SJ 21453-2018 集成电路陶瓷封装 金丝键合工艺技术要求.pdf
SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6130 SJ21453-2018 集成电路 陶瓷 封装 金丝键合工艺技术要求 Integrated circuit ceramic package- Technical requirements for gold wire bonding process 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21453-2018 前言 本标准的附录A为规范性附录，附录B为资料性附录. 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第五十八研究所. 本标准主要起草人：王波、廖小平、肖汉武、朱卫良、姚昕、常乾、王燕婷. SJ21453-2018 集成电路陶瓷封装金丝键合工艺技术要求 1范围 本标准规定了军用集成电路陶瓷封装金丝键合工艺（以下简称金丝键合工艺）的一般要求和对原材 料、设备、工艺流程、关键控制点及检验的详细要求. 本标准适用于军用集成电路陶瓷封装电路芯片与陶瓷外壳键合区的金丝键合工艺. 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款.凡是注明日期的引用文件，其最后 的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研 究是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准. GB/T25915.1-2010洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级 GJB548B-2005微电子器件试验方法和程序 GJB3007防静电工作区技术要求 SJ21448集成电路陶瓷封装键合前检验要求 SJ21454集成电路陶瓷封装硅铝丝键合工艺技术要求 3一般要求 3.1人员 金丝键合工艺人员应满足以下要求： a)应掌握集成电路陶瓷封装工艺相关的基础知识； b)应掌握环境保护和职业健康安全相关的基础知识； c)应了解厂房的管理制度，自觉遵守人员着装、防静电操作要求等相关的各项规定； d)应熟练掌握金丝键合工艺所需设备和仪器的操作方法，具备相应的操作能力. 3.2设备、仪器和工装夹具 金丝键合工艺所用的设备和仪器应按规定进行计量校准.工装夹具应完好无损、洁净，规格尺寸应 与工艺要求相适应.常用设备、仪器和工装夹具见表1. ...
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SJ 21452-2018 集成电路陶瓷封装 芯片胶粘接装片工艺技术要求.pdf
SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6130 SJ21452-2018 集成电路 陶瓷封装 芯片胶粘接装片工艺技术要求 Interated circuit ceramic package- Technical requirements for die-attachment process by adhesives 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21452-2018 前言 本标准的附录A为资料性附录. 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第五十八研究所. 本标准主要起草人：朱家昌、李良海、肖汉武、朱卫良、常乾、王燕婷. AND OF INDUSTRY TECHNO SJ STANDARDS I SJ21452-2018 集成电路陶瓷封装芯片胶粘接装片工艺技术要求 1范围 本标准规定了集成电路陶瓷封装芯片胶粘接装片工艺的一般要求和详细要求. 本标准适用于集成电路硅芯片用胶材料粘接到陶瓷管壳的工艺，也适用于氨化镓、化镓芯片胶粘 接装片工艺. 2规范性引用文件 ND INFOR的引用文件，其随后的 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款 修改单（不包括勘误的内容入或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文伴的最版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准. GB/T25915.12010洁净室及相关受控环境 第1部分：空气洁净度等级 GJB548B-2005微电子器件试验方法和程 GJB1420B-2011半导体集成电路外壳通用规范 GJB 3007 防静电工作区技术要求 SJ21449集成电路陶瓷封装装片前检验要求 3一般要求 3.1人员 AHLS 装片工艺人员应符合以下要求 a)应掌握集成电路陶瓷封装装片工艺相关的基础知识： b)应掌握消防安全和职业健康安全相关的基础知识； c)应遵守人员着装、防静电要求等相关的各项规定： d)应具备装片工艺所需设备和仪器的操作能力. 3.2设备、仪器和工装夹具 胶粘接装片工艺所用的设备和仪器应定期计量校准 来具应完好无损、洁净，规格尺寸应与工 艺要求相适应.装片工艺中常用的设备、仪器和工装夹具见表 ...
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SJ 21451-2018 集成电路陶瓷封装 圆片划片工艺技术要求.pdf
SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6130 SJ21451-2018 集成电路陶瓷封装 圆片划片工艺技术要求 Integrated circuit ceramic package- Technical requirement for wafer-sawing process 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21451-2018 前言 本标准的附录A为资料性附录. 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第五十八研究所. 本标准主要起草人：李守委、李云海、肖汉武、朱卫良、常乾、王燕婷. AND INDUSTRY AULSININ RMNTION TECHNO SJ STANDARDS SJ21451-2018 集成电路陶瓷封装圆片划片工艺技术要求 1范围 本标准规定了军用集成电路圆片砂轮划片工艺的一般要求和划片工艺所使用的原材料、设备、工艺 流程、关键控制点及检验的详细要求. 本标准适用于12英寸及以下尺寸集成电路硅圆片（不含带凸点圆片）砂轮划片工艺（以下简称划片 工艺). 2规范性引用文件 AND INFORM 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款. 是注期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注明日期的文件，其最新版本适用于本标准. GB/T25915.12010洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级 GJB548B-2005微电子器件试验方法和程字 GJB 3007 防静电工作区技术要求 3术语和定义 GJB548B-2005确立的以及下列术语和定义适用于本标准. TECHNOLO 3.1 卷边peeling 划片过程中造成的划片槽内的钝化层材料、测试图形等的翘起、翻卷筹现象 3.2 崩边chipping 划片过程中，圆片的内部应力在划片刀的作用下从芯片的切割位置护散开来，在基底材料上形成缺 损及裂纹等现象. 3.3 键合区腐蚀坑bonding pad pitting TANDARD 划片过程中，由于切削液的持续冲刷，导致心厅键合区铝层腐蚀，在基板材料上形成暴露通孔的现 象. 4一般要求 4.1人员 工艺人员应满足以下要求： a)应掌握集成电路陶瓷封装工艺相关的基础知识： b)应了解厂房的管理制度，自觉遵守人员着装、防静电操作要求等相关规定； ...
