SJ/T 1542-2020 电真空器件用镍及镍合金化学分析方法.pdf
ICS31.030 L90 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T1542—2020 代替SJ/T1542一1987 电真空器件用镍及镍合金化学分析方法 Method for chemical analysis of nickel and nickel alloy for vacuum tubes 2020-12-09发布 2021-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T1542—2020 前言 本标准按照GB/T1.1一2009制定的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准代替SJ/T1542一1987《电真空器件用镍及镍合金化学分析方法》,本标准与SJ/T1542一 1987相比,主要有如下变动: ——按GB/T1.1一2009规定的格式进行了修改. 一删除了碳硫测定的“方法二”. 一删除了磷测定的“方法一”. 一删除了镍钨镁合金中钨测定的“方法二” 一删除了镍锰丝中锰的测定的“方法二” 将“镍、锰丝中锰的测定”改为镍合含量的测定”.(见7,SJ/T1542一1987的9) 对试剂化学单位进行了更新 UR 本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAGITC203提出并归口. 本标准起草单位:中国电子技术标准化研究院. 本标准主要起草人:张旭、张理、裴会川. —SJ/T1542198 MULSININ SJ 本标准所代替标准的历次版本发布情况为: STANDARDSI ...
SJ/T 11771-2020 绿色设计产品评价技术规范 电视机.pdf
ICS13.020.20:31.020 L10 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T 11771-2020 绿色设计产品评价技术规范 电视机 Technical specification for green-design product assessment --Televisions 2020-12-09发布 2021-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布
SJT11771--2020 目次 前言 1范围.. 2规范性引用文件 3术语和定义 4评价方法, 5评价要求. 6产品生命周期评价报告编制方法 参考文献...
SJT 11771-2020 前言 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。
本标准由工业和信息化部节能与综合利用司提出。
本标准由中国电子技术标准化研究院归口。
本标准主要起草单位:中国电子技术标准化研究院、北京赛西认证有限责任公司、四川长虹电器股 份有限公司、青岛海信电器股份有限公司、深圳创维-RGB电子有限公司、深圳TCL新技术有限公司、 天津三星电子有限公司、广州金发科技股份有限公司、中国电器工业协会、四川大学、工业和信息化部 电子第五研究所、江苏省电子信息产品质量监督检 金研究院、中国电子视像行业协会、中国电子质量管 理协会。
本标准主要起草人 潘晓勇、王平松、张曼华、翟 松、姜涛、刘丽、张亮、生洪涛、 印美娟、杨超峰、钱法、孙言丽、 许飞飞、冯晓曦、张利利、 秦立东。
S ARDS
SJT 11771-2020 绿色设计产品评价技术规范电视机 1范围 本标准规定了电视机绿色设计产品的评价方法和评价要求,以及产品生命周期评价报告的编制方 法。
本标准适用于在电网电压下正常工作,以地面、不 有线、卫星或其他模拟、数字信号接收、解调及显 等平板显示电视;也适用于主要动能为电视, HATION 其他类型电视机的绿色设计产品评价可参照使用。
S 2规范性引用文 下列文件对于本文件的应用是必不可少的,几是注日期的引用文件,仅所注口期的版本适用于本文 件。
凡是不注日期的引用文佳, 其最新版本(包括的修改单)适用于本文件 GB8898 频、视频及类似电子设备 安全要求 GB/T 13837 声音和电视广播接收机及有关设备无线电驿抗特性限值和测量坊 GB/T 16288 塑料制品的标志 GB/T 16/6 包装与包装废弃物第 部分: 处理和利用通则 GB 17 6251 电磁兼容 电流发射限值(设备每租输入电流≤1 GB/T 84552 装回收 GB/T 1 1900L 量管理体系 要求 GB/T 20155 电池中汞、镉、铅含量的测定 GB/T 2086 废弃产品回收利用术语 GB 20943 单路输出式变流-直流和交流-交流外部电源能效限定值及节能评价值 GB/T 23384 产品及零部件可回收利用标识 GB/T24040环境管理 GB/T24256产品生态设计通则 GB24850电视机能效限定值及能效等级 GB/T26125电子电气产品六种限用物质(铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚)的测 定 GB/T26572电子电气产品中限用物质的限量要求 GB/T29784电子电气产品中多环芳烃的测定 GB/T29786电子电气产品中邻苯二甲酸酯的测定气相色谱-质谱联用法 GB/T31268限制商品过度包装 GB/T32161-2015生态设计产品评价通则 GB/T32355.2电工电子产品可再生利用率评价值第2部分:洗衣机、电视机和微型计算机 GB/T32883电子电气产品中六溴环十二烷的测定高效液相色谱-质谱法 GB/T33345电子电气产品中短链氯化石蜡的测定气相色谱-质谱法 1
SJ/T 11771-2020 SJ/T11324数字电视接收设备术语 SJ/T11343数字电视液晶显示器通用规范 SJ/T11364电子电气产品有害物质限制使用标识要求 IEC 62321电工电气产品中某些物质的测定(Determination ofcertain substances inelectrotechnical products) IEC62321一8电子电气产品中某些物质的测定第8部分:使用气相色谱质谱联用仪(GC- MS),配有热裂解热脱附的气相色谱质谱联用仪(Py-TD-GC-MS)测定聚合物中的邻苯二甲酸酯 chromatography-mass spectrometry (GC-MS), gas chromatography-mass spectrometry using a pyrolyzer/thermal desorption accessory (Py-TD-GC-MS)) 3术语和定义 SJ/T 11324、SJ/T11343、GB/T 32...
