ICS49.140 CCS V 25 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T43226—2023 宇航用半导体集成电路单粒子软错误 时域测试方法 Time-domain test methods for space single event soft errors of semiconductor integrated circuit 2023-09-07发布 2024-01-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 GB/T43226-2023 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国宇航技术及其应用标准化技术委员会(SAC/TC425)提出并归口. 本文件起草单位：北京微电子技术研究所、中国航天电子技术研究院. 本文件主要起草人：赵元富、陈雷、王亮、岳素格、郑宏超、李哲、林建京、李永峰、陈淼、王汉宁. I GB/T43226-2023 宇航用半导体集成电路单粒子软错误 时域测试方法 1范围 本文件规定了宇航用半导体集成电路单粒子软错误时域测试的原理、环境条件、仪器设备、试验样 品、试验步骤、试验报告. 本文件适用于宇航用半导体集成电路单粒子软错误的测试. 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于 本文件. GB18871一2002电离辐射防护与辐射源安全基本标准 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件. 3.1 单粒子软错误single event soft errors 对电路造成非破坏性影响的一系列单粒子效应的总称. 注：如单粒子翻转、单粒子瞬态、单粒子功能中断. 3.2 时域测试time-domain test 测试被测对象的特征参数随时间的变化关系. 3.3 单粒子效应single event effect 单个粒子穿过集成电路敏感区域，电离产生的电子-空穴对被电场收集形成脉冲电流，导致集成电 路辐射损伤的现象. 3.4 单粒子翻转single event upset 单粒子效应导致集成电路逻辑状态翻转的现象. 3.5 单粒子瞬态single event transient 单粒子效应导致集成电路输出异常脉冲信号的现象. 3.6 单粒子功能中断single event function interrupt 单粒子效应导致逻辑电路不能完成规定的逻辑功能的现象. 3.7 注量fluence 垂直入射方向单位面积粒子总数. 注：单位为粒子数每平方厘米(ion/cm2). ...
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