ICS29.220.01 CCS K80 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11862—2022 锂电池术语 Terminology of lithium battery 2022-10-20发布 2023-01-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ SJ/T11862—2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国碱性蓄电池标准化技术委员会归口 本文件起草单位：工业和信息化电子工业标准化研究院惠州亿纬锂能股份有限公司、宁德时代 新能源科技股份有限公司、清华大学 天种电池稀限公司深圳市比亚迪锂电池股份有限公司、 东莞迈科电池有限公司 中国 院物理研究所、北京卫监新科技有限公司. 本文件主要起草 张寿波、张新河、黄华英、 李泓、俞会根. 0 IND MULSINIW E豫CHNO SJ STANDARDSI SJ/T11862-2022 锂电池术语 1范围 本文件规定了用于锂电池的一般术语. 本文件适用于锂原电池和锂蓄电池. 2规范性引用文件 下列文件中的内容通R AND INFORM 中的规范性引用而构成本文件必 . 基中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适甲呼本文件；不注日期的引用文件，其最新版 5 活的修改单)适用于本 文件. ON GB/T2900 12008 电工术语电池和蓄电池 3术语和定义 GB/T2900.412008 界定的以及下列术语和定义适用于本文件 3.1基本概含 U TECHNO 3.1.1 锂原电池hium primary battery 负极为理，被设计为不可充电的电池，也叫锂一次电池.包括单体锂原地和理原电池组. 3.1.2 锂离子电池lithium ion battery 利用锂离子作为导电离子在正极和负极之间移动，通过化学能和电能相互转化实现充放电的电池. 包括单体锂离子电池和锂子电池组 3.1.3 锂金属蓄电池rechargeable lithium metal cendary liehium metal battery 电池中负极侧含有金属锂，且被设计为可充电的电池.也叫可充放金属锂电池. 3.1.4 锂蓄电池rechargeable lithium battery;secondary lithium battery 锂离子电池和锂金属蓄电池统称为锂蓄电池，也叫锂二次电池.包括单体锂蓄电池和锂蓄电池组. 3.1.5 单体锂离子电池lithium ion cell 锂离子电池的基本单元，由电极片、电解质和外壳等构成. 3.1.6 锂离子电池组lithium ion battery 装配有使用所必需的装置（如外壳、端子、标志或保护管理装置）的一个或多个单体锂离子电池构 成的组合. 1 ...

ICS31.030 CCS L90 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11860—2022 代替SJ/Z1081—1976~SJ/Z10961976 电镀溶液成分分析方法 Test methods for plating solution position 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中国人民共和国工业和信息化部发布 OFANDARDO SJ/T11860-2022 目次 前言 .....III 1范围 . ....1 2规范性引用文件. .1 3一般要求. ..1 3.1试验条件. ....1 3.2试验报告. .1 4详细要求. 2 方法101镀镍溶液成分分 法 .3 方法101-1镍含量分机方法 ..3 方法101-2期酸量分折方法 ...4 方法102镀格溶成分分析方法 ..6 SJ 方法1021三氧化铬 3则定 ..6 方法102-2 硫酸的测 ND.INFORMATION TE .8 方法103 11 方法 11 方法 CHNOLO 12 方法1030 .15 方法103 .17 方法10 .19 方法1042价锡含量分析 ...19 方法104-2 游离硫酸的测 ...21 方法10431 榔甲基磺酸含量分析方法 ...23 方法105钱锌浴液成分分析方法 ......24 方法105-1锌含量的测定 .....24 方法106镀铂浴液成分分析 方法107 镀钯溶液成分分析 方法108 镀佬溶液成分分析方法 方法201 电镀溶液杂质分析原 乙 MDARDS ....25 ...26 ..27 ..28 方法202 电镀溶液金属杂质分析电感耦合等离子发射光谱法 ...30 方法301 氰化镀锌溶液中氧化锌的分析方法 .....31 方法302氰化镀铜溶液中铜的分析方法 ....31 方法302-1EDTA滴定法 ...32 方法302-2碘量法. ...33 方法303 氰化镀银溶液中银的分析方法 ....33 方法304氰化镀镉溶液中镉的分析方法 ....35 方法305氰化镀金溶液中金的分析方法 . .....36 方法305-1碘量法. ...36 方法305-2原子吸收分光光度法 37 I SJ/T11860—2022 方法401氰化镀铜锡合金溶液分析方法 39 方法401-1氰化亚铜的测定... ......39 方法401-2锡酸钠的测定 方法402镀铅锡合金溶液典型分析方法41 方法402-1铅的测定 ...41 方法402-2锡的测定 ....42 方法403氰化镀铜锌合金溶液典型分析方法 ...43 方法403-1铜、锌的连续测定 ...43 II ...

