中华人民共和国国家标准
GB/T35305-2026代替 GB/T 25075-2010 GB/T 35305-2017
太阳能电池用砷化家单晶及抛光片
Gallium arsenide monocrystalline and monocrystalline polishedwafers forsolar cell
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布
c
前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.
电池用砷化单晶3，本文件以GB/T35305-2017为主，整合了GB/T25075-2010的内容，与 本文件代替GB/T35305-2017《太阳能电池用砷化单晶抛光片3和GB/T25075-2010《太阳能GB/T35305-2017相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：
（）（b）更改了电学性能、参考面的长度、表面晶向和晶向偏离、儿何尺寸及位错密度的要求（见5.1~c）删除了强度要求（见2017年版的4.4）； 5.5 2017年版的4.2和4.3）;d）更改了表面质量要求（见5.6，2017年版的4.5）；e）增加了径向电阻率变化检验内容（见6.1.4）：f）删除了弯曲度检验内容（见2017年版的5.5）：h）更改了检验结果的判定（见7.5.2017年版的6.5）： g）更改了砷化单晶抛光片的取样要求（见7.4.2，2017年版的6.4）；i）更改了包装要求（见8.2.2017年版的7.2）.
请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口.
本文件起草单位：南京集溢半导体科技有限公司、中山德华芯片技术有限公司、全磊光电股份有限公司、云南鑫耀半导体材料有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、南京伟福科技有限公司、中国科学院半导体研究所、大庆溢泰半导体材料有限公司.
赵春锋. 本文件主要起草人：赵中阳、郑红军、冯家峰、于会永、杨文奕、张永、林作亮、李素青、陈仕天、赵有文、
本文件于2017年首次发布，本次为第一次修订，并人了GB/T25075一2010的内容.
太阳能电池用砷化家单晶及抛光片
1范围
本文件规定了太阳能电池用砷化嫁单晶及抛光片的分类和牌号、技术要求、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容，描述了相应的试验方法.
本文件适用于太阳能电池用砷化嫁单晶及抛光片的生产、检测及质量评价.
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件.
GB/T191包装储运图形符号标志GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T2828.1-2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T6621硅片表面平整度测试方法GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T8760砷化单晶位错密度的测试方法GB/T13387硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T11093液封直拉法砷化单晶及切割片GB/T14140半导体晶片直径测试方法GB/T14264半导体材料术语GB/T14844半导体材料牌号表示方法GB/T19921硅抛光片表面题粒测试方法 GB/T29505硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法YS/T26硅片边缘轮廓检验方法
3术语和定义
GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件.
4分类和牌号
4.1分类
4.1.1太阳能电池用砷化单晶及抛光片按导电类型分为n型和p型2种.