SJ/T 11770-2020 绿色设计产品评价技术规范 微型计算机.pdf
ICS13.020.20:31.020 L10 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11770—2020 绿色设计产品评价技术规范 微型计算机 Technical specification for green-design product assessment -Microputers 2020-12-09发布 2021-04-01实施 0 S 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJT11770—2020 目 次 前言. 1范围...... 1 2规范性引用文件 3术语和定义 2 4评价方法.. . 2 5评价要求....... 2 6产品生命周期评价报告编制方法.. 5 参考文献 7 SJT11770—2020 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准由工业和信息化部节能与综合利用司提出. 本标准由中国电子技术标准化研究院归口. 本标准起草单位:中国电子技术标准化研究院、北京赛西认证有限责任公司、联想(北京)有限公 司、中国惠普有限公司、新华三技术有限公司、三星电子(北京)技术服务有限公司、金发科技股份有 限公司、四川大学、工业和信息化部电子第五研究所、中国电器工业协会、江苏省电子信息产品质量监 督检验研究院、中国电子质量管理协会 本标准主要起草人:杨宇涛、李胡升、杨檬、查丽、龚勋果荔、高坚、陈静、陈海、姜涛、刘丽、 张亮、王洪涛、印美娟杨超峰 刘芳、许飞飞、田雨晨 秦重东 INDUS7 AATION SJ STANDARDS ...
SJ/T 11767-2020 二极管低频噪声参数测试方法.pdf
ICS31.080.01 L41 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJT11767—2020 二极管低频噪声参数测试方法 Measurement method of low-frequency noise parameters for diodes 2020-12-09发布 2021-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 6102 rs SJ/T11767—2020 目次 前言 III 1范围 1 2规范性引用文件 3术语和定义 4测试条件及要求 5测试系统的构成及要 5.1通则 STRY 5.2测试偏置电路 6测试程序 2 6.1测试准 2 6.2噪声电压 ORMAYION IEC 6.3 噪电生 6.4数据的记录 附录A 资料性附录) SJ 2 功率谱密 2 3 MOOTON STANDARDSI SJ/T11767—2020 前言 电子元器件低频噪声参数测试方法的系列标准包括:《电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求》 和具体电子元器件的低频噪声参数测试方法,后者包括但不限于:《晶体管低频噪声参数测试方法》、 《二极管低频噪声参数测试方法》、《光电耦合器件低频噪声参数测试方法》、《电阻器低频噪声参数 测试方法》等. 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担这些专利的责任. 本标准由基于低频噪声技术的电子元器了靠无据检测标准工作组归口. 本标准起草单位:工业和信息化部电子第五研究所、西安科技人学、重庆赛宝工业技术研究院、 中国运载火箭技术研究元, 国振华集团永光电子有限公司、济南市导体无件实验所、深圳市量为科 技有限公司、北京燕东 子有限公司、辽宁朝阳无线电元件有限责任 A 本标准主要起草 水涛、胡为、恩云飞、加春雷、周鹏、罗宏 黄平、侯秀萍、张暉、 牟广庆. SJ STANDARDSJ III ...
SJ/T 11766-2020 光电耦合器件低频噪声参数测试方法.pdf
ICS31.080.01 L50 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T117662020 光电耦合器件低频噪声参数测试方法 Measurement method of low-frequency noise parameters for photocouplers 2020-12-09发布 2021-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 6107 rs 0 SJ/T11766—2020 目次 前言 III 1范围, .1 2规范性引用文件 1 3术语和定义 4测试条件及要求 ATN .1 5测试系统的构成及要 5.1通则. TRY NFORMATION TEC 1 5.2测试偏置电路 1 6测试程序 2 6.1测试准 2 6.2噪声电压功谱密 2 6.3 噪市中 2 6.4数居的记录 2 附录A 资料性附录) dLSINIW SJ HNOLOGY 4 STANDARDS SJ/T11766—2020 前言 电子元器件低频噪声参数测试方法的系列标准包括:《电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求》 和具体电子元器件的低频噪声参数测试方法,后者包括但不限于:《晶体管低频噪声参数测试方法》、 《二极管低频噪声参数测试方法》、《光电耦合器件低频噪声参数测试方法》、《电阻器低频噪声参数 测试方法》等. 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本义件的发布机构不承担这些专利的责任. 本标准由基于低频噪声技术的电子元 检测标推工作组归口. 本标准起草单位:工业和信息化部电子第五研究所、西安电科技大学、重庆赛宝工业技术研究院、 中国运载火箭技术研究院 瑞普北元电子有限公司、苏州半导体有限公司、中国振华集团永光 电子有限公司、深圳市盛料技有限公司、中国电子科技集团公司第四心研所. 本标准主要草人 余 永涛、胡为、张伟、王勇、王四新、宋亚美、顾 、刘焱、张开云、陈义 强、黄平、王. HO MULSININ SJ STANDARDS III ...