ICS29.160.73 CCS K 24 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11859—2022 微型水泵用单相永磁同步电动机通用规范 General specification of single-phase permanent magnet synchronous motor for micro water pump 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11859-2022 目次 前言 ......III 1范围 ..1 2规范性引用文件. ......1 3术语和定义. 2 4要求. 4.1环境条件和工作制 2 4.2外观. 2 4.3性能要求 4.4安全要求 IRYAND.INFORMATION .. 2 3 4.5噪声. 4 4.6环境适应 5 4.7寿命 5 5试验方法 5 5.1试验件 5 5.2外观 5 5.3性能要求椎查 SJ TECHN 6 5.4安全要求檀查 7 5.5声 8 5.6环境适应能 5.7寿命. 0L0 ....9 ....10 6检验规则. 10 6.1检验分类 10 6.2出厂检验项口及规则 ..10 6.3型式检验项目及规则 ...10 7标志、包装、运输、 11 7.1标志 TANDARDS 11 7.2包装 11 7.3运输 12 7.4贮存 12 附录A(资料性)电动机型号、基本参数、测试用配套泵壳、叶轮参考尺寸 ......13 附录B(规范性)电动机基本参数测试方法 附录C(规范性)电动机泥沙试验方法. 20 附录D(规范性)电动机异物试验方法... 21 附录E(规范性)电动机噪声测试方法... 22 附录F(规范性)电动机寿命试验方法 23 I ...

ICS29.160.73 CCS K 24 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11858—2022 贴片式微型振动器通用规范 General specification of SMT micro vibrator 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 FANDARDS SJ/T11858-2022 目次 前言 III 1范围. .1 2规范性引用文件. .1 3术语和定义.. .1 4技术要求 2 4.1总则. 2 4.2外观. 2 4.3外形及安装尺寸 2 4.4轴向间隙 2 4.5绝缘电阻 2 4.6端子电 Y.AND.INFORMATION 2 4.7旋转方向 2 4.8起动电压 2 4.9额定转速 2 4.10 额定流 2 4.11 转电 流 2 4.12 共面特性 3 4.13 是 3 4.14 动啊应时间 TECHNOL 3 4.15振动 SJ 3 4.16 重量 3 4.17平衡块定 4.18回流特性 1301 3 3 4.19阻燃. 3 4.20 压力贮存 3 4.21 低温贮存 STANDARDS 3 4.22高温贮存 3 4.23 温度变化 3 4.24 恒定湿热 3 4.25 振动 4 4.26跌落. 4 4.27静电敏感 5 4.28盐雾.. 5 4.29寿命... 5 4.30寿命试验后性能. 6 5试验方法. 7 5.1试验条件 7 5.2外观. 7 5.3外形及安装尺寸 7 I SJ/T11858-2022 5.4 轴向间隙 7 5.5 绝缘电阻 .7 5.6 端子电阻 .7 5.7 旋转方向 ..8 5.8 起动电压. .8 5.9 额定转速. .8 5.10额定电流 ..8 5.11 堵转电流. .8 5.12 共面特性. .8 5.13 噪声. ..8 5.14 振动响应时间. ...8 5.15 振动量 *9 5.16 重量. .9 5.17 平衡块固定力 ..9 5.18 回流特性. .9 5.19 低温贮存. ..9 5.20 高温贮存. ....9 5.21 温度变化 .9 5.22 恒定湿热. .10 5.23 振动 ...10 5.24跌落.. .10 5.25静电敏感. ..10 5.26盐雾试验... ....11 5.27寿命. .11 6检验规则... ...11 6.1检验分类. ..11 6.2出厂检验项目及规则 ....11 6.3型式检验项目及规则. .12 6.4验收检验. ..13 7质量保证期 ..13 8标志、包装、运输和储存 .....14 8.1标志. .14 8.2包装 ....14 8.3运输. ....14 8.4储存.. .14 9型式与基本参数. .....14 9.1型号命名. ...14 9.2性能参数.. ...14 9.3环境条件， .14 附录A(资料性)产品型号 15 II ...

