中华人民共和国国家标准
GB/T46227-2025
半导体单晶材料透过率测试方法
Testmethod for transmittance of semiconductor single crystalmaterials
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布
前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.
请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口.
本文件起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、松山湖材料实验室、新美光（苏州）半导体科技有限公司、有研国晶辉新材料有限公司、安数光智科技有限公司、天通银厦新材料有限公司、广东先导微电子科技有限公 司、中电品华（天津）半导体材料有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、南京盛鑫半导体材料有限公司、山东有研半导体材料有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、云南驰宏国际错业有限公司、杭州嫁仁半导体有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、甬江实验室微谱（浙江）技术服务有限公司、昆山海菲曼科技集团股份有限公司、河南中宜创芯发展有限公司.
本文件主要起草人：李静、何短坤、李素青、许蓉、齐海涛、索开南、胡伟、王英明、齐兴旺、欧琳芳、郝文娟、孙雪峰、李明达、王阳、王银海、夏秋良、朱晓彤、张红岩、丁雄杰、余宗静、匡子登、夏宁、沈益军、吴杰、边仿、孙毅、李欢欢.
半导体单晶材料透过率测试方法
1范围
本文件描述了半导体单晶材料在波长0.2μm～300μm范围内透过率的测量方法.晶材料透过率的测定. 本文件适用于硅、错、磷化钢、确化镉、硫化镉、碳化硅、氮化、氧化嫁、蓝宝石、金刚石等半导体单
2规范性引用文件
件，仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文本文件.
GB/T8170数值修约规则与极限数值的表示和判定GB/T13962光学仪器术语GB/T14264半导体材料术语
3术语和定义
GB/T14264和GB/T13962界定的以及下列术语和定文适用于本文件.
3.1 透过率transmittance透射比光线通过样品时透过的光通量与起始光通量的百分比.
3.2透过率均匀性transmittance homogeneity 样品一定区域内透过率分布情况.
背景光谱background spectrum注：通常包括空气或吹扫氮气等信息. 在红外光谱仪中，无样品存在的情况下测量获得的谱线.
3.4
样品光谱sample spectrum
用测量样品的光谱扣除背景光谱后获得的诺线.注：在用双光束仅器，将样品放置于样品光路，参比光路空着时获得：在用博立叶变换红外光谱仅及单光束光谱仪 时用测量样品的光谐扣除背景光谱后获得.
4方法原理
当一定频率的红外光、可见光、紫外光通过半导体单品时，由于材料的本征吸收，表面散射以及其内