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SJ 21450-2018 集成电路陶瓷封装 圆片减薄工艺技术要求.pdf
SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6130 SJ21450-2018 集成电路陶瓷封装 圆片减薄工艺技术要求 Integrated circuit ceramic package- Technical requirement for wafer-thinning process 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技 工业局发布 SJ21450-2018 前言 本标准的附录A为资料性附录. 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第五十八研究所. 本标准主要起草人：李守委、李云海、肖汉武、朱卫良、常乾、王燕婷. SJ21450-2018 集成电路陶瓷封装圆片减薄工艺技术要求 1范围 本标准规定了集成电路圆片减薄工艺（以下简称减薄工艺）的一般要求和减薄工艺所涉及的原材料、 设备、工艺流程、关键控制点及检验的详细要求. 本标准适用于12英寸及以下尺寸集成电路圆片（不含带凸点圆片）的减薄工艺. 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款.凡是注日期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可 使用这些文件的最新版本.凡是不注明日期的文件，其最新版本适用于本标准. GB/T25915.1-2010洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级 GJB548B-2005微电子器件试验方法和程序 GJB3007防静电工作区技术要求 3术语和定义 GJB548B-2005确立的以及下列术语和定义适用于本标准. 3.1 表面粗糙度roughness 圆片减薄加工表面上具有的较小间距和峰谷所组成的微观几何形状特性. 3.2 损伤层damaged layer 损伤层是由磨轮金刚石颗粒与圆片之间机械摩擦造成；由减薄面逐步向内过渡，最外层是粗糙碎裂 的表面结构，中间区域是由最外层带来的裂纹及其引伸微裂纹组成，再向内为由微裂纹延伸形成的弹性 形变区域. 中碎裂区 () 11f11 裂纹区 弹性形变区 图1损伤层示意图 ...
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SJ 21448-2018 集成电路陶瓷封装 键合前检验要求.pdf
SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6130 SJ21448-2018 集成电路 陶瓷封装 键合前检验要求 Integrated circuit ceramic package-Inspection requirements for pre-bonding 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技 工业局发布 SJ21448-2018 前言 本标准的附录A为资料性附录. 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第五十八研究所. 本标准主要起草人：常乾、廖小平、肖汉武、明雪飞、高娜燕、王燕婷. AND INFORMATION SJ STANDARDS I SJ21448-2018 集成电路陶瓷封装键合前检验要求 1范围 本标准规定了集成电路陶瓷封装键合前检验的一般要求和详细要求. 本标准适用于集成电路陶瓷封装引线键合前的芯片、外壳及键合丝的检验. 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的用而成为本标准的条款.凡是注日期的引用文件，其随后的 修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版术适用于本标准. GB/T25915.12010洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等 GJB548B-2005微电子器件试验方法和程序 GJB1420B-201半导体集成电路外壳通用规范 GJB3007防静电工作区技术要求 SJ21449 3一般要求 3.1人员 SJ 检验人员应满足以下要 TECHNOLOG a)检验人员应学握集成电路陶瓷封装检验相关的基础知识 b)检验人员应掌握环境保护和职业健康安全相关的基础知识： c)检验人员应了解房的管理制度，自觉遵守人员着装、防静电操作要求等相关的各项规定： d)检验人员应熟练掌握键合前检验所需设备和仪器的操作方法，具备相应的操作能力. 3.2设备、仪器和工装夹具 键合前检验所用设备和仪器应核规定进行计量校准，工装 具应完好无损、洁净，常用设备仪器及 工装夹具见表1. NDA 常用设备仪器及工装夹具 序号 名称 主要技术要求 用途 1 低倍显微镜 10倍~60倍 检验芯片装片、外壳及键合丝 2 高倍显微镜 75倍~200倍 检验芯片 3 托盘 防静电 装载电路 4 镊子 防静电 夹取原材料 3.3环境 键合前检验所需环境应满足以下要求： a)环境温度：15℃~30℃； ...
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YD/T 2323-2011 通信用低压并联型有源电力滤波器.pdf
ICS31.160通信 行业标准低压并联型 有源电力滤波器
目 次
前 言
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SJ 21446-2018 CdS-N-T型红外 紫外双色探测用硫化镉单晶片规范.pdf
SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6134 SJ21446-2018 CdS-N-T型红外/紫外双色探测用硫化镉 单晶片规范 Specification for cadmium sulfide monocrystalline wafers of CdS-N-T used for infrared/ultraviolet two-color detector 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21446-2018 前言 本规范的附录A、附录B、附录C和附录D为规范性附录. 本规范由中国电子科技集团公司提出. 本规范由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本规范起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所. 本规范主要起草人：张颖武、程红娟、齐海涛、杨丹丹、徐世海、窦瑛、郑风振、张蔺蔺. SJ21446-2018 CdS-N-T型红外/紫外双色探测用硫化镉单晶片规范 1范围 本规范规定了CdS-N-T型红外/紫外双色探测用硫化镉单晶片的要求、质量保证规定、交货准备等. 本规范适用于CdS-N-T型红外/紫外双色探测用硫化镉单晶片（以下简称硫化镉晶片）. 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款.凡是注日期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，但鼓励根据本规范达成协议的各方研究，可 使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范. GB/T191包装储运图示标志 GB/T1555-2009半导体单晶晶向测定方法X射线衍射定向法 GB/T4326-2006非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T6624-2009硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T30867-2014碳化硅单晶片厚度及总厚度变化测试方法 GJB179A-1996计数抽样检验程序及表 3要求 3.1几何参数 硫化镉晶片外观俯视图如图1所示，晶片镉面左下角为定位边.其中，a、b分别表示晶片的长度和 宽度，c、d分别表示定位边在晶片边长的投影，其中0.5mm1.7. b 硫化镉 晶片锅面 a d 图1硫化镉晶片外观俯视图 具体外形参数应符合表1的规定. 1 ...