ICS29.160.73 CCS K 24 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11857—2022 家电用电子整流无刷直流电动机 General specification of appliances with electronically mutated brushless DC motor 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11857-2022 目次 前言 III 1范围. ..1 2规范性引用文件. ..1 3术语和定义. 1 4技术要求.. 2 4.1环境条件、工作制及防护等 2 4.2外观及机械装配 2 4.3性能要求 2 4.4接地. 4.5 温升 4.6非正常 4.7 介电能试 4.8泄洞电流 4.9交变湿热 4.10 声 D.JINFORMATION TECH 2 2 2 2 3 3 3 4.11 3 4.12 3 4.13 3 4.14 谷 3 4.15防爆性能 SJ 5 5试验方法. A90 5 5.1试验要求 5 5.2外观及机 5 5.3性能要求 5 5.4接地.. 5 5.5 温升 STANDARDS 5 5.6 非正常试验 5 5.7 介电性能试验 5 5.8 泄漏电流 5 5.9交变湿热 5 5.10 噪声. 5 5.11 自身振动 6 5.12 效率 6 5.13低温.. 6 5.14 电磁兼容性，.. 6 5.15防爆性能.. 6 6检验规则. 6 6.1检验分类.. 6 6.2出厂检验项目及规则 6 I SJ/T11857—2022 6.3型式检验项目及规则.... .6 7包装、储存、运输、保质期. 7.1包装 ...7 ....7 7.3储存.. ...7 7.4质保期 ..7 附录A(资料性)电机型号命名编制方法 ....8 II ...

ICS33.180 CCS M33 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11856.3—2022 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第3部分：光源用电吸收调制型半导体 激光器芯片 Specification for semiconductor laser chip used in optical fiber munication Part 3:electro absorption modulated semiconductor laser chip 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 FANDARDO SJ/T11856.3—2022 目次 前言. III 引言 ....IV 1范围. .1 2规范性引用文件 .1 3术语和定义 ...1 4缩略语 2 5技术要求. 2 5.1光电特性 DUSTRY AND 2 5.2芯片材料 4 5.3表面质量 4 5.4 芯片 4 5.5 剪切 力和金丝 4 5.6 ESDS式验要求 5.7 高温 5.8 低温存 :: SJ 4 4 4 5.9 温度循 4 5.10 红 4 5.11 高温 4 5.12恒定通 工作) 4 6检验方法.. 5 6.1测试环境 5 6.2测试仪琴要求 5 6.3光电特性 5 6.4物理特性. 6 6.5环境适应性.. 7 7检验规则. STAMDARDS 7 7.1检验分类 7 7.2筛选. ...7 7.3出厂检验 8 7.4型式检验 .8 8包装、标志、产品说明书和贮存. ...9 8.1包装. .9 8.2标志.. ...10 8.3产品说明书.. 10 8.4贮存 10 9其他. 10 I SJ/T11856.3—2022 附录A(规范性)波长分配表. 11 II ...