SJ/T 11765-2020 晶体管低频噪声参数测试方法.pdf
ICS31.080.30 L42,L44
中华人民共和国电子行业标准 SJ/T 11765-2020
晶体管低频噪声参数测试方法
Measurementmethodof low-frequencynoiseparametersfortransistors
2020-12-09发布2021-04-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T 11765-2020
目次
前言,III 范围 2规范性引用文件 术语和定义. 4测试条件及要求. 5测试系统的构成及要 5.1通则... 5.2测试偏置 6测试程序.. 6.1测试 6.2等效输入噪声电压巧 6.3等声电压. 6.4等声电流功 6.5等输入噪声电流. 6.6噪声系数.. 6.7数据的记录 附录A(资料性附录)典型测试图 MIN
SJ/T 11765-2020 前言
和具体电子元器件的低频噪声参数测试方法,后者包括但不限于:《晶体管低频噪声参数测试方法》、电子元器件低频噪声参数测试方法的系列标准包括:《电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求》 《二极管低频噪声参数测试方法》、《光电耦合器件低频噪声参数测试方法》、《电阻器低频噪声参数 测试方法》。
本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。
本文件的发布机构不承担这些专利的责任。
本标准由基于低频噪声技术的电子元器件可靠性无揭检测标准工作组归口。
本标准起草单位:工业和信息化部电子第五研究所、中国运线火箭技术研究院、西安电子科技大学、 科技集团公司第十中国振华集团永光电子有限公甸、江西联创特种微电子有限公司、研究所、中国电子科技集团公司第五十五研究所深圳市量为科技有限公司、中国电子 苏州半导体总厂限公司、济南市半导体元件实验所。
0东江、赵建华、迟雷、施尚、 本标准主要起草人:、侯秀萍。
罗宏伟、胡为、生小强、张伟、黄平、余永涛、 吕瑞芹、顾惠海
S
STA
III...
SJ/T 11763-2020 半导体制造设备人机界面规范.pdf
ICS31-550 L95 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11763—2020 半导体制造设备人机界面规范 Specification for human interface for semiconductor manufacturing equipment 2020-12-09发布 2021-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11763—2020 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(TC203)提出并归口. 本标准起草单位:北京北方华创微电子装备有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院、北 方华创科技集团股份有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司、秦皇岛视听机械研究所、上海微电子 装备有限公司、北京京仪自动化装备技术有限公司、中微半导体设备(上海)有限公司. 本标准主要起草人:付金生、冯亚彬、程朝阳、 晓民、李臣友、杨刚、张伟敏、李天笑、王海涛、 何茂栋、郭训容、孙永健、何乐 AND INFORMATION SJ STANDARDS I ...
SJ/T 11760-2020 光伏电池绒面反射率的测量 光电积分法.pdf
ICS 27.160 F 12 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11760-2020 光伏电池绒面反射率的测量 光电积分法 Test methodfor determining reflectivity on textured surface of photovoltaic cell-- photoelectricintegrating 2020-12-09发布 2021-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布
SJ/T 11760-2020 目次 前言 范围 规范性引用文件 术语和定义 方法原理 仪器设备与环境 6试验样品 测量步骤。
8 数据处理 6 试验报告 SJ
SJ/T11760-2020 前言 本标准按GB/T1.1一2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。
本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国太阳光伏能源系统标准化技术委员会(SAC/TC90)归口。
本标准起草单位:英利集团有限公司、致东光电科技(上海)有限公司、阿特斯(中国)投资有限公 司、浙江晶科能源有限公司、河北隆基泰和云能源科技有限公司。
本标准主要起草人:王静、张雷、孙凤霞、孙小娟、任秀强、吴飞、蒋方舟、郑需霆、贺美亮。
S IⅡI...
