SJ 中华人民共和国电子行业军用标准 FL6131 SJ50033/172-2007
半导体分立器件 3DA519型硅微波脉冲功率晶体管 详细规范 Semiconductordiscrete devices Detailspecificationfor type 3DA519siliconmicrowave pulsepowertransistor
2008-01-24发布2008-02-01实施 中华人民共和国信息产业部批准
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前言
本规范是GJB33A-1997《半导体分立器件总规范》的相关详细规范。
本规范由信息产业部电子第四研究所归口。
本规范起草单位：中国电子科技集团公司第五十五研究所。
本规范主要起草人：陶有迁。
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半导体分立器件 3DA519型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
1范围 本规范规定了3DA519型硅微波脉冲功率晶体管（以下简称器件）的详细要求。
按GJB33A-1997中1.3 的规定，提供的质量保证等级为普军级、特军级和超特军级，分别用字母JP、JT和JCT表示。
2引用文件 下列文件中的有关条款通过引用而成为本规范的条款。
凡注日期或版次的引用文件，其后的任何修 改单（不包括勘误的内容）或修订版本都不适用本规范，但提倡使用本规范的各方探讨使用其最新版本 的可能性。
凡不注日期或版次的引用文件，其最新版本适用于本规范。
GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T7581半导体分立器件外形尺寸 GJB33A-1997半导体分立器件总规范 GJB128A-1997半导体分立器件试验方法 3要求 3.1总则 器件应符合本规范和GJB33A-1997规定的要求。
本规范的要求与总规范不一致时，应以本规范 为准。
3.2设计、结构和外形尺寸 3.2.1引出端材料和镀涂层 发射极和集电极引出端材料为可伐合金带，基极引出端为钨铜，引出端表面镀金。
3.2.2器件结构 本器件是采用硅外延平面结构的NPN型晶体管，具有阻抗匹配网络。
采用金属陶瓷外壳封装。
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3.2.3外形尺寸 外形应按图1的规定。
尺寸标注应符合GB/T7581的规定。
G
Q
29P
U2 引出端极性：1-发射极：2-集电极：3-基极
单位为米 尺寸 代号最小最大 A-5.50 bx3.683.94 by3.683.94 c0.070.15 F1.441.60 G10.0310.29 L2.00- ①P3.173.43
2.853.35 916.3816.64 R1.391.65 u122.7322.99 U29.65166
图1外形图
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3.3最大额定值和主要电特性 3.3.1最大额定值 最大额定值见表1。
表1最大额定值 极限值 型号Vcao VEBO lp VSWR-T VSWR-S T
w v v A360°360°c c Tc=25℃ 3DA51930553.0153:12.5:1-65~200200 当T>25℃时，按171.4mW/K线性降额。
3.3.2主要电特性 主要电特性见表2(T=25℃)。
表2主要电特性表 参数hre Veen IcBo Gp△Gnc Po Re
v mA dB8P%w K/W Vc=5V1=2.5AVcc=35V,P=26.7W l=2.5A 条件lc=2.5A I=0.5A Vcs=35V fo:960MHz~1215MHz Vc=10V
t=63μs,D=10%=1ms 极限值最小最大最大最大最小最大最小最小设大城大
101001.2107.50.8451501905.8 3.4测试要求 测试应符合GJB33A-1997及本规范的规定。
3.5标志 器件上应有如下标志： a）器件型号； b)极性标志； c)承制方标志。
4质量保证规定 4.1抽样和检验 抽样和检验应符合GJB33A-1997和本规范的规定。
4.2关于结构相似器件抽样的规定 在同一生产线上，采用相同材料、相同工艺、相同的单胞设计（单胞采用同一套光刻掩模版制作） 制造的3DA519和3DA520型器件，除A2、A3、A4、B3、B5和E4分组外，相同芯片批的器件可作为结构相似 器件进行逐批检验或E组鉴定检验；除C6分组外相同检验周期的器件可作为结构相似器件进行周期检 验。
在这种情况下，从一个型号或者两种型号中抽取的一组样品的试验结果，对这两种型号的器件都有 效。
4.3鉴定检验 鉴定检验应符合GJB33A-1997和本规范表4、表5、表6、表7的规定。
终点电测试按表8进行。
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