ICS33.180 CCS M 33 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11856.2—2022 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第2部分：光源用垂直腔面发射型半导体激 光器芯片 Specification for semiconductor laser chip used in optical fiber munication Part 2:Vertical cavity surface emitting diode laser chip 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11856.2-2022 目次 前言 III 引言 .....IV 1范围. 2规范性引用文件. ..1 3术语和定义. ....1 4缩略语. 2 5技术要求.. 5.1光电特性 5.2芯片材料 5.3表面质量 OUSIRY AND.INFORMATION 2 2 3 4 5.4芯片尺 4 5.5 剪切力和金丝键合 SJ TECHN 4 5.6 ESDS 4 5.7 高 温 4 5.8 低温存 4 5.9 温 4 5.10 4 5.11 温丰 00TO 4 5.12恒定湿热 工作) 4 6检验方法. 4 6.1测试环境 4 6.2测试仪馨要求羽 4 6.3光电特性 5 6.4物理特性. 6 6.5环境适应性. 6 7检验规则. TAMDARDS 6 7.1检验分类 6 7.2筛选. 7.3出厂检验 .7 7.4型式检验 ...7 8包装、标志、产品说明书和贮存 ...9 8.1包装 9 8.2标志. 9 8.3产品说明书. 9 8.4贮存 9 9其他 9 I ...

ICS33.180 CCS M 33 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11856.1—2022 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 第1部分：光源用法布里-泊罗型及分布式 型半导体激光器芯片 Specification for semiconductor laser chip used in optical fiber munication Part 1:Fabry-Perot and distributed feedback semiconductor laser chip 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11856.1-2022 目次 前言 III 引言 ..IV 1范围. .1 2规范性引用文件 .1 3术语和定义 .1 4缩略语.. 5技术要求 5.1分类.. 5.2光电特性 DUSTRY AND 2 INFORMATIOA 3 3 3 5.3芯片材科 6 5.4 表面 6 5.5 芯片 6 5.6 剪切力和金 5.7 ESDS 5.8 仔 5.9 低 温 SJ TECHNOL 6 6 6 6 5.10 6 5.11 重定湿 6 5.12高温 6 5.13恒定湿 工作 6 6检验方法 7 6.1测试环条 7 6.2测试仪器 7 6.4物理特性. STANDARDS ... 8 6.5环境适应性. 8 7检验规则.. 8 7.1检验分类 ....8 7.2筛选. ...9 7.3出厂检验 .9 7.4型式检验 ...9 8包装、标志、产品说明书和贮存 ..11 8.1包装. .11 8.2标志. ..11 8.3产品说明书. ... 11 8.4贮存 11 9其他. 11 I SJ/T11856.1-2022 附录A(规范性)波长分配表 12 II ...

ICS27.160 CCS L95 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11855—2022 光伏用紫外老化试验箱辐照性能测试方法 Test method for irradiance performance of ultra-violet test chamber for photovoltaic(PV)application 2022-10-20发布 2023-01-01实施 N 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ SJ/T11855—2022 目次 前言 I 1范围. ....1 2规范性引用文件. .1 3术语和定义. .1 4测试环境 . ... 2 5测试设备. 2 5.1紫外辐射照度计 2 5.2光谱仪或其他具备测量光谱分布功能的设备 ..2 6测试步骤.， 2 6.1准备工作 2 6.2紫外辐射波长分布的测量 .2 6.3指定测量平面上各波长范围的紫外辐照度的测量.. .2 6.4指定测试平面上紫外辐照度不均匀度测量 7结果处理. 3 7.1紫外辐射波长分布 3 7.2各波长范围的紫外辐照度 3 7.3紫外辐照度不均匀度 .3 8报告 . 4 参考文献 5 SJ/T11855-2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第一部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口. 本文件起草单位：福建省计量科学研究院/国家光伏产业计量测试中心、中国电子技术标准化研究 院、国家电投集团西安太阳能电力有限公司、苏州阿特斯阳光电力科技有限公司、苏州腾晖光伏技术有 限公司、晶澳太阳能控股有限公司、广 州 股份有限公司、莱森光学（深圳）有限公司、上 海泊睿科学仪器有限公司昆山金顿料技有限公司. OR 本文件主要起草人：杨爱 黎健生、冯亚彬、苗林、储银枝 张树德、徐德生、刘晓琴、 周稳稳、黄河、房 IND HO CHNO SJ STANDARDS ...