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SJ 21442-2018 GaN-SI型半绝缘氮化镓单晶片规范.pdf
中华人民共和国电子行业标准 FL6134 SJ21442-2018
本规范由中国电子科技集团公司提出。
本规范由工业和信息化部电子第四研究院归口。
本规范起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所。
本规范主要起草人：王再恩、张嵩、杨丹丹、齐海涛、洪颖、程红娟、李晖、高飞、郑风振、 徐永宽。
II
本规范适用于GaN-SI型半绝缘氮化单晶片(以下简称氮化单晶片)。
2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，但鼓励根据本规范达成协议的各方研究，可 使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。
GB/T191包装储运图示标志 GB/T1555-2009半导体单晶晶向测定方法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T13387硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T30867-2014碳化硅单晶片厚度及总厚度变化测试方法 GB/T32188-2015氮化单晶衬底片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 GB/T32189-2015氮化单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法 GB/T32278-2015碳化硅晶片的平整度测试方法 GJB179A-1996计数抽样检验程序及表 3要求 3.1外形尺寸 2英寸、3英寸和4英寸氮化镓单晶片外形示意图见图1。
嫁面
SJ 21442-2018
3.2表面质量 氮化镓单晶片表面为双面抛光，其镓面应无裂纹、无划伤、无沾污、无崩边，宏观缺陷（颗粒、坑） 不大于2个每平方厘米。
3.3晶向 氮化单晶片晶向为偏向M轴0.35°土0.15°。
其中M轴方向为。
3.4表面粗糙度 氮化镓单晶片面表面粗糙度Ra不大于0.5nm。
3.5电阻率 氮化单晶片的电阻率不小于1x10°Ωcm。
3.6X射线衍射(XRD)摇摆曲线半高宽 氮化单晶片(0002)面X射线衍射(XRD)摇摆曲线半高宽不大于120弧秒。
氮化单晶片(1012)面X射线衍射(XRD)摇摆曲线半高宽不大于120弧秒。
3.7位错密度 氮化镓单晶片的位错密度不大于5×10°个每平方厘米。
3.8表面硅杂质浓度 氮化单晶片面硅杂质浓度不大于5x10个每立方厘米。
4质量保证规定 4.1检验分类 本规范规定的检验分类如下： a）鉴定检验（见4.3）； b）质量一致性检验（见4.4）。
4.2检验条件 除另有规定外，应在下列条件下进行检验： a)温度：15°℃~35°℃； b）相对湿度：30%~70%。
...
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SJ 21441-2018 SiC-HPSI型高纯半绝缘碳化硅单晶片规范.pdf
中华人民共和国电子行业标准 FL6134 SJ21441-2018
本规范由中国电子科技集团公司提出。
本规范由工业和信息化部电子第四研究院归口。
本规范起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所。
本规范主要起草人：窦瑛、齐海涛、杨丹丹、高飞、洪颖、孟大磊、张政、张皓、郑风振、 牛栋华。
I1
本规范适用于SiC-HPSI型高纯半绝缘碳化硅单晶片（以下简称碳化硅单晶片）。
2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。
GB/T191包装储运图示标志 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T13387硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T30656-2014碳化硅单晶抛光片 GB/T30866-2014碳化硅单晶片直径测试方法 GB/T30867-2014碳化硅单晶片厚度及总厚度变化测试方法 GB/T32189-2015氮化单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法 GB/T32278-2015碳化硅单晶片平整度测试方法 GJB179A-1996计数抽样检验程序及表
碳化硅单晶片按晶型分为4H型和6H型。
3.2表面质量 碳化硅单晶片表面为双面抛光，其硅面无裂纹，无六方空洞，无划痕，无崩边，无凹坑，无碳包裹 物，无沾污。
3.3表面粗糙度 碳化硅单晶片的表面粗糙度Ra不大于0.3nm。
3.4外形尺寸 3.4.1碳化硅单晶片外形示意图 (2～4)英寸碳化硅单晶片外形示意图见图1。
SJ 21441-2018
硅面
表1碳化硅单晶片几何参数 主参考面副参考面主参考总厚度局部厚弯曲翘曲 直径厚度长度长度副参考面取向变化度变化度度 mm m mm面取向
3.5晶向 碳化硅单晶片的晶向为，其晶向偏离度为0士0.2°。
3.6材料性能参数 碳化硅单晶片的材料性能参数应符合表2的规定。
表2碳化硅单晶片的材料性能参数 微管密度电阻率X射线衍射（XRD)位错密度杂质浓度 个每平方厘米晶型Ω-cm摇摆曲线半高宽“个每平方厘米原子每立方厘米
