GB 29447-2022 多晶硅和锗单位产品能源消耗限额.pdf

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中华人民共和国国家标准

GB 29447-2022代替GB29447-2012、GB29413-2012

多晶硅和锗单位产品能源消耗限额

The norm of energy consumption per unit products of polysilicon and germanium

国家标准化管理委员会 国家市场监督管理总局 发布

前言

文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.

本文件代替GB29447-2012(多晶硅企业单位产品能源消耗限额)和GB29413-2012《单位产变化如下:

a)更改了范围(见第1章,GB29447-2012的第1章、GB29413-2012的第1章);b)更改了术语和定义(见第3章,GB29447-2012的第3章、GB29413-2012的第3章);c)更改了多晶硅能耗限额等级划分方式(见4.1 GB29447-2012的第4章); d)更改了错能耗限额等级划分方式(见4.2,GB294132012的第4章);e)更改了技术要求(见第5章,GB29447-2012的第4章、GB29413-2012的第4章);[)删除了半导体级多晶硅的能耗要求(见GB29447-2012的4.4);g)更改了多晶硅和错能耗统计范围和计算方法的内容(见第6章,GB29447-2012的第5章、h)删除了企业产品能耗水平的评价(见GB29413-2012的第6章); GB 29413-2012的第5章);i)删除了节能管理与措施(见GB29447-2012的第6章,GB29413-2012的第7章).请注意本文件的某些内容可能涉及专利,本文件的发布机构不承担识别专利的责任.本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为: 本文件由国家标准化管理委员会提出并归口.2012年分别首次发布为GB29447-2012GB29413-2012;本次为第一次修订

多晶硅和锗单位产品能源消耗限额

1范围

算方法.

再生锗原料为原料生产高纯四氯化储、高纯二氧化储、区熔锭、储单晶的企业进行能耗的计算、考核,以及对新建、改建和扩建项目的能耗控制.

本文件不适用于电子级多晶硅及硅烷流化床法生产多晶硅的企业的能耗计算.

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件:不注日期的引用文件,其最新版本(包括的修改单)适用于 本文件.

GB/T2589综合能耗计算通则GB/T5238锗单晶和锗单晶片GB/T11069高纯二氧化储GB/T12723单位产品能源消耗限额编制通则 GB/T11071区熔锗锭GB/T14264半导体材料术语GB/T25074太阳能级多晶硅YS/T13高纯四氯化锗

3术语和定义

GB/T2589GB/T12723和GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件.

4能耗限额等级

4.1多晶硅

多晶硅单位产品能耗限额等级见表1,其中1级能耗最低,

表1多晶硅单位产品能耗限额等级

产品 单位产品综合能耗 kgce/kg1级 2级 3级多品硅 ≤7.5 ≤8.5 ≤10.5

4.2绪

错单位产品能耗限额等级见表2,其中1级能耗最低.