ICS31.220 CCS L97 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11854—2022 光伏用直拉单晶炉 Czochalski single-crystal silicon growing furnaces used for PV 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 TANDAA SJ/T11854-2022 目次 前言. Ⅲ 1范围.. .1 2规范性引用文件. .1 3术语和定义. ..1 4产品型号及构成 ...1 4.1型号标记 ..1 4.2主要构成 2 5工作条件 6要求.. ISTRY AND 2 2 6.1外观要求 INFORMATION 2 6.2基本性能 3 6.3工艺姓能要求 3 6.4安全要求 4 6.5工艺稳定性要求 5 7试验方法 5 7.1外观检查 5 7.2基本性能检测 NO 5 7.3工艺世脂 6 7.4安全松 SJ 7 7.5工稳 测 8 8检验规则. 8 8.1检验分类 IW 8 8.2鉴定检验 8 8.3出厂检验 8 8.4判定规则. 9 9包装、运输、贮存 STANDARDS 9 9.1包装和运输 9 9.2贮存 9 ...

ICS31.220 CCS L97 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11853—2022 正压悬浮区熔单晶硅炉 Single-crystal silicon growing furnace by positive pressure float zone melting 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 3 心 SJ/T11853—2022 目次 前言. ... I 1范围.... .1 2规范性引用文件 3术语和定义 ..1 4产品型号及构成 * 2 5工作条件 .. 3 6要求.... 3 7试验方法 5 8检验规则.. 8 9标志、包装、运输和储存 9 SJ/T11853—2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由中华人民共和国工业和信息化部电子信息司提出. 本文件由全国半导体材料与设备标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本文件起草单位：浙江晶盛机电股份有限公司、浙江晶鸿精密机械制造有限公司、浙江求是半导体 设备有限公司、天津中环领先材料技术有限公 司 国电子技术标准化研究院. 本文件主要起草人：曹建伟： 朱亮 叶钢飞、刘嘉、王遵义、孙健、曹可 慰、吴怡然、李其聪 USTR OF IND AULSINIIN SJ STANDARDS ...

ICS29.220.99 CCS K 82 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11852—2022 服务机器人用锂离子电池和电池组 通用规范 General specification for Lithium ion cells and batteries used in service robots 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11852—2022 目次 前言 III 1范围 ..1 2规范性引用文件. ..1 3术语和定义. ...1 4试验条件.. ..4 4.1试验的适用性 4 4.2试验的环境条件 4 4.3参数测量公差 4 4.4 温度测量方法 4 4.5 测试用充放电程序 5 4.6 型式试验 5 4.7 模拟故酶或异 7 5标记及文件 7 5.1标识警示说明 7 5.2 规格书及参数 FECHA 8 6性能 8 6.1 初始容量 8 6.2 高温容量 SJ 9 6.3 低温谷量 . . 9 6.4倍率 . . . 9 6.5荷电保持能 ...9 6.6容量恢 10 6.7循环寿命 10 6.8内阻. 10 7安全 11 7.1高温外部短路 11 7.2 过充电 STANDARDS ” 11 7.3 强制放电 12 7.4 低气压. .13 7.5 温度循环 .13 7.6 振动. ....14 7.7 加速度冲击. .....14 7.8 跌落. ..15 7.9挤压. ...15 7.10重物冲击.... ..15 7.11热滥用. 16 8电池组的保护.. 16 8.1过压充电保护 16 SJ/T11852-2022 8.2 欠压放电保护 ...16 8.3 过流充电保护 .16 8.4 过载保护 ....17 8.5高温使用. .17 8.6短路保护 .......17 9一致性要求. ....17 9.1一般要求 ..17 9.2单级电池过充保护 ..18 9.3单级电池过放保护 参考文献 ......18 ...20 II ...