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SJ 21440-2018 军用电子装备生产线数字化仿真要求.pdf
中华人民共和国电子行业标准 FL0112 SJ21440-2018
本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口。
本标准起草单位：中国电子科技集团公司第三十八研究所、安徽四创电子股份有限公司。
本标准主要起草人：张红旗、魏一雄、陈兴玉、周红桥、田富君、孙宁、程五四、陈帝江、胡祥 涛、张祥祥、周韬、孟宪伟、郭黎、王祖
本标准适用于军用电子装备生产线数字化仿真应用与研究。
2规范性引用文件 过本标准的引用而成为本标准的条款 是否可使用这些文件的最新版本，及是不注日期的引用文件其最新版本适用于本标准。
SJ 21432-2018军用电子装备基于模型定义总体要 SJ21439-2018军用电子装备生产线数字化建模要求 3术语和定义TECHNOL 下列术语和定义适用事本标准。
3.1 数字化仿真digitalsimulation 以实际场景重现及优化为目标，基于数字化模型，在特定假设前提下施加预设输入，借助计算机完 定参数变化的过程。
3.2 系统仿真systemsimulation 根据系统分析的目的，在分析系统各要素性质及其相互质的老础建立能描述系统结构或行为 决策所需的各种信息。
3.3 物流仿真logisticsimulation 针对物流系统建模，并在计算机上编制相应应用程序，模拟实际物流系统运行状况，并统计和分析 模拟结果，用以指导实际物流系统的规划与运行管理。
3.4 测试仿真inspectionsimulation 针对生产线测试检验环节，利用数字化技术模拟测试设备及测试系统，通过输入控制参数得到测试 模型的仿真结果。
SJ 21440-2018 4仿真分类及仿真应用要求
5一般要求
f）生产线仿真之前应先确定仿真目标，选择仿真方式，建立生产线仿真模型； g）应能够分析生产系统评价因素，如干涉、工时累加、材料利用率、设备磨损等； h）仿真过程中若调节仿真参数及运行速率等时，应能够暂停、继续或重新开始仿真； i）不同的仿真目的，可具有不同颗粒度的仿真约束，如静态仿真与动态仿真中逻辑模型的建立； j）仿真的结果可以通过动态模型的形式作可视化展示，也可以单独输出关键结果参数； k）一定场合下仿真条件可作简化，如物流仿真时，可做如下假设： 1）假设人员的配置是永远可以满足车间生产的； 2）假设车间内部的组装部件的库存量是永远可以满足生产的； 3）假设机器设备不存在故障状态，可以永久正常运行。
6一般流程
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SJ 21438-2018 军用电子装备线缆组件三维建模通用要求.pdf
中华人民共和国电子行业标准 FL0112 SJ21438-2018
本标准由中国电子科技集团公司提出。
本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口。
本标准起草单位：中国电子科技集团公司第三十八研究所、安徽四创电子股份有限公司。
涛、张祥祥、孙宁、本标准主要起草人：束峰涛、陈帝江、周周红桥、田富君、魏一雄、程五四、胡祥 SJ
本标准适用于军用电子装备线缆组件的维建模 2规范性引用文件AND
及是不注日期的引用文件其最新版本适用于本标准。
SJ2112.1-2016军用电子装备三维建模通用规则第第1部分：通用要求 SJ212.2-2016用电子装备三维建模通用规则第2部分：零件建模 SJ2016翔电子装备三维建模通用规则第3部分：装配件建模 3术语和定义HNOL 下列术语和定义适用子 3.1 线缆组件harness 一组线接线端子、连接器及附件的装配组合体，经整理、排列后能作为一个部件进行安装或 拆卸，线缆组件是整机线缆互连的基本组成单元。
3.2 线规wire andcablespecifieations
3. 4 布线装配模型harnessassemblymodel 在三维结构模型的基础上，提取与布线相关特征，并加入三维布线相关特征及要素后生成的可用于 线缆组件设计的模型。
3.5 线缆组件三维建模three-dimensionalmodelingofharness 建立线缆组件三维数字模型的活动。
SJ 21438-2018 3.6 线缆接线图harnesswiringdiagram 布线装配模型中用于表达线缆接线关系的图样。
3.7 三维布线three-dimensionalharnessrouting 在电子装备整机或单机的三维模型上进行线缆组件设计的过程。
3.8 自动布线autorouting 依据线缆接线图，定义接线关系、线缆、连接器和敷设路径，由软件自动生成线缆三维模型的建模 方法。
3.9 手工布线manualrouting 依据线缆接线图，人工定义线缆、连接器和敷设路径，产生线缆三维模型的建模方法。
3.10 布线网络harnessnetwork 对装配中线束主要路径的描述，用来表示路径的位置、三维结构、走向等。
3.11 线缆组件扎制图harnessbundlingdrawing 线缆组件按一定的规则展平后生成的、用来表达多根线缆扎制在一起的图样。
完整的线缆组件线扎 图应包含线缆组件的尺寸、线缆的编号和长度、材料及用量等制作要素。
3. 12 线缆组件装置图harnessinstallationdrawing 用来表达电子装备中单个或多个线缆组件的位置、分布、三维结构及走向、安装及防护方式等装配 要素的图样。
4一般要求
中心线显示状态用于表达布线路径和位置点；实 体显示状态用于表达电缆形状、空间分布及占用颜色等特征。
SJ 21438-2018 5详细要...