SJ/T 11758-2020 液晶显示背光组件用LED芯片性能规范.pdf
ICS 31.080 L53 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T 11758--2020 液晶显示背光组件用LED芯片性能规范 Testmethodfordetermining theaspectratio ofsolarcell'sgridlineelectrodeby confocallaserscanningmicroscope 2020-12-09发布 2021-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布
SJ/T 11758-2020 目次 前言 III 范围 规范性引用文件 3术语、定义和符号 4要求 4.1分类. 4.2外观质量 4.3外形尺寸, 4.4绝对最大额 4.5光电特性 4.6一致性 SE 4.7环境过 4.8电耐 4.9静电 5检验方 5.1 险条件 5.2 环 5.3 外 5.4 5.5 光电 5.6 环境 5.8电耐久 5.9静电放电改感度 6检验规则 6.1检验分类, 6.2批的组成 6.3重新提交, 6.4筛选.. 6.5鉴定检验 6.6质量一致性检验 6.7样品的处理 6.8不合格, 6.9检验记录 7包装、运输、储存 7.1包装 7.2运输 7.3储存,
SJ/T 11758-2020 附录A(规范性附录)液晶显示背光组件用LED芯片的目检 附录B(规范性附录)人体模式静电放电敏感度分级及标志 14 II
SJ/T11758-2020 前 言 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。
本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由中国电子技术标准化研究院归口。
本标准起草单位:中国电子技术标准化研究院、TCL集团股份有限公司、惠州市华瑞光源科技有限 公司、厦门市三安光电科技有限公司、广州赛西标准检测研究院有限公司、青岛海信电器股份有限公司、 厦门华联电子股份有限公司、深圳市聚飞光电股份有限公司。
本标准主要起草人:刘秀娟、赵英、 苏遵惠、 乔明胜、 周钢、姚飞闪、张志宽。
S. III
SJ/T 11758-2020 液晶显示背光组件用LED芯片性能规范 1范围 本标准规定了液晶显示背光组件用LED芯片的性能要求、检验方法、检验规则等。
本标准适用于液晶显示背光组件用LED蓝光芯片。
其他芯片可参考使用。
2规范性引用文件 AND 下列文件对于本文 期的版本适用于本文件。
凡是不注日期的引用 新版本(包括的修改单)适用于 GB/T 2423. 地工电子产品环境试验 第2部分:试验 Db:交变湿热(12 h+12 h) GB/T 24 08 第2部分 式验 方法 和导则:稳态加 速度 GB/T 2522 2012 试验第2部分:试验方法试N 温度变 GB/T 28. 2003 第1部分:按接收量限(AQL) 批检验抽样计 划 88 GB/T 4589. 2006 半导体器件 第 器件和成电路总规落 GB/T 2006 器件机械 分:总则 GB/T 990 电器 SJ/T 11 股管表 SJ/T 113 半导体照明术语 SJ/T 1139 半导体发光二极管芯片测试方法 IEC 60749- 19:2 atmospheres-Part 9:Equipmenrepair,overhaulandreclamation) IEC 60749-22:2002 机械和气候试验方法 合强度(Conduitsystems for cablemanagement-Pan22:Particula S-Piable 3术语、定义和符号 SJ/T11395一2009界定的以及下列术语、定义和符号适用于本文件。
3.1 小功率LED芯片lowpowerLED chip 输入功率小于100mW的LED芯片。
3.2 中功率LED芯片middle powerLED chip 输入功率不小于100mW,且小于1000mW的LED芯片。
3.3 功率LED芯片powerLED chip 输入功率不小于1000mW的LED芯片。
...
SJ/T 11753-2020 供应链二维码追溯系统标识规则.pdf
ICS 35. 100.10 L 79 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T 11753--2020 供应链二维码追溯系统标识规则 Identification rules of supply-chain traceability systembased on two-dimensionalcode 2020-04-16发布 2020-10-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布
SJ/T 11753-2020 目 次 前言. III 1范围 规范性引用文件 3术语和定义. 4缩略语.. AND 5标识要求.. 6标识内容.. 7编码规则. SJ 参考文献. LOGY ND
SJ/T11753-2020 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。
本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国信息技术标准化技术委员会提出并归口。
本标准起草单位:上海中信信息发展股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、追溯云信息发展 股份有限公司等。
本标准主要起草人:高自立、吴东亚、高琳、方润鑫、李崇、刘文静、杨安荣、张信定、陈延、连 娅、郭力娟等。
S STA N IⅢI
SJ/T 11753-2020 供应链二维码追溯系统标识规则 1范围 本标准规定了供应链二维码追溯系统中标识要求、标识内容和编码规则。
本标准适用于供应链二维码追溯系统设计和建设。
2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。
凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。
凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括的修改单)适用于本文件。
GB/T14257商品条码条码符号放置指南 3术语和定义 下列术语与定义适用于本文件。
3.1 供应链supply-chain 生产及流通过程中,围绕核心企业,将所涉及的原材料供应商、制造商、分销商、零售商直到最终 用户等成员通过上游和下游成员链接所形成的网链结构。
[GB/T 26337.2-2011,定义2.1] 3.2 追溯单元traceableunit 需要对其历史、应用情况或所处位置的相关信息进行记录、标识并可追溯的单个产品或同一批次产 品。
[GB/Z25008-2010,定义3.1] 3.3 追溯系统traceability system 基于追溯码、相关软硬件设备和通讯网络,实现信息化管理并可获取追溯过程中相关数据的信息系 统。
3.4 追溯参与方traceability participant 在供应链中从事产品生产、加工、物流、仓储、销售、配送等相关业务的组织或个人。
[GB/T36061-2018,定义3.3] 3.5 追溯单元识别代码traceable unit code 追溯单元识别代码是指每一个最小追溯单元区别于其他追溯单元的唯一代码。
3.6 标识identification
SJ/T 11753-2020 供应链二维码追溯系统中追溯码的物理载体及其编码规则。
4缩略语 下列缩略语适用于本文件。
OID:对象标识符(ObjectIdentifier) 5标识要求 5.1码制 等符合国家标准的二维码码制。
5.2内容唯一性 应具有唯一性 不得再次赋给其 他单元使用。
5.3内容规范 不应在工 维码图像或识读信 中添加引人误解或误导消费者的纳容以及宣传 信感?