ICS31.080.30 CCS L42 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11851—2022 半导体分立器件 S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管 详细规范 Semiconductor discrete devices Detail specification for silicon NPN low power switching transistor pair of S3DK5794 2022-10-20发布 2023-01-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ FANDAROS SJ/T11851—2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)提出并归口. 本文件起草单位：石家庄天林石无二电子有限公司、中国电子技术标准化研究院、北京微电子技术 研究所. 本文件主要起草人：赵玉玲、吕瑞岸、尚盼红、美存、宋凤领、王立康、赵听、崔莹莹、朱伟娜. AND INDUSTRY HO CHNO SJ STANDARDS SJ/T11851-2022 半导体分立器件 S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范 1范围 本文件规定了S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管（以下简称器件）的详细要求. 2规范性引用文件 AND INFOR 下列文件中的内容通过 的规范性 用书山 文件必不的条款.其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版零包抵的修改单)适用于本 文件. GB/T2423. 203环境试验第2部分：试验方法试验Q: GB/T4581994半导体分立器件租集成电路第7部 分双极型晶体管 GB/T 4589一2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T4Z一1995半导体器件机械和气候试验方法 四 GB/T 493.14一2018半导体器件机城和气候试验方法 第14部分：引出端强度（引线牢固度） GB/厂4937.5一2018半导体器件机械和气候试验方法第15部分：通礼安装器件的耐焊接 热 GB/T 07.21-2018 导体器件机械和气候试验方法第21部分：可 性 GB/T7581 1987半导体分外形尺寸 GB/T125501999 半导体器件分立器件分规范 3术语和定义 A9010 本文件没有需要界定的术语和定义. 4要求 STANDARDS 4.1总则 器件应符合本文件的规定. 质量评定类别符合GB/T4589.1一2006和GB/T12560一1999的规定.质量评定类别为Ⅱ类. 4.2设计、结构和外形尺寸 4.2.1器件设计、结构 芯片采用硅外延平面结构，将两个独立工作的芯片封装在同一管壳，并实现电性能的独立，封装采 用金属气密式封装. 4.2.2外形尺寸 ...

ICS31.080.30 CCS L 42 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11850—2022 半导体分立器件 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型 NPN硅小功率开关晶体管详细规范 Semiconductor discrete devices Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of 3DK2219A 3DK2222A and 3DK2222AUB 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 FANDARO心 SJ/T11850—2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)提出并归口. 本文件起草单位：石家庄天林石无二电子有限公司、中国电子技术标准化研究院、北京微电子技术 研究所. 本文件主要起草人：赵王玲、 王立康 宋凤领、赵昕、高盼红、朱伟娜. INDUSTRY HO ECHNOLO SJ STANDARDS SJ/T11850—2022 半导体分立器件3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型 NPN硅小功率开关晶体管详细规范 1范围 本文件规定了3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管（以下简称器 件)的详细要求. 2规范性引用文件 下列文件中的内容通Y AND INFORM 中的规范性引用而构成本文件必 的 条款其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本 (急括的修改单)适用于本 文件. GB/T2423.29 -2013 境试验第2部分：试验方法 式验Q:封 GB/T4581994 半导体分立器件和华成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4589.1-2006 半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T497一1995半导体器件机械和气候试验方法 GB/T 493.14一2018半导体器件机械和气候试验方法 第14部分：引出端强应（引线牢固度） GB/T4937.15-2018 半导体器件机械和气候试验方法第15部分：通孔装器件的耐焊接热 GB/T4987.21-2018 半导体器件机械和气候试验方法第21部分： 可焊性 GB/T758-1987 导体分立器件外形尺寸 GB/T12560—1999 半亲体婴件分立器件分规范 3术语和定 本文件没有要界定的术语和定义. MOOTON 4要求 2 4.1总则 器件应符合本文件的规足 质量评定类别符合GBT4589 A和GB/T RDS 1999的规定.质量评定类别为Ⅱ类. 4.2设计、结构和外形尺寸 4.2.1器件设计、结构 芯片采用硅外延平面结构，封装采用金属气密式封装. 4.2.2外形尺寸 3DK2219A外形符合GB/T7581一1987中A3一02B型的规定.外形图见图1，外形尺寸见表1. ...