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SJ 21437-2018 军用电子装备三维模型检查要求.pdf
一
本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口。
本标准起草单位：中国电子科技集团公司第三十八研究所、安徽四创电子股份有限公司。
本标准主要起草人：张红旗、周红桥、孙宁、魏一雄、程五四、陈帝江、胡祥涛、张祥祥、田富 君、陈兴玉、周韬、罗宏亮、孟宪伟、
本标准适用于军用电子装备三维模型的检 2规范性引用文件AND TRY 本标准的引用而成为本标准的条款期的引用文件，其随后的 修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版苯用是不注日期的引用文件其最新版本适用于于本标准。
GB/T4734,1-2009技术产品文件化产品定义数据通则第部分术语和定义 GB/T24734.3-2009技术产品文件数导化产品定义数据通则第3部分：数据集要求 GB/-2009产品文件数字化产品定义数据通则第4部分设计模型要求 GB5-2009技术产品文件数字化产品定义数据通则第5部分：一品定定义数据通用要求 GB8-2009技术产品文件数字化产品定义数据通则8数值与尺寸要求 GB9-2009技术产品文件品定义数据通则第9部的应用 GB10-2009技木明文件品定义数据通则第10部介何公差的应用 GB/26099-2010机械产品三维建模通用规则第1部分通用要求 SJ/T计文件管理制度第4部分：设计文件的编号 SJ 2111军用电子装备三维建模通用规则第1部分：通用要求 SJ211122-2016军用电子装备三维建模通用规则第2部分：零件建模 SJ21112.3-2016军用电子装备三维建模通用规则第3部务：装配件建模 SJ21113-2016军用电子装备三维CAD数据集要求 SJ 21218-2016 SJ21223-2016电子装备基丁模型定 SJ 21225-2016电子装备结构有限元分析建模要求 SJ21303-2018电子装备PBOM及MBOM通用要求 SJ21308-2018电子装备基于模型定义的钣金工艺表示法 SJ21310-20183电子装备基于模型定义的装配工艺表示法 SJ21311-2018电子装备三维机加工艺数据集要求 SJ 21314-2018电子装备热仿真分析通用要求 SJ21359-2018电子装备基于模型定义的焊接工艺表示法 SJ21360-2018电子装备三维机加工艺设计通用要求 SJ21361-2018电子装备三维装配工艺设计通用要求 SJ21362-2018电子装备三维钣金工艺设计通用要求 SJ21363-2018电子装备三维工艺设计审签、更改通用要求
4一般要求
4.2检查方式 军用电子装备三维模型检查方式一般包括： a）自动检查：通过特定的三维模型检查程序软件，如根据本标准及相关标准开发的检查程序软件， 对三维模型进行自动检查； b）交互检查：根据本标准及相关标准，采用交互操作的方式进行逐项检查； 注：在无自动检查程序软件或自动检查程序软件不能覆盖全部检查项时，通过交互方式对所缺的检查项进行检查； 检查结果等级可分为错误、警告和正确三类，无论自动检查还是交互检查，对错误和警告类检查结果都应进行 逐条查验，按相关要求处理。
5详细要求
5.1.2三维设计模型检查 三维设计模型检查内容、检查依据和检查角色见表1。
2
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SJ 21436-2018 军用电子装备基于模型定义 机箱要求.pdf
SJ 中华人民共和国电子 行业标准 FL0112 SJ21436-2018 军用电子装备基于模型定义机箱要求 Model based definition for military electronic equipment- Requirements of chassis 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21436-2018 前言 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第三十八研究所、安徽四创电子股份有限公司. 本标准主要起草人：张红旗、陈兴玉、张勇波、胡祥涛、张祥祥、周红桥、田富君、魏一雄、程五 四、陈帝江、孙宁、周韬、孟宪伟、王祖兵. I SJ21436-2018 军用电子装备基于模型定义机箱要求 1范围 本标准规定了军用电子装备机箱的结构层级、协调尺寸和属性信息基于模型定义的表达要求. 本标准适用于军用电子装备机箱基于模型定义的应用、开发、服务与研究. 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款.凡是注日期的引用文件，其随后的 修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准. GB/T19520.12-2009电子设备机械结构482.6mm(19n)系列机械结构尺寸第3-101部分：插箱及 其插件 GB/T19520.16-2015电子设备机械结构482.6mm(19in)系列机械结构尺寸第3-100部分：面板、 插箱、机箱、机架和机柜的基本尺寸 GB/T24734.1-2009技术产品文件数字化产品定义数据通则第1部分：术语和定义 GB/T24734.3-2009技术产品文件数字化产品定义数据通则第3部分：数据集要求 GB/T24734.5-2009技术产品文件数字化产品定义数据通则第5部分：产品定义数据通用要求 GB/T24734.8-2008技术产品文件数字化产品定义数据通则第8部分：模型数值与尺寸要求 GB/T26099.3-2010机械产品三维建模通用规则第3部分：装配建模 GJB2825-1997军用雷达机柜插箱插件模块化要求 SJ21109-2016基于三维数字样机的军用电子装备数字化工艺通用要求 SJ21432-2018军用电子装备基于模型定义总体要求 3术语和定义 GB/T24734.1-2009和SJ21432-2018确立的术语和定义适用于本标准. 4机箱总成 机箱作为支撑相关电气和电子元器件的特定设计的机械结构，及用于容纳带插接元件的印制板和插 件的结构单元，其主要组成部分包含箱体、导轨、插件及背板等.按基于模型定义方式，机箱分类主要 有以下三类： a)A型...
