ICS31.080 L53 备案号：52035-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2658.8—2015 代替SJ/T2658.8-1986 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度 Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode -Part 8:Radiant intensity 2015-10-10发布 2016-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T2658.82015 前言 SJT2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分： —第1部分：总则： 第2部分：正向电压； 第3部分：反向电压和反向电流； 第4部分：总电容： 第5部分：串联电阻 第6部分：辐射功率 AND 第7部分：辐射通 第8部分：辐射强度 第9部分：幅射强度空间分布和半强度角； 第10部分调制带宽： —第11部分：响应时间 —第写部分：辐射功等温皮系数： ——第14部分：结温； ——第15部分：热阻； FORMATION TECHNO 第值发就波长和光谱帘宽： ——第16部分：光电转换效 本部分为SJ2658的第8部分 本部分按照GB11一2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草. 本部分代替SJ/26588一1986《半导体红外发光二极管测试方法法向辐射率的测试方法》，除编 辑性修改外主要技术变化如下： 修改了辐射强度的测量原理图（见图1）； 补充了辐射强度测量方法的规定条件（见5.3）. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口. 本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院. 本部分主要起草人：张戈、赵英. 本部分所代替标准的历次版本发布情况为： SJ/T2658.8—1986. 工 SJ/T2658.8—2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度 1范围 本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）辐射强度的测量原理图、测量步骤以及规定 条件. 本部分适用于半导体红外发射二极管. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件. 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T2900.65—2004电工术语：照明 SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则 CIE127:1997技术报告LED测量 3术语和定义 GB/T2900.65一2004界定的术语和定义适用于本文件. 4一般要求 测量辐射强度的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定. 5测量方法 5.1测量原理图 辐射强度的测量原理图见图1. 1 ...
SJ/T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度.pdf
