SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6114 SJ21280-2018 印制板的返修和返工 Repair and rework for printed circuit boards 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 前 言 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十五研究所. 本标准主要起草人：金超、徐火平、郭晓宇、楼亚芬、陈长生. SJ21280-2018 印制板的返修和返工 1范围 本标准规定了军用印制板返修和返工的条件、方法和检验要求. 本标准适用于印制板最终检验过程中某些缺陷的返修和返工，不适用于印制板组装件的返修和返 工. 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款.凡是注日期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准. GB/T2036印制电路术语 GJB362刚性印制板通用规范 QJ201B航天用刚性单双面印制板规范 QJ831B航天用多层印制板通用规范 SJ21014挠性和刚挠多层印制板性能规范 SJ21015刚性印制板性能规范 SJ21018印制板验收条件 SJ21019微波印制板性能规范 SJ/Z21087印制板钻孔指南 SJ21093-2016印制板物理性能测试方法 SJ/Z21302印制板外形铣切指南 3术语与定义 GB/T2036确立的以及下列术语和定义适用于本标准. 3.1 返修repair 为使不合格产品满足预期用途而对其所采取的措施. 注：返修包括对以前是合格的产品，为重新使用所采取的修复措施，如阻焊膜的返修和印字符的返修. 注2：本标准的返修只针对不影响印制板电气性能的外观问题进行返修. 3.2 返工rework 为使不合格产品符合要求而对其所采取的措施. 注1：本标准的返工只包括印制板翘曲度超标、导电图形多余金属、非金属化孔孔径小和外形正超差的返工. 1 ...

电 中国南方电网 CHINA SOUTHERN POWER GRID 南方电网公司2023年第一季度 电网工程主要设备材料信息价 CHINA SOUTHERN POWER GRID 造价 与 财评 中国南方电网有限责任公司电力建设定额站 2023年5月 知识产权声明 本文件的知识产权属中国南方电网有限责任公司电力建设定 额站.对本文件的使用及处置应严格遵循中国南方电网有限 责任公司电力建设定额站有关规定或获取本文件的合同及约定的 条件和要求.未经中国南方电网有限责任公司电力建设定额站事 先书面同意，不得随意转载、摘录或以其他方式复制发布/发表. Intellectual Property Rights Statement This document is the property of and contains proprietary information owned by CSG and/or its related proprietor.You agree to treat this document in strict accordance with the terms and conditions of the agreement under which it was provided to you.No reproduce extract or copy publication of this document in other ways is permitted without the prior written permission of CSG. 编制人员名单 中国南方电网有限责任公司电力建设定额站 文上勇 中国南方电网有限责任公司电力建设定额站 乔慧婷 广东电网有限责任公司电网规划研究中心 周妍 广东电网有限责任公司电网规划研究中心 秦万祥 广西电网有限责任公司电力建设定额站 赵春霞 广西电网有限责任公司电力建设定额站 万元维 云南电网有限责任公司 黄赟 云南电网有限责任公司 李德禹 贵州电力建设经济定额站 李奎 贵州电力建设经济定额站 谭刚 海南电网规划设计研究中心 袁祖伟 海南电网规划设计研究中心 文明哲 广州竣盛工程造价咨询有限公司 刘晓斌 广州竣盛工程造价咨询有限公司 罗俊龙 ...

SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6132 SJ21277-2018 微波组件半水清洗工艺技术要求 Technical requirements for semi-aqueous cleaning technology of microwave assembly 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21277-2018 前言 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第五十五研究所. 本标准主要起草人：陈梁、陈以钢、么冰、黄琳林. AND INFORMATION SJ STANDARDS I SJ21277-2018 微波组件半水清洗工艺技术要求 1范围 本标准规定了微波组件生产制造过程中，半水清洗工艺技术的要求. 本标准适用于微波组件印制电路板、印制电路板组装件、微波组件壳体焊接后、芯片焊接前采用喷 淋方式的半水清洗工艺. 2规范性引用文件 AND 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款 山NFQR是注期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励粮据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准. Z SJ GB/T4677-2002印制板测试方法 GB8978 污水综合排放标准 3术语和定义 3.1 半水清洗Semi-aqueous Cleaning 使用纯有机溶剂或有机溶剂的稀释液清洗，再用水漂洗的一种清洗方法 4一般要求 W 4.1人员 4.1.1操作人员应熟悉清洗溶剂的清洁原理和特性 4.1.2操作人员应了解被清洗产品上的元器件是否能用所选的清洗剂进行清洗. 4.1.3操作人员应熟练掌握清洗设备的操作规程、编程方法及应急处理措施. 4.2环境 4.2.1温度 工作间内的温度应控制在18℃~28℃范围内. 4.2.2相对湿度 工作间内的相对湿度应控制在30%~70%范围内. 4.2.3光照度 清洗间应有良好的照明条件，检验工作区光照度不低于10001x. ...

SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6132 SJ21276-2018 微波组件键合工艺技术要求 Process technical requirements for wire bonding of microwave assembly 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21276-2018 前言 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本规范起草单位：中国电子科技集团公司第五十五研究所. 本规范主要起草人：刘波、陈以钢、崔洪波、寇亚男、么冰、黄琳林. AND SJ STANDARDS SJ21276-2018 微波组件键合工艺技术要求 1范围 本标准规定了微波组件中引线键合工艺技术的要求. 本标准适用于微波组件引线键合工艺. 2规范性引用文件 NE 下列文件中的条款通过本标准的用而成为本标准的条凡是注日期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘误的内容或修订版均不适用于木标准，然而，励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准. GB/T8750-2007人半导体器件键合用金丝 GB/T259151-2010结净室及相天受控环境第1部分：空气洁净度等级 GJB548B2005微电子器件试验方法与程序 GJB3014-1997电子元器件统计过程控制体系 SJ/T106942006电子产品制造与应用系统防静电检测通用规范 YS/T543-2006半导体器件键合铝-1%硅细丝 3一般要求 3.1人员 XXLS 操作人员应经理专业岗位技术培训，掌握引线键合操作与检验要求. 3.2环境 3.2.1环境温度 工作间内的温度应控制在18℃~28℃范围内. 3.2.2相对湿度 工作间内的相对湿度应控制在30%~70%范围内. 3.2.3洁净度 ANDARDS 工作间内的洁净度应符合GB/T25915.1-2010中ISO7级的规定. 3.2.4接地 工作区应具有良好的接地系统，并符合SJ/T10694-2006的要求. 3.2.5照明 工作场所照明良好，具备局部照明光照度不低于10001x. 3.2.6振动 键合工作区域应避免存在振动源. 3.3安全 3.3.1操作人员应按要求穿戴防静电工作服、工作鞋、防静电腕带和防静电指套，正确使用防护用具. 1 ...

SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6132 SJ21275-2018 微波组件用静电敏感和湿度敏感元器件 防护要求 Protection requirements for electrostatic discharge sensitive ponents and moisture sensitive ponents in microwave assembly 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ 2018 SJ21275-2018 前言 本标准的附录B和附录C为规范性附录，附录A为资料性附录. 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第五十五研究所. 本标准主要起草人：戴立强、陈以钢、么冰、黄琳林. AND SJ STANDARDS I ...

SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6132 SJ21272-2018 微波衰减器测试方法 Measuring methods for microwave attenuator 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21272-2018 目次 前言…… Ⅱ 1范围 2规范性引用文件 .1 3一般要求 3.1测试人员…- 3.2测试环境 3.3测试仪器 ND 3.4测试参数 .1 4详细要求 FORMATION 2 4.1插入损耗(1 2 4.2 衰减量(A 3 4.3 最大衰减量 7hhax .3 4.4 固定衰减量 4 4.5 衰减精度 (d;) 4 4.6 衰减平坦度(4 5 4.7 衰减温度和崖性(Aw) CHN 5 4.8 衰减温 度 6 4.9 带内波动 OU 6 4.10 幅度 一致性Q44o) .7 4.11 相位一致性(gn .7 4.12 衰减附加相移 8 4.13 衰减精度均方根差(MARMS)(衰减精度方差) 4.14 衰减电压灵敏度(B (at) ….9 4.15 输入电压驻波比VSR和输出电压驻波比(VSWR .9 4.16 控制电流(I) … 10 4.17 切换时间(ton tor) .10 4.181dB压缩点输入功率(Pi1dB) .11 4.19最大承受功率(PCWM PPM) 13 I SJ21272-2018 前言 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所. 本标准主要起草人：樊渝、静亚薇、高学邦、王国全、刘会东、李富强、崔波、陈海蓉. II ...

SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6132 SJ21271-2018 微波组件温度一湿度-振动综合应力 试验方法 Integrated environmental test method of temperature-humidity-vibration for microwave assembly 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21271-2018 前言 本标准的附录A为规范性附录. 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：巾国电子科技集团公司第十三研究所. 本标准主要起草人：张天福、彭浩、于学东 、李树杰 、高金环、徐鑫. AND INFORMATION SJ STANDARDS SJ21271-2018 微波组件温度-湿度-振动综合应力试验方法 1范围 本标准规定了微波组件温度湿度-振动综合应力试验的试验程序和试验方法. 本标准适用于微波组件进行温度-湿度-振动综合应力试验. 2规范性引用文件 AND INFOR 下列文件中的条款通过 个标准的引用而成为本标准的条款 是期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘误的内容》或修订版均不适用于木标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准. GB/T242343人电工电子产品环境试验第2部分：试验方法振动、冲击和类似动力学试验样品的 安装 GJB150.16A-2009军用装备实验室环境试验方法第16部分：振动试验 GJB 1649 电子产品防静电放 3一般要求 3.1试验室环境 ou 试验室环境要求如下： a)温度：1535℃； b)大气压力：86kPa~106kPa; c)相对湿度20%~80%； d)静电防护应满足GJB1649的规定. 3.2校准 试验设备应按照相关计量标准的要求进行计量.计量过的试 设备应以适当的方式控制、使用和存 放，以保证其工作状态. ND 3.3试验设备 用于温度湿度一振动试验的设备应具有产生所要求的温度、湿度和振动条件的能力，能够满足所要 求的密封性和稳定性，同时还应具有对微波组件进行功能操作和监视监测的能力. 3.4试验夹具 试验夹具应根据微波组件产品的几何形状、质量、试验要求的严酷等级、试验台的能力等主要参数 进行设计和制作.试验夹具应具有足够的刚度，以保证振动台的运动正确的传递给试验样品.试验夹具 在试验期间，在规定的频率范围以内不应有共振频率存在. 3.5试验容差 除另有规定外，温度、振动和相对湿度应力容差应分别符合以下规定： a)温度：士2℃； b)对于正弦扫频或定频振动，保持在规定振幅的士10%之内.对于随机振动，应用下述准则： 1 ...

Su 中华人民共和国电子行业标准 FL6132 SJ21270-2018
微波组件冲击响应谱试验方法 Themethodformicrowave assemblyof shockresponsespectrum test
2018-01-18发布2018-05-01实施
国家国防科技工业局发布
SJ21270-2018
前言 本标准由中国电子科技集团公司提出。

本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口。

本标准起草单位：中国屯子科技集团公司第十三研究所。

本标准主要起草人：曹田、黄杰、彭浩、李树杰、高金环、于学东。

S
SJ 21270-2018
微波组件冲击响应谱试验方法
1范围 本标准规定了微波组件冲击响应谱的一般要求、试验条件和试验程序等。

本标准适用于微波组件的冲击响应谱试验。

2规范性引用文件 下列文件中的条款通过明的引用文件，其随后的
准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。

凡是不注日期的引用文件，其最新版本标准。

GJB 1649防静电放电控制大纲 一般要求OFIN 3.1试验室环境 试验室增要求如下： 温度35 b)大气压力：8kPa~ c)相对湿度2200%~80%
黄足GJB1649的规定。

3.2试验设备 3.2.1冲击设备 所用的冲击试验设备应能满足本试验所需要的频率范围、冲击有效持续时间及幅值等方面的要求。

加速度传感器的灵敏度 于5%。

R 试验设备应按照相关计量标准的要求进行计量计量过的试验设备应以适当的方式控制、使用和存 放，以保证其工作状态。

3.2.2冲击夹具 冲击夹具应保证冲击加速度大小、谱型、方向上不失真或满足容差要求，并传递到样品上。

应尽可能模拟样品实际安装状态。

4试验条件 4.1概述 可根据样品工作环境所测的时间历程数据、相似动态环境测量数据的外推数据、预计数据，或这三 种数据的综合进行统计处理，确定冲击响应谱和冲击有效持续时间。

如有测量数据，可对数据进行统计
SJ 21270-2018 分析，获得试验所需的冲击响应谱；如没有测量数据，可从表1中选取合适的条件，冲击有效持续时间 应符合4.7的要求。