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SJ 21435-2018 军用电子装备基于模型定义 汇流环要求.pdf
SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL0112 SJ21435-2018 军用电子装备基于模型定义汇流环要求 Model based definition for military electronic equipment- Requirements of slip-ring 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发在 SJ21435-2018 目 次 前言， II 1范围...， ...1 2规范性引用文件. ......1 3术语和定义 1 4常见汇流环分类...... ......2 4.1按照工作频率. 2 4.2按照结构形式 2 5一般要求.. 2 5.1设计信息定义载体和方法.. 2 5.2采用模型特征方法定义信息的要求 “ 2 5.3采用标注方法定义信息的要求.... ......... 2 5.4采用属性方法定义信息的要求... 3 6详细要求. 3 6.1汇流环装配.. 3 6.2环芯，..， ..4 6.3电刷刷组.. 6.4导电环、绝缘环..... 4 6.5外壳. 4 附录A(资料性附录)汇流环基于模型定义示例 6 I SJ21435-2018 前 言 本标准的附录A为资料性附录. 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第三十八研究所、安徽四创电子股份有限公司. 本标准主要起草人：张红旗、张祥祥、康成彬、陈帝江、胡祥涛、孙宁、陈兴玉、周红桥、田富 君、魏一雄、程五四、周韬、孟宪伟、王祖兵. II ...
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SJ 21434-2018 军用电子装备基于模型定义 T R组件要求.pdf
SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL0112 SJ21434-2018 军用电子装备基于模型定义T/R组件要求 Model based definition for military electronic equipment- Requirements ofT/R module 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21434-2018 目 次 前言 II 1范围... ..1 2规范性引用文件 3术语和定义. ..1 4T/R组件结构形式..... .1 5一般要求... 6几何建模要求.. 2 6.1结构布局.... 2 6.2壳体设计， 2 6.3接口设计. 6.4布线.. 2 7三维标注要求 ...3 7.1T/R组件，.... 3 7.2壳体.... ....5 8属性要求 ...10 附录A(资料性附录)T/R组件壳体标注示例 11 I SJ21434-2018 前 言 本标准的附录A为资料性附录. 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第三十八研究所、安徽四创电子股份有限公司. 本标准主要起草人：张红旗、田富君、王美焰、程五四、陈帝江、胡祥涛、张祥祥、孙宁、陈兴 玉、周红桥、魏一雄、周韬、孟宪伟、王祖兵. II ...
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SJ 21430-2018 军用电子装备工业设计模型构建通用要求.pdf
SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL0112 SJ21430-2018 军用电子装备工业设计 模型构建通用要求 General requirements of industrial design model construction for military electronic equipment 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技 工业局发布 SJ21430-2018 前 言 本标准的附录A为资料性附录. 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团第三十八研究所、安徽四创电子股份有限公司. 本标准主要起草人：郭黎、陈尤莉、张红旗、张亚玎、王吉喆、廖攀攀、周红桥、孙宁、王运 龙、刘壮、孟宪伟、周韬、田富君、王祖兵. I SJ21430-2018 军用电子装备工业设计模型构建通用要求 1范围 本标准规定了军用电子装备工业设计三维模型的分类与构成、建模一般要求和详细要求. 本标准适用于军用电子装备工业设计三维模型的构建、应用与管理. 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款.凡是注日期的引用文件，其随后的 修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准. GB/T26099.1-2010机械产品三维建模通用规则第1部分：通用要求 GB/T26099.2-2010机械产品三维建模通用规则第2部分：零件建模 SJ21112.1-2016军用电子装备三维建模通用规则第1部分：通用要求 SJ21226-2016电子装备逆向工程三维建模技术要求 3术语和定义 GB/T26099.1-2010和SJ21226-2016确立的以及下列术语和定义适用于本标准. 3.1 工业设计industrial design 以工学、美学、经济学为基础对工业产品进行设计的过程. 3.2 工业设计模型构建construction of industrial design modeling 从需求分析到完整工程设计模型的建模过程，生成的模型用于详细工程设计以及数字化虚拟展示. 3.3 草图绘制sketch drawing 使用徒手表达工具，把设计构思记录下来的过程. 3.4 概念模型concept model 在产品概念设计阶段，从需求分析出发，初步形成的设计模型，此时并不涉及产品的精确尺寸和详 细几何参数. 3.5 实体化模型solid model 在概念模型基础上，包含了产品实体、颜色、质感、结构尺寸等的设计模型. 1 ...