ICS31.080.30 CCS L 42 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11849—2022 半导体分立器件 3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范 Semiconductor discrete devices Detail specification for silicon NPN high frequency low power transistor of 3DG3500 and 3DG3501 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11849-2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)提出并归口. 本文件起草单位：石家庄天林石无二电子有限公司、中国电子技术标准化研究院、北京微电子技术 研究所. 本文件主要起草人：赵王玲、 宋凤领 赵昕、高盼红、朱伟娜、崔莹莹. INDUSTRY HO AXL SIN ECHNO SJ STANDARDS SJ/T11849-2022 半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范 1范围 本文件规定了3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率双极型晶体管（以下简称器件）的详细要求. 2规范性引用文件 AND INFOR 下列文件中的内容通过文书的规范性引用而构成本 的条款.其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用本文件：不注日期的引用文件，其最新版包括的修改单)适用于本 文件. GB/T2423.23 2018环境试验第2部分：试验方法试验Q:密封 GB/T45871994半导体分器件和成电路第7部 分双极型晶体 GB/T 45891一2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T493741995 半导体器件机械和候试验方法 GB/T49314一2018半导体器件机械和气候试验方法第14部分：引出强度（引线牢固度） GB/T493715一2018半导体器件机械和气候试验方法第15部分：孔安装器件的耐焊接热 GB/T4937.21一2018半导体器件机械和气候试验方法第21部分： 可焊性 GB/T781- 1987半导体分立器件外形尺寸 GB/T1260—1999 3术语和定义 本文件没有需要界定的术语和定义 MOOTON 4要求 4.1总则 器件应符合本文件的规定. DE 质量评定类别符合6B/T4589 2006和GB/T 56 1999的规定.质量评定类别为Ⅱ类. 4.2设计、结构和外形尺寸 NDA 4.2.1器件设计、结构 芯片采用硅外延平面结构，封装采用金属气密式封装. 4.2.2外形尺寸 外形符合GB/T7581一1987中A3一02B型的规定.外形图见图1，外形尺寸见表1. ...

ICS31.080.30 CCS L42 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11848—2022 半导体分立器件3DG2484型NPN硅高频小 功率晶体管详细规范 Semiconductor discrete devices Detail specification for silicon NPN high frequency low power transistor of 3DG2484 2022-10-20发布 2023-01-01实施 gV ANO SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 FANDARDE SJ/T11848-2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)提出并归口. 本文件起草单位：石家庄天林石无二电子有限公司、中国电子技术标准化研究院、北京微电子技术 研究所. 本文件主要起草人：赵下玲 宋风领 王立康、赵昕、高盼红、崔莹莹. INDUSTRY HO NPORMATION TECHNOL SJ STANDARDSI SJ/T11848—2022 半导体分立器件3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范 1范围 本文件规定了3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管（以下简称器件）的详细要求. 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件 不ND的NFO 其最新版本（包括的修改单）适用于本 文件. GB/T2423.23-2018 ●环境试验 第2部分：试验方 GB/T4587 199 6 分立器件和集成电路第7部分： 双极型体管 GB/T45891 2006 半导体器件第10部分：分立器件和集成电 总规范 GB/T4987- 5 半导体器件机城和气候试验方法 GB/T49374-2018半导休器存机械和气候试验方法 第14部分：升出端强度（引线牢固度） GB/T 93716一2018半导体器件机械和气候试验方法第15部分 通孔 安装器件的耐焊接热 GB/T 4937.21-2018半导体器件 机和气候试验方法第21部分： 性 GB/T7581 1987 导体 分立器件外形尺寸 GB/T125601999 彩导体器件分立件分规范 3术语和定义 4要求 CHNOLOGY 4.1总则 器件应符金本文件的新有规定. 质量评定类别符合GB/下4589.1一2006和GB/T12560一1999的规定.质量评定类别为Ⅱ类. 4.2设计、结构和外形只 4.2.1器件设计、结构 TANDARD 芯片采用硅外延平面结构， 装来用金属气密式封装 4.2.2外形尺寸 外形符合GB/T7581一1987中A3一01B型的规定.外形图见图1，外形尺寸见表1 ...

ICS31.200 CCS L56 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11846—2022 电压调整器低频噪声参数测试方法 Measurement method of low-frequency noise parameters for voltage regulators 2022-10-20发布 2023-01-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11846—2022 目次 前言 III 1范围... 2规范性引用文件 .1 3术语和定义.. .1 4测试条件及要求.. .1 5测试系统的构成及要求 .1 5.1通则.. ..1 5.2测试电路. ...1 6测试程序. . CORMATION TE 2 SJ 6.1测试准备 2 6.2噪声电压 2 6.3输出电 2 6.4数据的记录 2 附录A(资 5件) 4 MULSINIW CHNOLOGY STANDARDS ...