表2错单位产品能耗限额等级

单位产品综合能耗 kgce/kg产品 1级 2级 3级高纯四氨化储 ≤5.2 ≤5.5 ≤9.3高纯二氧化储 ≤0 92 <1.1 ≤1.7区焰储锁 ≤7.8 ≤9.5储单品 6.0 6.5 10.0注1:储单位产品能耗限额均以该产品折算成对应的储金属量进行计算.注2:高纯四氯化储以储精矿、再生储原料经氯化蒸谣、精馏工序生产,高纯二氧化储以高纯四氯化储为原料经 水解、烘干、培烧工序生产,区熔储锭以高纯二氧化储为原料经氢气还原、区熔提纯工艺生产,储单晶以区熔储锭为原料经直拉法单品生长工艺生产. 5技术要求 5.1多晶硅及绪单位产品能耗限定值 5.1.1现有多晶硅生产企业的多晶硅单位产品综合能耗限定值应符合表1中3级的规定.5.1.2现有铺生产企业的猪单位产品综合能耗限定值应符合表2中3级的规定. 5.2多晶硅及绪单位产品能耗准入值 5.2.1新建或改、扩建多晶硅生产企业的多晶硅单位产品综合能耗准人值应符合表1中2级的规定.5.2.2新建或改、扩建错生产企业的错单位产品综合能耗准人值应符合表2中2级的规定. 6能耗统计范围和计算方法 6.1统计范围 6.1.1多晶硅单位产品综合能耗统计范围 6.1.1.1多晶硅的能耗,包括从原材料进入生产厂区开始直到合格产品进人成品仓库或出厂的整个过程,包括主要生产系统(三氯氢硅合成、三氯氢硅精馏提纯、四氯化硅氢化、还原、还原尾气干法回收、产品处理包装、硅芯制备、氢气制备、三废”处理等),辅助生产系统(纯水、循环水、脱盐水、氮气、压缩空气等制备及蒸汽锅炉、空调、化验、机修、库房、运输等)及附属生产系统(生产调度指挥系统、职工食堂、办公室等)的能耗. 6.1.1.2设备大修的能耗,按检修后设备的运行周期逐月平均分摊. 6.1.1.3多晶硅生产中存在工序缺省、工序产量不足面外购或产量富余面外售原材料、中间产品时,综合能耗值应增加或减少相应的能耗值. 6.1.2绪单位产品综合能耗统计范围 6.1.2.1错产品的能耗,包括从原材料进人生产厂区开始直到合格产品进人成品仓库或出厂的整个过程,存在多个产品(工序)时,能耗需要进行累加计算. 6.1.2.2高纯四氯化错产品能耗的统计范围包括生产过程的原料破碎、输送、盐酸浸出、氯化蒸馏、复 蒸、萃取、精馏、二次精馏等工序环节的能耗. 6.1.2.3高纯二氧化错产品的能耗统计范围包括水解反应过程的搅择、冷却、产品的过滤(或压滤)、洗涤、烘干、培烧等工序环节的能耗. 6.1.2.4区熔锗锭产品的能耗统计范围包括还原炉还原及铸锭系统、制氢及纯化系统、区熔炉区熔提纯系统、冷却水循环系统的能耗. 6.1.2.5锗单晶能耗包括单晶炉加热系统、单晶炉水冷却系统、冷却水循环系统、制氮及纯化系统、真空系统的能耗. 6.1.2.6此外还包括产品检测和包装、机修车间、"三废”处理车间、办公区分摊的能耗,以及厂区内空气净化、通风、尾气吸收净化等系统分摊的能耗. 6.2计算方法 6.2.1产品产量以报告期内企业生产的合格产品的总产量计,单位为千克(kg).多晶硅产品质量应符合GB/T25074的规定.高纯四氯化错产品质量应符合YS/T13的规定,高纯二氧化产品质量应符合GB/T11069的规定,区熔锗锭产品质量应符合GB/T11071的规定,红外锗单晶产品质量应符合GB/T5238的规定. 6.2.2多晶硅的综合能耗按公式(1)计算: 式中: E-报告期内的产品综合能耗,单位为千克标准煤(kgce);报告期内产品消耗的第:种能源量(含耗能工质消耗的能源量),单位为千克(kg)或立方米P-第:种能源的折标准煤系数(见附录A). (m²); Ⅱ消耗的能源种类数: 6.2.3多晶硅的单位产品综合能耗按公式(2)计算: 式中: E一报告期内产品的单位产品综合能耗,单位为千克标准煤每千克(kgce/kg);P报告期内的合格产品产量,单位为千克(kg). 6.2.4多晶硅生产中存在工序缺省、工序产量不足而外购或产量富余面外售原材料、中间产品时,相应的能耗值按公式(3)计算: ()......................... 式中: E、-外购或外售原材料及中间产品产生的能耗值,单位为千克标准煤(kgce); E.外购的原材料及中间产品对应的单位产品能耗基准,三氯氢硅的单位产品能耗基准为6.88 kgce/kg;

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