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SJ 21429-2018 军用电子装备柔性线缆数字化设计要求.pdf
中华人民共和国电子行业标准 FL0112 SJ21429-2018
本标准由中国电子科技集团公司提出。
本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口。
本标准起草单位：中国电子科技集团公司第二十九研究所。
本标准主要起草人：王驰鹏、李剑勇、杜小东、王庆兵、刘绪弟、何冬梅、张富官、马汉增、刘建 军、俞利。
SJ 21429-2018
本标准适用于军用电子装备的柔性线缆三维数字化设计与应用。
2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
本标准所定义 的术语仅适用于本标准。
SJ21304-2018电子装备数字化工艺基本术语
3.1 三维布线three-dimensionalcablelayout 在产品三维几何模型基础上，模拟从一个实体结构延伸到另一个实体结构，把各部分结构的电路连 接起来的线、缆空间布置设计。
[SJ21304-2018，定义3.23] 3.2 产品结构树productstructuretree 以树状形式表达产品组成，反映产品零件、部件、整件的装配层次关系。
[SJ21304-2018，定义3.24] 3.3 装配assembly 两个或多个零件、部件、整件模型按一定规则创建位置、约束关系的过程。
3.4 节点node 组成BOM的基本元素，有物料、工序等。
[SJ21304-2018，定义3.25] 3.5 柔性线缆flexiblecable 按产品参数规定的弯曲半径，可以任意方向重复弯折、可随拖链运动系统随动的单根信号传输线或 线组。
SJ 21429-2018 4缩略语 下列缩略语适用于本标准。
BOM---billofmaterial,物料清单； EBOM-engineeringbillof material，工程物料清单； PDM--product data management，产品数据管理； PBOM--process billof material，工艺物料清单。
5一般要求 5.1三维布线原则 三维布线的方案设计应遵循以下原则： a）柔性线缆宜使用通用的线束设计工具三维建模； b）线缆敷设应满足可靠性要求； c）线缆敷设符合电磁兼容要求； d）线缆敷设应满足检查、维修、更换操作要求； e）线缆敷设应避免机械磨损； f）线缆敷设应满足环境适应性要求； g）大功率线缆敷设应符合散热要求； h）线缆敷设应满足安全性要求； i）线缆一般沿支撑件按最短路径敷设； j）线缆敷设应整洁、美观。
5.2三维布线要求 三维布线的建模设计应满足以下要求： a）交流电源与直流电源、高频与低频导线敷设时应分离； b）线束敷设不得形成封闭回路； c）线束敷设应平整，满足线束成型折弯半径要求； d）线束敷设连续悬空段长度要求不大于400mm，一般应贴近结构支撑面布设线缆； e）禁止将接地线、半刚性电缆作为线束固定支撑件； f）三维布线应预留导线松弛度空间，导线长度单端预留2-3次返修余量； g）需要徒手拆装的设备面板连接器，插座两法兰边间距一般不小于20mm; h）带直式尾附件的电缆组件，安装最小轴向空间，从插座法兰外端面至墙壁的间距一般不小于 120 mm; i）光缆布线要求方便独立拆装，实际装配与拆卸不得对其它线缆造成影响； j）线缆转接区要求设置在平直区域，并在转接区两端设置固定点； k）对于移动部件的布线，应根据移动行程预留线束移动包络空间； 1）三维布线应远离高温器件、潮湿部位；无法避免时，则需明确防护措施； m）三维布线通过结构锐边与移动部件时应预留安全距离；无法避免时，则需明确防护措施； n）直径不大于1.2mm的微小型柔性同轴电缆布线，在不影响器件可靠性情况下，允许电缆与器 件重叠布置； 0）微小型柔性同轴电缆敷设通道及相连的连接器插头处要求设计加固措施。
5.3三维线缆标识 三维线缆模型...
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CJ/T 500-2016 城市轨道交通车地实时视频传输系统
ICS33.040.40 L78 GJ 中华人民共和国城镇建设行业标准 CJ/T500-2016 城市轨道交通 车地实时视频传输系统 Real-time video transmission systems between roadside and vehicle for urban rail transit 2016-08-08发布 2017-02-01实施 中华人民共和国住房和城乡建设部发布 CJ/T500-2016 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准由住房和城乡建设部标准定额研究所提出. 本标准由住房和城乡建设部城市轨道交通 标准化技术委员会归口. 本标准负责起草单位：北京新岸线移动多媒体技术有限公司. 本标准参加起草单位：公安部第三研究所、通号新岸线科技有限公司、北京全路通信信号研究设计 院集团有限公司、公安部第一研究所、北京市地铁运营有限公司、广州市地铁集团有限公司、上海中科城 市公共安全标准化技术有限公司、上海申通地铁集团有限公司、深圳市地铁集团有限公司、北京声迅电 子股份有限公司. 本标准主要起草人：鲍东山、雷俊、周左鹰、于晓燕、刘慎发、阎德升、何伟、成云飞、师进、邸士萍、 韦文、汪杰、黄威、吉萌、蒋庆生、王瑜琦、张元、温志伟、宋杰、张衡、龚小聪、周承吴、傅源蕾、洪翔、 张立东、纪文莉、钟文文、孟寒松、任博、姬光. I CJ/T500-2016 城市轨道交通车地实时视频传输系统 1范围 本标准规定了基于增强型超高吞吐(Enhanced Ultra-High Throughput EUHT)无线通信技术的 城市轨道交通车地实时视频传输系统的系统组成、系统技术要求、设备技术要求、系统接口、网管、电源、 安全性、可靠性、工作环境、防护等级和电磁兼容性以及安装检验. 本标准适用于城市轨道交通车地实时视频传输系统的产品研发、制造、系统设计和安装维护. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T24338.4轨道交通电磁兼容第3-2部分：机车车辆设备 GB/T24338.5轨道交通电磁兼容第4部分：信号和通信设备的发射与抗扰度 GB50198民用闭路监视电视系统工程技术规范 GB50348安全防范工程技术规范 GB51151一2016城市轨道交通公共安全防范系统工程技术规范 YD/T2394.2一2012高频谱利用率和高数据吞吐的无线局域网技术要求第2部分：增强型超 高速无线局域网媒体接入控制层(MAC)和物理层(PHY) 3术语、定义和缩略语 3.1术语和定义 下列术语和定义适用于本文件. 3.1.1 城市轨道交通车地实时视频传输系统real time video transmissio...
