ICS31.080 CCS L40/49 CASA 第三代半导体产业技术创新战略联盟 China advanced semiconductor industry innovation alliance 团 体 标 准 T/CASAS 029—2023 Sub-6 GHz GaN射频器件微波特性测试方法 Test method for microwave character istics of Sub-6GHz GaN radio-frequency devices 版本：V01.00 2023-06-30发布 2023-07-01实施 第三代半导体产业技术创新战略联盟发布 T/CASAS029—2023 目 次 前言 引言 .IV 1范围 2规范性引用文件 3术语和定义 4缩略语和符号 2 5要求 2 5.1通则 2 5.2测试条件和环境要求 2 5.3测试仪器 3 5.4测试要求 3 6测试方法. 4 6.1夹断电压测试 4 6.1.1测试目的. 4 6.1.2测试框图 4 6.1.3测试原理 4 6.1.4测试程序 6.1.5规定条件 5 6.2栅-源泄漏电流测试 5 6.2.1测试目的 5 6.2.2测试框图 5 6.2.3测试原理 5 6.2.4测试程序 5 6.2.5规定条件. 6.3栅-漏泄漏电流测试 6.3.1测试目的 6 6.3.2测试框图 6 6.3.3测试原理. 6 6.3.4测试程序 6 6.3.5规定条件 6.4源-漏泄漏电流测试 6 6.4.1测试目的. 6 T/CASAS029—2023 6.4.2测试框图 6 6.4.3测试原理 6.4.4测试程序 16 6.4.5规定条件 ...7 6.5栅-源二极管正向导通电压测试（适用时） 4 7 6.5.1测试目的 7 6.5.2测试框图 7 6.5.3测试原理 7 6.5.4测试程序 > 6.5.5规定条件 7 6.6额定增益测试 .7 6.6.1测试目的 6.6.2测试框图 8 6.6.3测试原理 .8 6.6.4测试程序 18 6.6.5规定条件 .8 6.7饱和功率测试 6.7.1测试目的. 9 ““““ 6.7.2测试框图 6.7.3测试原理 9 6.7.4测试程序 9 6.7.5规定条件 6.8额定效率测试 6.8.1测试目的 6.8.2测试框图 9 6.8.3测试原理 10 6.8.4测试程序 10 6.8.5规定条件 附录A(规范性附录)测试结果记录表格示例. 11 ...
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