级以 F原则 a)同一 一追湖单元的同一种产品的标识位管应 b)标识位置的选择应保证标识符号不变形、 c)标识位暨的选择应便于扫描、易于读识。
5.5标识形式 标识形式应包含以下内容: a)包含有追溯信息的标签 b)包含有产品追溯信息的包装物: c)包含有追溯信息的票据。
5.6标识尺寸 标识大小应满足编码内容、纠错等级、识读装置与系统、标签允许空间等因素要求,如有必要,需 要通过相关的适应性实验确定。
5.7标识颜色 标识宜为黑色,背景色宜为白色,背景区域宜大于图形边缘至少2mm。
5.8标识分辨率 码图的分辨率不低于300DPI(DotsPerInch,每英寸点数),印制清晰完整,确保可识读。
5.9标识对比度 2...
SJ/T 11750-2019 绿色设计产品评价技术规范 智能终端 平板电脑.pdf
ICS13.020.20;31.020 L10 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11750—2019 绿色设计产品评价技术规范智能终端平 板电脑 Technical specification for green-design product assessment-—Smart terminal-Tablet puter 2019-12-14发布 2020-07-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 60 rS SJ/T11750—2019 目次 前言 III 1范围. 2规范性引用文件 3术语和定义 2 4评价方法 5评价要求 RY 3 5.1基本要求 ORMATION 3 5.2产品评价指棕要 6产品生命周期评价报告编 6 6.1编制方法 6 6.2报眚内容, .6 参考文献, SJ 8 CHNOLOGY STANDARDS ...
SJ/T 11749-2019 绿色设计产品评价技术规范 打印机及多功能一体机.pdf
ICS13.020.20;31.020 L10 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11749—2019 绿色设计产品评价技术规范打印机及多 功能一体机 Technical specification for green-design product assessment-Printer and multi-function printer 2019-12-14发布 2020-07-01实施 GHVONE 607 中华人民共和国工业和信息化部发布 rS SJ/T11749—2019 目次 前言 III 1范围.. .1 2规范性引用文件 3术语和定义 4评价方法 RY AA ORMATION .2 5评价要求 3 5.1基本要求 3 5.2产品评价指要 3 6产品生命周期评价报告编 .5 6.1编制方法 .5 6.2报告内容 SJ TEC 参考文献. 8 HNOLOGY STANDARDSJ I ...
完整、正式版 SJ/T 11741-2019 挠性印制电路材料的耐挠曲性测试方法.pdf
ICS31.180 L30 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11741—2019 挠性印制电路材料的耐挠曲性测试方法 Test methods of the flexural endurance for materials offlexible printed circuits 2019-11-11发布 2020-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T117412019 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国印制电路标准化技术委员会(SAC/TC47)提出并归口. 本标准起草单位:广东生益科技股份有限公司、国家电子电路基材工程技术研究中心. 本标准主要起草人:杨艳、王志勇 刘申兴 OFINDUSTRY AULSININ ORMATION TECHNOL SJ STANDARDS I SJ/T11741—2019 挠性印制电路材料的耐挠曲性测试方法 1范围 本标准规定了挠性印制电路材料的耐挠曲性测试方法. 本标准适用于挠性覆铜板用铜箔和挠性覆铜板、 2规范性引用文件 AND INFORM 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件,注日期的版本适用于本文件. 凡是不注日期的引用交其最新版本(包括的修改单)适用于本 GB/T2036印制电路术语 ON 3术语和定义 GB/T2036界定的以及下列术语和定义适用于本文件: 3.1 耐挠曲性lexural endurance 挠性覆铜板材料在挠曲夫效前所承受的往复弯曲疲劳试验的能力 注:又称弯曲疲劳. 4挠性覆铜板用铜箔的耐挠曲性 4.1原理 本方法通过测试铜箔在挠曲过程中断裂的挠曲次数来评估覆铜板用铜销的耐挠曲性. 4.2仪器与材料 本测试用到以下仪器与材 TANDARD a)耐挠曲性测试装置由通断检测装置、耐挠曲仪和连接夹具等部分组成,见图1. 1 ...
