ICS25.180.10 CCS K 61 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T10067.417-2023 电热和电磁处理装置基本技术条件 第417部分：碳化硅单晶生长装置 Basic specifications for electroheating and electromagnetic processing installations-Part 417:Silicon carbide crystal growth installations 2023-05-23发布 2023-12-01实施 国家市场监督管理总局 回 国家标准化管理委员会 发布 GB/T10067.417-2023 目 次 前言 引言 V 1范围 1 2规范性引用文件 3术语和定义 1 4产品分类2 4.1型号参数 .2 4.2单晶炉形式、加热方法及代号2 4.3主要参数 5技术要求 3 5.1总体要求 3 5.2设计和制造的补充要求 4 5.3性能要求 6 5.4成套要求 ..7 6试验方法 7 6.1一般要求 7 6.2压升率的测量7 6.3炉温稳定度的测量 7 6.4运动参数相对偏差的测量 6.5速度百分偏差的测量 8 6.6爬行量的测量 8 6.7同轴度的测量 6.8工业生长晶体试验8 7检验规则 7.1一般要求9 72出厂检验项目 9 7 3型式检验项目9 8标志、包装、运输和贮存9 8.1一般要求9 8.2其他要求 10 9订购与供货 10 9.1一般要求 10 9.2特殊要求 10 ...
正式版 GB/T 10067.417-2023 电热和电磁处理装置基本技术条件 第417部分：碳化硅单晶生长装置.pdf
