中华人民共和国第四机械工业部
部标准
CS7型高频场效应半导体管
1．本标准适用于CS7型N沟道结型场效应半导体管（以下简称产品）.该产品用于电子设备放大电路中.
2.该产品除应符合本标准规定外，还应符合S』614一73《半导体三极管总技术条件》的规定.
3.产品的外形结构和尺寸应符合S』139一78《半导体三极管外形尺寸》中B－1型的规定，并且引线排列顺序应为S（E）、D（B）、G（C）.
4.电参数应符合参数规范表的规定.电参数的测试方法应符合S」1949～1973一81《场效应半导体管测试方法》的规定.
5.环境试验后，按顺序测量下列电参数：
（1）栅源短路时漏极电流IDSS；
（2）栅源截止电压VGS（Of！）；
（3）正向跨导9fS；
（4）栅极截止电流IGSS；
（5）栅源击穿电压V（BR)GSS.
其中IDss、VGS（Off）、9Js的相对变化不得超过±30%，IGSs、V（BR)GSs不得超过规范值.
6.额定功率试验条件：按功率P进行.
7.高温贮存试验条件：按Tjm=175土3°C进行.
8．额定功率和高温贮存试验后，按下列标准考核：
（1）IGSS的相对变化不得超过±30%；
（2）VGs（Off）的相对变化不得超过±30%；
（3）9fs的相对变化不得超过±30%.
9.本标准参数规范的仲裁条件
环境温度25±2℃；相对湿度65±5%；气压 650mmHg～800mmHg.
10．生产单位应在产品说明书中提供以下特性曲线：
（1）输入特性曲线；
（2）转移特性曲线；
（3）转移特性随温度变化的曲线；
（4）跨导与漏极电流特性曲线.
11．生产单位应在产品说明书中提供工艺筛选项目和筛选条件.
12.IDss≤20mA的产品分档误差不得超过±10%，IDss≤40mA的产品分档误差不得超过±5%.
I=401=$a4 0= f=-10mAF" （dB s> S*vwoi=（IP) A01 =su.4 ：30MHzGps W20 SI数 A*01=参 ZHNI=X7(d) 9V流交 AOI=SaA 0= $9.4 f=1KHz（ ≥7000 ≥8000 0006≤9A0I=sa1f=1KHz$6 （μ ≥6000 ≥7000VH-(A) ≥-30 =0 S=-10V数 Igss （vu) 001-> 0= SSaA参流 HO)SOA A0I= A(V) -> 8-> =10μ S直.AOI = SA（w 01~ 10~20 20~30 30~40 0= S3（MW）极限参数 p'（20测试条件 试验类别参 数 CS7D CS7E CS7F CS7G电型 号
参数规范表参导体管预场效应半高频型CS7
在VGs=0 条件下测试.*D档，