SJ/T 11735-2019 产品碳足迹 产品种类规则 便携式计算机.pdf
ICS13.030 Z60 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11735—2019 产品碳足迹产品种类规则便携式计算机 Carbon footprint of products-Product category rule-Laptop microputer 2019-11-11发布 2020-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11735—2019 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由工业和信息化部电子信息司、节能与综合利用司提出. 本标准由中国电子技术标准化研究院归口 本标准起草单位:中国电子技术标准化研究院、北京赛西认证有限责任公司、联想(北京)有限公 司. 7 ND INFOR 本标准主要起草人:杨檬勋、查丽、刘哲、令 IND WO CHNO SJ STANDARDS I SJ/T11735—2019 引言 温室气体排放所引起的全球气候变化是世界各国在未来几十年所面临的最大挑战之一.为此,人 们正在国际、区域、国家和地方等各个层次上制定措施并采取行动,以限制大气层中的温室气体(以下 简称GHG)浓度的增加.GHG排放的量化、监测、报告和核查是有效措施之一. 产品碳足迹是在一个产品系统中温室气体排放与清除之和,其用O2当量表示,且基于单一影响 类型的生命周期评价(ISO/TS14067:2013 31.1)T产品碳足迹-产品种类规则是一组特定规则, 它是为一个或多个产品种类开发的产品碳是迹量化和交流的要求和指南(ISO/TS14067:2013 3.1.4.13). 本标准建立了便携式计算机的产品碳足迹-产品种类规则,期望使类产品碳足迹的量化和交流具 有明确和一致的基础(供政府、相关组织和其他利益相关方在有关活动中 N WO SJ STANDARDS] III ...
SJ/T 11574-2016 数字电视地面广播发射机通用规范.pdf
ICS3.160 M74 备案号: SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11574—2016 数字电视地面广播发射机 通用规范 General specification for digital television terrestrial broadcasting transmitters 2016-01-15发布 2016-06-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部 发布 2016 SJ/T11574—2016 目次 前言 . II 1范围... 1 2规范性引用文件 1 3缩略语. 1 4要求. 2 4.1外观和机械性能要求 AN 2 4.2使用要求 2 4.3功能要求 2 4.4电性能要求 DUSTRY NFORMATION 2 4.5安全性 4 4.6环境适应 5 4.7电磁兼容性 5 4.8可靠性 5 5测量方法 6 5.1测量条 5.2测量汉 SJ NOLO 6 .....6 6检验规则. 14 6.1检验分类和验项目 14 6.2定型检验. ...14 6.3交收检验 .......16 6.4例行检验.. .....17 7标志、包装、运输和则 .....18 7.1标志 STANDA.RDJ ...18 7.2包装. ...18 7.3运输. ...19 7.4贮存. ...19 附录A(资料性附录)数字电视地面广播系统工作参数.. 20 附录B(资料性附录)工作频点列表 I SJ/T11574—2016 前言 本标准按照GB/T1.1一2009《标准化工作导则第1部分:标准的结构和编写》给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由中国电子技术标准化研究院归口. 本标准起草单位:中国电子科技集团公司第五十四研究所、国家通信导航设备质量监督检验中心、 北京罗博施通信技术有限公司、北京北广科技股份有限公司、成都凯腾四方数字广播电视设备有限公司、 福建新大陆通信科技股份有限公司. 本标准主要起草人:李培红、王杏林、蔡广礼、张鹏、李胜利、杨社年、田议、林轲、叶进、周良 臣、张光飞. ...
SJ/T 11572-2016 运输环境下晶体硅光伏组件机械振动测试方法.pdf
ICS27.160 K83 备案号: SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11572—2016 运输环境下晶体硅光伏组件机械振动 测试方法 Test method for mechanical vibration of crystalline silicon photovoltaic(PV) modules in shipping environment 2016-01-15发布 2016-06-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部 发布 2016 FANDARD SJ/T11572—2016 前言 本标准根据GB/T1.1一2009的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口. 本标准起草单位:无锡尚德太阳能电力有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院. 本标准主要起草人:徐健、梁哲 亚彬 AND INFORMATION SJ STANDARDS I SJ/T115722016 运输环境下晶体硅光伏组件机械振动测试方法 1范围 本标准规定了运输环境下晶体硅光伏组件机械振动测试方法,包括仪器设备、振动试验前测试、振 动试验和振动试验后测试的要求等. 本标准适用于运输环境下晶体硅光伏组 动测试,以评估由运输和装卸过程中产生的环境 复合振动导致的光伏组件故障. 2规范性引用文件 STRY AND INFORMAZ 下列文件对于求文 的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件,仅注期的版本适用于本文件. 凡是不注日期的引用文件、其最版木(包括的修改单)适用于本文件. ISO2233包装完全满运输包装和单位负载试验预处理(Packaging -plete filled transport packages and -conditioning for testing) IEC61215:2005地面用品体硅光伏组件设计鉴定和定型(Crystal1ine sitidon terrestrial photovoltaic (PV)modules design qualification and type approval) IEC61730-2200光伏组件安全鉴定第2部分检验要求(Photovoltaic py)module safety 4 qualification par 2:requ ements for testig) ASTM D4169输集装箱和系统性能试验规程(Standard practice for pexformance testing of shipping containens and syste ASTM D4332测试集装箱、包装或包装部件的标准处理规程(Standardpractice f...
