6.2出厂检验项口及规则 ..10 6.3型式检验项目及规则 ...10 7标志、包装、运输、 11 7.1标志 TANDARDS 11 7.2包装 11 7.3运输 12 7.4贮存 12 附录A(资料性)电动机型号、基本参数、测试用配套泵壳、叶轮参考尺寸 ......13 附录B(规范性)电动机基本参数测试方法 附录C(规范性)电动机泥沙试验方法. 20 附录D(规范性)电动机异物试验方法... 21 附录E(规范性)电动机噪声测试方法... 22 附录F(规范性)电动机寿命试验方法 23 I ...

ICS29.160.73 CCS K 24 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11858—2022 贴片式微型振动器通用规范 General specification of SMT micro vibrator 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 FANDARDS SJ/T11858-2022 目次 前言 III 1范围. .1 2规范性引用文件. .1 3术语和定义.. .1 4技术要求 2 4.1总则. 2 4.2外观. 2 4.3外形及安装尺寸 2 4.4轴向间隙 2 4.5绝缘电阻 2 4.6端子电 Y.AND.INFORMATION 2 4.7旋转方向 2 4.8起动电压 2 4.9额定转速 2 4.10 额定流 2 4.11 转电 流 2 4.12 共面特性 3 4.13 是 3 4.14 动啊应时间 TECHNOL 3 4.15振动 SJ 3 4.16 重量 3 4.17平衡块定 4.18回流特性 1301 3 3 4.19阻燃. 3 4.20 压力贮存 3 4.21 低温贮存 STANDARDS 3 4.22高温贮存 3 4.23 温度变化 3 4.24 恒定湿热 3 4.25 振动 4 4.26跌落. 4 4.27静电敏感 5 4.28盐雾.. 5 4.29寿命... 5 4.30寿命试验后性能. 6 5试验方法. 7 5.1试验条件 7 5.2外观. 7 5.3外形及安装尺寸 7 I SJ/T11858-2022 5.4 轴向间隙 7 5.5 绝缘电阻 .7 5.6 端子电阻 .7 5.7 旋转方向 ..8 5.8 起动电压. .8 5.9 额定转速. .8 5.10额定电流 ..8 5.11 堵转电流. .8 5.12 共面特性. .8 5.13 噪声. ..8 5.14 振动响应时间. ...8 5.15 振动量 *9 5.16 重量. .9 5.17 平衡块固定力 ..9 5.18 回流特性. .9 5.19 低温贮存. ..9 5.20 高温贮存. ....9 5.21 温度变化 .9 5.22 恒定湿热. .10 5.23 振动 ...10 5.24跌落.. .10 5.25静电敏感. ..10 5.26盐雾试验... ....11 5.27寿命. .11 6检验规则... ...11 6.1检验分类. ..11 6.2出厂检验项目及规则 ....11 6.3型式检验项目及规则. .12 6.4验收检验. ..13 7质量保证期 ..13 8标志、包装、运输和储存 .....14 8.1标志. .14 8.2包装 ....14 8.3运输. ....14 8.4储存.. .14 9型式与基本参数. .....14 9.1型号命名. ...14 9.2性能参数.. ...14 9.3环境条件， .14 附录A(资料性)产品型号 15 II ...

ICS29.160.73 CCS K 24 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11857—2022 家电用电子整流无刷直流电动机 General specification of appliances with electronically mutated brushless DC motor 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11857-2022 目次 前言 III 1范围. ..1 2规范性引用文件. ..1 3术语和定义. 1 4技术要求.. 2 4.1环境条件、工作制及防护等 2 4.2外观及机械装配 2 4.3性能要求 2 4.4接地. 4.5 温升 4.6非正常 4.7 介电能试 4.8泄洞电流 4.9交变湿热 4.10 声 D.JINFORMATION TECH 2 2 2 2 3 3 3 4.11 3 4.12 3 4.13 3 4.14 谷 3 4.15防爆性能 SJ 5 5试验方法. A90 5 5.1试验要求 5 5.2外观及机 5 5.3性能要求 5 5.4接地.. 5 5.5 温升 STANDARDS 5 5.6 非正常试验 5 5.7 介电性能试验 5 5.8 泄漏电流 5 5.9交变湿热 5 5.10 噪声. 5 5.11 自身振动 6 5.12 效率 6 5.13低温.. 6 5.14 电磁兼容性，.. 6 5.15防爆性能.. 6 6检验规则. 6 6.1检验分类.. 6 6.2出厂检验项目及规则 6 I SJ/T11857—2022 6.3型式检验项目及规则.... .6 7包装、储存、运输、保质期. 7.1包装 ...7 ....7 7.3储存.. ...7 7.4质保期 ..7 附录A(资料性)电机型号命名编制方法 ....8 II ...

