ICS31.220 CCS L97 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11853—2022 正压悬浮区熔单晶硅炉 Single-crystal silicon growing furnace by positive pressure float zone melting 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 3 心 SJ/T11853—2022 目次 前言. ... I 1范围.... .1 2规范性引用文件 3术语和定义 ..1 4产品型号及构成 * 2 5工作条件 .. 3 6要求.... 3 7试验方法 5 8检验规则.. 8 9标志、包装、运输和储存 9 SJ/T11853—2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由中华人民共和国工业和信息化部电子信息司提出. 本文件由全国半导体材料与设备标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本文件起草单位：浙江晶盛机电股份有限公司、浙江晶鸿精密机械制造有限公司、浙江求是半导体 设备有限公司、天津中环领先材料技术有限公 司 国电子技术标准化研究院. 本文件主要起草人：曹建伟： 朱亮 叶钢飞、刘嘉、王遵义、孙健、曹可 慰、吴怡然、李其聪 USTR OF IND AULSINIIN SJ STANDARDS ...
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