SJ/T 11562-2015 软件协同开发平台技术规范.pdf
ICS35.080 L77 备案号:52045-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11562-2015 软件协同开发平台技术规范 Technology specification of software collaborative development platform 2015-10-10发布 2016-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 SJ/T115622015 目次 前言 II 1范围. .1 2规范性引用文件. .1 3术语和定义. 1 NDUSTRY A 3缩略语......... 1 4体系结构... 2 4.1功能概述. 2 4.2层次模型. 2 5服务层. 3 5.1支撑服等 3 5.2公共服务 5 6应用层. 6 6.1基础应用 SJ 6 6.2高级应用 .....10 6.3过程协同 11 LSINIW STANDARDS I SJ/T11562—2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由工业和信息化部软件服务业司提出. 本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口. 本标准起草单位:中国人民解放军国防科学技术大学、山东中创软件商用中间件股份有限公司、 北京大学、北京航空航天大学、中国科学院软件研究所. 本标准主要起草人:王怀民、尹刚、刘惠、刘江宁、黄三伟、刘耀、李志、柳浩、李殊强、邓晓 爱、李莉、卞功杰. II ...
SJ/T 11552-2015 以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量.pdf
ICS29.045 H82 备案号:52020-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11552-2015 以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光 谱法测量硅中间隙氧含量 Test methods for measurement of interstitial oxygen content of silicon wafers by infrared absorption with P-polarized radiation incident at the Brewster angle 2015-10-10发布 2016-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T115522015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009制定的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、 苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司. 本标准主要起草人:李、 坤如 15 SJ STANDARDS I SJ/T115522015 以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量 1范围 本标准规定了以布鲁斯特角入射护偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量的方法. 本标准适用于测试室温下电阻率大于52cm的硅单晶中间隙氧含量,特别适用于薄硅片样品中氧含 量的测量.氧含量的有效范围从1×1016 硅单晶中间隙氧的最大固溶度. 2术语和定义 AND 2.1 DUSTRY 下列术语和定 件. INFORMATION p型偏振照p-polared radiation 电矢量平行与入射平面的偏振辐射, 2.2 TECHA 背景光语background spectrum 在红外仪中,无样有在的情况下使用单束测量获得的谱线(通常包括氨气,空气等信息). 2.3 参比方法 ereoce method 用测试样品 除参比样品光谱,消除硅晶格振动引起的吸收影人获得测试样品含氧的红外透 射光谱,要求氧参样品与测试样品厚度差小于±0.5%. 2.4 参比光谱referencespect 参比样品的光谱.用双光束光 回以把 RD 化样品放在样品光路测量,让参比光路空着, 由参比样品光谱计算扣除背景光谱获得参比洋品光谱,用单光束光谱仪测试时,直接用参比样品光谱计 算扣除背景光谱获得参比样品光谱. 2.5 样品光谱sample spectrum 测试样品的光谱.用双光束光谱仪测试时,可以把测试样品放在样品光路测量,让参比光路空着, 由测试样品光谱计算扣除背景光谱获得测试样品光谱;用单光束光谱仪测试时,直接用测试样品光谱计 算扣除背景光谱获得测试样品光谱. 2.6 表面粗糙度surface roughness 1 ...
SJ/T 11550-2015 晶体硅光伏组件用浸锡焊带.pdf
ICS 31-030 L 90 备案号:52010-2015SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11550-2015
晶体硅光伏组件用浸锡焊带 Tin-based solder dipping ribbon used for crystalline silicon photovoltaic (PV) modules
2015-10-10发布2016-04-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T 115502015
前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则编写。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。
本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口。
本标准起草单位:无锡尚德太阳能电力有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院、江苏太 公司、中国赛宝实验室。