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SJ 21404-2018 微电子封装金属外壳 可伐零件预氧化工艺技术要求.pdf
SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6113 SJ21404-2018 微电子封装金属外壳 可伐零件预氧化工艺技术要求 Metal packages for microelectronic packaging-Technical requirements for the pre-oxidation process of Kovar piece-parts 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21404-2018 前言 本标准的附录A为资料性附录. 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第四十三研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、 中国电子科技集团公司第五士五研究所 本标准主要起草人：杨鹏飞人何素 冯玲玲、刘旭、陈宇宁. INDUSTR HO AHISININ SJ STANDARDS SJ21404-2018 微电子封装金属外壳可伐零件预氧化工艺技术要求 1范围 本标准规定了微电子封装金属外壳可伐零件预氧化工艺的对人员、环境、安全等一般要求和对工艺 流程、工艺准备、预氧化、检验、标识、转运和贮存等详细要求. 本标准适用于微电子封装金属外 可伐零件预氧化工艺，铁镍合金零件预氧化工艺可参照本标准进 行. 2规范性引用文件 TRY AND INFORMA 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款.凡是注日期的引用文件，其随后的 修改单（不包含误的内容》或修版均适用于本标准， 然丽，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注期的引用文件其最新版本适用于本标准. GB/T8979-2008纯氮、高纯氮和超绒 GB/T1446.-2013 2014定料接铁人 SJ213282018金属外壳熔封工艺技求要求 3术语和定义 下列术语相定义适用于本标准. CHNOLOGY 3.1 预氧化Pre-oxidation 在金属表面形成一层致密的金属氧化膜，为后续高温封接提供属、金属氧化物、溶入玻璃的金属 氧化物、玻璃的连续过 使金属与玻璃紧密结合，确保封接 性和强度的工艺技术. 4一般要求 TANDAR 4.1人员 人员要求如下： a)应掌握微电子封装工艺相关的基础知识，并经过专业岗位技术培训，经考核合格后，持岗位资 格证上岗； b)应掌握环境保护和职业健康安全相关的基础知识，能应急解决工艺过程中可能出现的问题： )应了解相关管理制度，并自觉遵守人员着装和污染防控的各项规定； d)应熟练掌握工艺设备和仪器的操作方法； e)应严格按照工艺要求进行操作，并按规定填写工艺记录. 1 ...
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SJ 21348-2018 超导器件环境试验方法.pdf
中华人民共和国电子行业标准 FL6100 SJ21348-2018
本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口。
本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十六研究所。
本标准主要起草人：纪斌、左涛、徐友平、李松乾、张同升。
I
本标准适用于超导滤波器、谐振器、多工器、超导延迟线、以及超导混频器等超导器件的环境试验， 其他超导器件如超导量子干涉器（SOUID器件）可参照使用。
2规范性引用文件 下列文件中的少标准的引用而成为本标准的条款。
的引用文件，其随后的 修改单（不包容）或修订版均不适用于本标准，然而，示准达成协议的各方研究 是否可使用送新本标准。
GJB 14防TEC GJB60备实验室环验方法第3高温试 GJB09实验室环境试验方法第4低温试验 GJB 3术语TRY 下列适用 3.1 超导器onducting devices 利用超导 [SJ/T 10140- 3.2S. 低温工作试验
确定产品在低温条件 下工作一段时间后，低温对产品的电气和机械做能的影响，从而对产品的质量做出评价。
4一般要求 4.1标准大气条件 4.1.1试验的标准大气条件 除另有规定，应在下列标准大气条件下进行试验： a）温度：15°℃~35°℃； b）相对湿度：20%~80%； c）气压：86kPa~106kPa。
SJ 21348-2018 4.1.2恢复条件 除另有规定，按4.1.1规定的标准大气条件进行恢复。
需要防潮的超导器件，应放置在防潮器Ⅲ中恢 复。
4.2试验条件的容许误差 除另有规定，试验条件的容许误差应按GJB360B-2009中4.2的规定。
4.3试验仪器、设备的误差 用以控制或监测试验参数以及进行测试的仪器、设备，其误差应不大于被测（被控）参数误差的三 分之一，或按有关产品规范的规定。
4.4试验样品 4.4.1试验样品的电性能和机械性能应检测合格。
试验样品的外观应光滑平整，无裂纹、变形等影响 寿命和使用的机械损伤，紧固件无松动现象。
试验样品在试验设备内的安装应与实际工作状态接近。
超 导器件试验过程若有防潮要求，应按GJB145A-1993进行防潮包装。
4.4.2若试验样品在开始进行一系列的测量之前要求进行辅助干燥，除另有规定外，应按下列条件处 理6h: a)温度：（55±2）℃； b）相对湿度：不大于20%； c）气压：86kPa~106kPae 5详细要求
5.1.2试验条件 5.1.2.1试验温度 试验的极限温度如下： a）上限温度（TB）：298K土10K,或试验室温度； b）下限温度（TA）：77K土2K，17K土2K；或按有关产品规范规定。
5.1.2.2循环次数 5次或10次。
5.1.2.3升降温时间 降温一般按制冷机正常工作方式降温，降温时间一般不超过8h。
升温一般自然升温或加热升温， 升温时间一般不超过16h,升温速率不高于3K/min。
5.1.2.4极限温度下保温时间 极限温度下保温时间见表1。
表1极限温度下的保温时间 被试样品和试验中固定这些样品的夹具的总重量（m）极限温度下最少试验时间 kg h m<0.1361 0.136≤m<1.362 1.36≤m<13.63
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