ICS49.035 CCS V29 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T41033-2021 CMOS集成电路抗辐射加固设计要求 Design requirements of radiation hardening for CMOS IC 2021-12-31发布 2022-07-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 GB/T41033—2021 目 次 前言 1范围 1 2规范性引用文件 1 3术语、定义和缩略语 1 3.1术语和定义 1 3.2缩略语 2 4设计流程 .2 5抗辐射加固设计要求 3 5.1抗总剂量辐射加固设计原则与要求 5.2抗单粒子辐射加固设计原则与要求 7 SAC 6集成电路辐射效应建模与仿真要求 .10 6.1集成电路辐射效应建模与仿真一般要求 10 6.2集成电路辐射效应建模与仿真要求 .10 6.3集成电路辐射效应建模与仿真方法 .10 7辐照验证试验要求 11 7.1总剂量辐照验证试验要求 .11 72单粒子照验证试验要求.14 GB/T41033—2021 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国宇航技术及其应用标准化技术委员会(SAC/TC425)提出并归口. 本文件起草单位：中国航天科技集团有限公司第九研究院第七七一研究所. 本文件主要起草人：刘智、葛梅、谢成民、王斌、于洪波、岳红菊、姚思远、李海松、耿增建、胡巧玉. ...
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