阳光伏科技有限公司、秦皇岛市昌联光优电子有限公司、苏州宇邦新型材料有限公司、无锡斯威克科技 肖锋、程中广、刘子莲本标准主要起草人:梁折装会川、裴学锋、何小彬、 S
SJ/T 11550-2015
晶体硅光伏组件用浸锡焊带
1范围 本标准规定了晶体硅光伏组件用浸锡焊带的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、 包装、运输和贮存。
本标准适用于晶体硅光伏组件生产过程中所使用的浸锡焊带。
2规范性引用文件IAND 下列文件对于本文SUSTRY必不可少的。
凡是注日期的引用期的版本适用于本文件。
凡是不注日期的引月收新版本(包括的修改单)适用于本 GB/T 228.1拉室温试验方法 GB/T1216尺 GB/T 2828抽样 GB/T 304电缆试验方法第2部分:金属材电阻率试验 GB/T 326化学分量的测定 GB/T 511 K所部分)及铜合金化学析 GB/T523 R铜及铜化学成分和 GB/T 6462金和氧化 GB/T8012铅焊 GB/T8145 GB/T 9056 GB/T 9535地面用龄体硅光伏组件设计鉴定和定型 GB/T10574(部分)锡铅焊料化学分析方法 GB/T14594无氧铜板礼带
YS/T746.13无铅锡基焊料化学分析方法第13部分:镍含量的测定火焰原子吸收光谱法 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。
3.1 浸锡焊带tin-based solder dippingribbon 用热浸镀的方法,在一定尺寸的铜带表面涂敷一定厚度的锡基焊料而形成的复合导电材料。
SJ/T 11550-2015 3.2 互连条ribbon 用于连接太阳电池,收集、传输太阳电池电流的浸锡焊带。
3.3 汇流条interconnecter 用于连接太阳电池串及接线盒,传输太阳电池串电流的浸锡焊带。
3.4 镰刀弯camber 又称侧弯,浸锡焊带的侧边与测量部分两端点直线之间最大距离与两端点间距离的比值,即浸锡焊 带一侧的边缘与直线的偏离度,如图1所示。
浸锡焊带宽度
浸锡焊带
图1镀刀弯测量示意图 4符号 本标准使用的符号及其说明见表1。
表1符号说明 符号单位说明 A延伸率:等同于GB/T228.1定义的断裂总延伸率 c/镰刀弯 Rm MPa抗拉强度:材料在试验期间能抵抗的最大力与试样原始截面积之商 Rpo.2 MPa屈服强度:等同于GB/T228.1定义的规定塑性延伸强度(规定的塑性延伸率为0.2%) R mΩ浸锡焊带电阻:在20C±5℃时,浸锡焊带的体积电阻 Ru mΩ铜基材电阻:在20C±5C时,铜基材的体积电阻 h mm浸锡焊带的侧边与测量部分两端点的直线之间的最大距离 Lo mm浸锡焊带两端点间的距离 L mm浸锡焊带标距长度 T环境温度
SJ/T 115502015 5要求 5.1铜基材 5.1.1成分 铜基材成分应符合GB/T5231的要求,互连条铜基材应满足TU2及以上级别的纯铜要求,汇流条铜 基材应满足T1及以上级别的纯铜要求。
5.1.2厚度允许偏差 铜基材的厚度允许偏差应符合表2的规定。
表2 厚度() mm NDUSTRY >S00 0.30 5.2锡层N 5.2.1成分OF 锡铅焊料铜元素外 中铜含量应<无铅焊料成分应符合SJ/求。
特殊成分焊料由供需需方协商确定。
5.2.2厚度0 浸锡焊带两单面对应位置的厚度差应不超过HD 5.3浸锡焊带MIN 5.3.1外观 浸锡焊带表面应呈光面允许有冷凝花纹,焊剂残留、脱锡、裂纹、超
大坑,则凹坑直径应≤0.5mm。
5.3.2尺寸允许偏差 浸锡焊带的尺寸允许偏差应符合表3的规定。
表3浸锡焊带的尺寸允许偏差 厚度(t)厚度允许偏差宽度(w)宽度允许偏差长度允许偏差“镰刀弯 mm mm mm mm mm% 0.08≤1<...
SJ/T 11549-2015 晶体硅光伏组件用免清洗助焊剂.pdf
ICS31-030 L90 备案号:52009-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11549—2015 晶体硅光伏组件用免清洗助焊剂 No-clean flux used for crystalline silicon photovoltaic(PV)modules 2015-10-10发布 2016-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 SJ/T115492015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则编写. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准起草单位:无锡尚德太阳能电力有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院、中国赛 宝实验室、深圳亿铖达工业有限公司、深圳同方电子新材料有限公司、铟泰科技有限公司. 本标准主要起草人:朱永乒 印入 、裴会川、刘子莲、徐金华、范鸿、尹 琪. INDUSTRY SJ STANDARDS I SJ/T115492015 晶体硅光伏组件用免清洗助焊剂 1范围 本标准规定了晶体硅光伏组件用免清洗助焊剂(以下简称“助焊剂”)的技术要求、试验方法、检 验规则、包装、运输、标志和贮存. 本标准适用于晶体硅光伏组件生产过程中所使用的免清洗助焊剂. 2规范性引用文件 RY AND 下列文件对于本文件 INFORMAT 不可少的.凡是注日期的引用 期的版本适用于本文件. 凡是不注日期的引用文件 数新版本(包括的修改单)适用于 SJ GB190危险货物包装 GB/T 191 请运图元梯 志 GB/T 601 GB/T 447 SJ/T 1121B 免清洗液态 3技术要求 3.1外观 助焊剂应是透明均的一致液体,无沉淀或分层,无异物. 3.2密度 按照4.3试验后,助焊剂 3.3酸值 TANDARDS 密度元许偏差为士0.01g/cm3. 按照4.4试验后,助焊剂酸值应为10 mg KOH/g 3.4卤化物含量 助焊剂应不含卤化物,按照4.5试验后助焊剂不应使铬酸银试纸颜色呈白色或浅黄色. 3.5稳定性 按照4.6试验后,助焊剂应保持透明,无分层或结晶物析出. 3.6不挥发物含量 对于手工焊接用助焊剂,按照4.7试验后不挥发物含量应≤5.0%:对于机器焊接用助焊剂,按照4.7 试验后不挥发物含量应≤3.0%. 1 ...