ICS31.080.10 CCS L41 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11845.3—2022 基于低频噪声参数的电子元器件可靠性 评价方法 第3部分：二极管 Reliability evaluation methods for electronic ponents and devices based on low frequency noise Part 3:Diode 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 FANDANOO SJ/T11845.3-2022 目次 前言 I 1范围. .1 2规范性引用文件... 3术语和定义 .1 4一般要求.. ...1 5详细要求.. .1 5.1噪声等级. ....1 5.2噪声测试的技术要求. ..1 5.3评价方法.. .2 6方法应用..... 3 6.1设计及工艺稳定性评价 ..3 6.2批次一致性分析及筛选. 3 SJ/T11845.32022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草. 本文件是《基于低频噪声参数的电子元器件可靠性评价方法》的第3部分. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本文件由基于低频噪声技术的电子元器件可靠性无损检测标准工作组提出并归口. 本文件起草单位：济南市半导体元件实验所、四安电子科技大学、工业和信息化部电子第五研究所、 芜湖赛宝信息产业技术研究院有限公司 东圳市科技有限公 Ao 本文件主要起草人：郭美洋 包军杯、余永涛、 季萍、李兆成、孙立军. INDUSTR HO MATION TECHNOL SJ STANDARDSI ...

ICS31.080.01 CCS L50 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11845.2—2022 基于低频噪声参数的电子元器件可靠性 评价方法 第2部分：光电耦合器件 Reliability evaluation methods for electronic ponents and devices based on low frequency noise-Part 2:Photocouplers 2022-10-20发布 2023-01-01实施 4 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11845.2-2022 目次 前言 I 1范围. 1 2规范性引用文件. .....1 3术语和定义. ..1 般要求n 5详细要求...... ..1 5.1噪声分级.... 1 5.2噪声测试的技术要求 ...1 5.3详细噪声分级.. 2 6方法应用.. 2 6.1设计及工艺稳定性评价 2 SJ/T11845.2-2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草. 本文件是《基于低频噪声参数的电子元器件可靠性评价方法》的第2部分. SJ/T11845《基于低频噪声参数的电子元器件可靠性评价方法》分为若千部分： 第1部分：通用要求： 第2部分：光电耦合器件： 第3部分：二极管： 第4部分：电阻器 TRY AND INFORM 请注意本文伴的 内容 可能涉及专利.本文件的发布机构 系扣积别专利的责任. 本文件由基于低噪声技术的电子元器件可靠性无损检测标准工作组是出归口. 本文件草单位：中国运教技术究院、工业和信息 化电子第五研所芜湖赛宝信息产业 技术研究院有限公司西安电子科技大学、北京瑞普北光电子有限公司、中国电子科技集团公司第四十 四研究所、苏州半导体总 有限公司、深圳量为科技有限公司 本文件起草人： 加春雷、包军林、王四新、熊盛阳、伟、余永涛 星 王君、顾惠萍、 李兆成、孙立 ou CHNOLOGY STANDARDS ...

ICS 31 CCS L04 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11845.1—2022 基于低频噪声参数的电子元器件可靠性 评价方法第1部分：通用要求 Reliability evaluation methods for electronic ponents and devices based on low-frequency noise-Part 1:General requirements 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 3 TARDAROO SJ/T11845.1-2022 目次 前言 III 引言 ......IV 1范围. ..1 2规范性引用文件. 1 3术语和定义. .1 4可靠性评价的噪声参数 2 4.1时域噪声参数 2 4.2频域噪声参数 2 4.3标准规定的噪击 2 4.4其他噪声参新 2 2 BJ 5可靠性评介的判据及要 5.1频城噪参数与男 2 5.2时域噪声参数与 3 6可靠性评的基本流 3 6.1 3 6.2 3 6.3 试低频噪声参数 3 6.4 十算回靠性评价判据 3 6.5 基于 4 6.6基于时或噪声参数判据的可靠性评价 4 7可靠性噪声 4 8报告要求 W 4 STANDARDS ...