中华人民共和国国家标准
GB/T11072-2009代替GB/T110721989
锑化铟多晶、单晶及切割片
Indium antimonide polycrystal.single crystals and as-cut slices
中国国家标准化管理委员会 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布
前言
本标准与GB/T11072-1989相比，主要有如下变化： 本标准代替GB/T11072-1989化钢多品、单品及切割片》一将原标准中直径10mm~50mm全部改为10mm~200mm；-在原标准的基础上增加了直径>50mm，厚度不小于1200um，厚度偏差士40μm；将原标准中位错密度级别1、2、3中直径≥30mm~50mm全部改为≥30mm~200mm；偏差： 在原标准的基础上增加了直径为100mm、150mm200mm的切割片直径、参考面长度及其-将原标准中的附录A去掉，增加引1用标准GB/T11297：一增加了"订货单（或合同）内容”一章内容.本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出.本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口. 本标准起草单位：峨幅半导体材料厂.本标准主要起草人：王炎、何兰英、张梅.本标准所代替标准的历次版本发布情况为：GB/T 110721989.
锑化钢多晶、单晶及切割片
1范围
1.1本标准规定了锦化钢多品、单晶及单品切割片的产品分类、技术要求和试验方法等.1.2本标准适用于区熔法制备的锦化钢多品及直拉法制备的供制作红外探测器和磁缴元件等用的梯化钢多品、单品及切割片.
2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款，凡是注日期的引用文件，其随后的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然面，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准.
GB/T4326非本征半导体品体霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T8759化合物半导体单晶晶向X衍射测量方法GB/T11297锦化钢单品位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
3产品分类
3.1导电类型、规格
3.1.1多品
多品的导电类型为n型，按载流子迁移率分为三级.
3.1.2单品
锦化钢单晶按导电类型分为n型和p型，以掺杂剂、载流子浓度和迁移率分类，按直径与位错密度分为三级.
3.1.3切割片
按3.1.2分类与分级，其厚度不小于500um.
3.2牌号
3.2.1锦化钢多品与单品的牌号表示为：
2化学元素符号表示掺杂剂； 1-用PInSb表示锑化钢多品，MInSb表示锑化钢单晶：3-一阿拉伯数字表示产品等级.若产品不掺杂或不分级，则相应部分可省略.
3.2.2锑化钢单品切割片牌号表示为：
1--MlnSb表示化钢单品；2--化学元素表示掺杂剂；3CS表示切割片；4阿拉伯数字表示产品等级. 若产品不掺杂或不分级，则相应部分可省略.注：1级掺锦化锯单晶切制片表示为：MInSb-Te-CS-1
4技术要求
4.1多品
4.1.1多品不应有裂纹和机械损伤，不允许有夹杂物.
4.1.2多晶的电学性能应符合表1的规定.
表1多昌的电学性能（77K）
导电类型 级别 载流子浓度/ [cm²/(V s] 迁移率/1 5×101 ~1×10 >6×102 5×10~1×10 >5×10° -6×103 5×10l ~1×104 >4 ×10° ~5×10
4.2单昌及切割片
4.2.1单晶及切割片不得有裂纹、空洞和李品线等缺陷，切割片表面不得有肉眼可见的刀痕，因切割而引起的缺口或崩边应在2mm以内.
单晶及切割片的电学性能应符合表3的规定.
胖号 导电 掺杂剂 载流子浓度/ 迁移率/ 电阻率/ 直径/ 位错密度/类型 mn [cm²/(V * s] (Ωcm) mm 不大于500MInSb 非掺杂 (1~51×10 >4.5×10 >0 027 10 ~200 1 000500MInSb-Te n Te 1×10/ ~7×10 2. 4×10° ~1× 10 0 026 ~0 000 1 10~200 1 000MInSh-Sn 1×10 ~7 ×10 2. 4×10′ ~1× 10 0 026 ~0 000 1 10 ~200 500n 1 000
表2（续）
载流子浓度/ 迁移率/ 位错密度/牌号 导电 类型 掺杂剂 [cm²/(V • s)] (Ω•cm) 电阻率/ 直径/ mm不大于MInSb-Ge Ge 1 ×10~9× 10 1 ×10*~6×10² 0 62~0 012 10~200 1 000 500MInSb-Zn Zn 1×109×10 1×10~6×10² 0 62~0 012 10~200 1 000 500500MInSb-Cd p Cd 1×109×10 1×10~6×10² 0 62~0 012 10~200 1 000
表3用于磁敏元件的化钢单昌电学性能（300K）
迁移率/ 位错密度/ 直径/导电类型 掺杂剂 载流子浓度/cm 不大于 [cm²/(V s)]，不小于 cm²，不大于 mm 晶向n 非掺杂 2 3×10s 6 5×10 500 10~200 (111)n 非掺杂 2 3×10 6 5×10 1 000 10~200 (111)
4.2.3 于0.5°. 锦化钢单品棒两端面的法线方向与所要求的品向偏离应不大于3°.切割片的品向偏离应不大
4.2.4切割片厚度及偏差见表4.
表4切割片的厚度及偏差
直径D/mm ≥10~20 >20~30 >30~40 >40~50 >50厚度/um，不小于 500 600 800 1 000 1200厚度偏差/m ±20 ±25 ±30 ±35 ±40
4.2.5 非掺杂和掺杂单品及切割片按位错密度和直径分为三级，见表5.
表5位错密度等级
级 别 位错密度N/ 直径D/（↑cm²） mm1 <100 30~200<100 <302 100~500 30~2003 000 [~00s< 10~200 4.2.6（111）晶面切割片的参考面如图1所示.其直径、参考面长度及其偏差见表6.