ICS33.180 CCS M33 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11856.3—2022 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第3部分：光源用电吸收调制型半导体 激光器芯片 Specification for semiconductor laser chip used in optical fiber munication Part 3:electro absorption modulated semiconductor laser chip 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 FANDARDO SJ/T11856.3—2022 目次 前言. III 引言 ....IV 1范围. .1 2规范性引用文件 .1 3术语和定义 ...1 4缩略语 2 5技术要求. 2 5.1光电特性 DUSTRY AND 2 5.2芯片材料 4 5.3表面质量 4 5.4 芯片 4 5.5 剪切 力和金丝 4 5.6 ESDS式验要求 5.7 高温 5.8 低温存 :: SJ 4 4 4 5.9 温度循 4 5.10 红 4 5.11 高温 4 5.12恒定通 工作) 4 6检验方法.. 5 6.1测试环境 5 6.2测试仪琴要求 5 6.3光电特性 5 6.4物理特性. 6 6.5环境适应性.. 7 7检验规则. STAMDARDS 7 7.1检验分类 7 7.2筛选. ...7 7.3出厂检验 8 7.4型式检验 .8 8包装、标志、产品说明书和贮存. ...9 8.1包装. .9 8.2标志.. ...10 8.3产品说明书.. 10 8.4贮存 10 9其他. 10 I SJ/T11856.3—2022 附录A(规范性)波长分配表. 11 II ...

ICS33.180 CCS M 33 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11856.2—2022 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第2部分：光源用垂直腔面发射型半导体激 光器芯片 Specification for semiconductor laser chip used in optical fiber munication Part 2:Vertical cavity surface emitting diode laser chip 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11856.2-2022 目次 前言 III 引言 .....IV 1范围. 2规范性引用文件. ..1 3术语和定义. ....1 4缩略语. 2 5技术要求.. 5.1光电特性 5.2芯片材料 5.3表面质量 OUSIRY AND.INFORMATION 2 2 3 4 5.4芯片尺 4 5.5 剪切力和金丝键合 SJ TECHN 4 5.6 ESDS 4 5.7 高 温 4 5.8 低温存 4 5.9 温 4 5.10 4 5.11 温丰 00TO 4 5.12恒定湿热 工作) 4 6检验方法. 4 6.1测试环境 4 6.2测试仪馨要求羽 4 6.3光电特性 5 6.4物理特性. 6 6.5环境适应性. 6 7检验规则. TAMDARDS 6 7.1检验分类 6 7.2筛选. 7.3出厂检验 .7 7.4型式检验 ...7 8包装、标志、产品说明书和贮存 ...9 8.1包装 9 8.2标志. 9 8.3产品说明书. 9 8.4贮存 9 9其他 9 I ...

ICS33.180 CCS M 33 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11856.1—2022 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第1部分：光源用法布里-泊罗型及分布式 型半导体激光器芯片 Specification for semiconductor laser chip used in optical fiber munication Part 1:Fabry-Perot and distributed feedback semiconductor laser chip 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11856.1-2022 目次 前言 III 引言 ..IV 1范围. .1 2规范性引用文件 .1 3术语和定义 .1 4缩略语.. 5技术要求 5.1分类.. 5.2光电特性 DUSTRY AND 2 INFORMATIOA 3 3 3 5.3芯片材科 6 5.4 表面 6 5.5 芯片 6 5.6 剪切力和金 5.7 ESDS 5.8 仔 5.9 低 温 SJ TECHNOL 6 6 6 6 5.10 6 5.11 重定湿 6 5.12高温 6 5.13恒定湿 工作 6 6检验方法 7 6.1测试环条 7 6.2测试仪器 7 6.4物理特性. STANDARDS ... 8 6.5环境适应性. 8 7检验规则.. 8 7.1检验分类 ....8 7.2筛选. ...9 7.3出厂检验 .9 7.4型式检验 ...9 8包装、标志、产品说明书和贮存 ..11 8.1包装. .11 8.2标志. ..11 8.3产品说明书. ... 11 8.4贮存 11 9其他. 11 I SJ/T11856.1-2022 附录A(规范性)波长分配表 12 II ...

ICS27.160 CCS L95 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11855—2022 光伏用紫外老化试验箱辐照性能测试方法 Test method for irradiance performance of ultra-violet test chamber for photovoltaic(PV)application 2022-10-20发布 2023-01-01实施 N 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ SJ/T11855—2022 目次 前言 I 1范围. ....1 2规范性引用文件. .1 3术语和定义. .1 4测试环境 . ... 2 5测试设备. 2 5.1紫外辐射照度计 2 5.2光谱仪或其他具备测量光谱分布功能的设备 ..2 6测试步骤.， 2 6.1准备工作 2 6.2紫外辐射波长分布的测量 .2 6.3指定测量平面上各波长范围的紫外辐照度的测量.. .2 6.4指定测试平面上紫外辐照度不均匀度测量 7结果处理. 3 7.1紫外辐射波长分布 3 7.2各波长范围的紫外辐照度 3 7.3紫外辐照度不均匀度 .3 8报告 . 4 参考文献 5 SJ/T11855-2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第一部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口. 本文件起草单位：福建省计量科学研究院/国家光伏产业计量测试中心、中国电子技术标准化研究 院、国家电投集团西安太阳能电力有限公司、苏州阿特斯阳光电力科技有限公司、苏州腾晖光伏技术有 限公司、晶澳太阳能控股有限公司、广 州 股份有限公司、莱森光学（深圳）有限公司、上 海泊睿科学仪器有限公司昆山金顿料技有限公司. OR 本文件主要起草人：杨爱 黎健生、冯亚彬、苗林、储银枝 张树德、徐德生、刘晓琴、 周稳稳、黄河、房 IND HO CHNO SJ STANDARDS ...