4.2谱线 典型的冲击响应谱谱线如图1所示，横轴为响应谱频率，纵轴为响应加速度。

f为响应谱最低频率， f为拐点频率，f为最高频率，Φ为响应谱低频段谱斜率，α为峰值响应加速度。

(n/s)
容差范围 !
f f f(Hz)
图1冲击响应谱谱线 4.3常用试验条件 冲击响应谱常用试验条件见表1。

表1常用试验条件 条件最小频率f拐点频率f最大频率f低频段谱斜率峰值加速度a Hz Hz Hz dB/oct m/s(g) A10452 (40) B10802 (75) c1005003 00062 450(250) D1005003 00064 900(500) E1006004 00069 800(1000) F1006004 000619 600(2000)
000929 400(3000) H1001 0005 000949 000(5000) 11001 5005 600(12000) 4.4品质因数 品质因数Q应为10（5%的阻尼比）， 4.5容差范围 冲击响应谱频率在0Hz~3000Hz之间，加速度容差范围为士6.0dB；3000Hz以上，加速度容差范 围为-6.0dB～+9.0dB，谱分析频率间隔为1/6倍频程，并且至少有50%的谱值大于试验规定值。

4.6试验方向和次数 应对试验样品的三个互相垂直轴的六个方向上至少各进行一次有效冲击。

2
SJ 21270-2018 4.7冲击有效持续时间 冲击有效持续时间应不大于23ms。

5试验程序
5.1初始检测 试验样品应按有关技术文件的要求进行外观检查、电性能等检测。

5.2试验样品的安装 试验样品在整个试验过程中应始终刚性地紧固在试验台的安装表面上，载荷应尽可能均匀分布，质 量中心尽可能靠近台面中心。

安装样品时，连接、电缆、管线等应固定在台面上，连接线在台面的部分 在试验过程中不发生相对位移。

在冲击夹具能够保证冲击不失真或满足容差要求的传递到样品上的前提 下允许同时对多个样品进行冲击试验。

5.3加速度传感器的安装 加速度传感器应刚性连接在靠近台面中心的试验样品与安装夹具或台面的连接处，如确有困难，允 许将传感器刚性固定在试验样品有代表性的固定点附近。

5.4试验条件设置 按有关技术文件冲击响应谱试验条件的规定设置冲击响应谱的试验条件、品质因数、容差、试验次 数等。

5.5预调和校准 在试验台上安装模拟负载，进行预调冲击，直到作用在模拟负载上的连续两次的冲击响应谱图形均 符合规定量值和容差。

模拟负载可以...

SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6132 SJ21269-2018 微波组件印制板焊膏印刷工艺技术要求 Technical requirements for pasting solder on PCB of microwave assembly 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21269-2018 前言 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所. 本标准主要起草人：魏爱新、王志会、陈海蓉 AND INFORMATION SJ STANDARDSI I SJ21269-2018 微波组件印制板焊膏印刷工艺技术要求 1范围 本标准规定了微波组件印制板焊膏印刷有关的漏板开孔和焊膏印刷的工艺参数设置等工艺技术要 求和检验要求. 本标准适用于微波组件用的敷铜类印制板 上印刷焊膏的工艺过程和检验. 下列文件中的RY AND 2规范性引用文件 INFORMAZ 标准的引用而成为本标准的条款.凡是注日期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘误的内容或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用子本标准. GB/T25915.1洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级 GJB 3007 防静电工作区技术要求 3一般要求 3.1人员 3.1.1操作人员成经过专业岗位技术训经考核合格后持让上岗. 3.1.2操作人员0严格按工艺规范和产品技术文件操作、 3.2环境 TECHNOLOGY 3.2.1工作间的环境度应控制在18℃~28℃. 3.2.2工作间的相对湿度应控制在30%~70% 3.2.3工作间应整清.产品内部有裸芯片时，洁净度应符合GB/T259151中J807级的规定. 3.2.4工作间应具有良好的接地系统，并符合GJB3007的规定 3.2.5工作间应有良好的照明条件， 工作台面的光照度不低 000x 3.3安全 NDA 3.3.1操作人员应按要求穿戴防静电工作服、工作鞋和防静电腕带，正确使用防护用具. 3.3.2清洗操作工作间应通风良好. 3.3.3焊膏印刷过程中和清洗操作中不使用、不排放对环境造成污染的废液、废气等. 3.4材料 3.4.1焊膏 印刷用焊膏应满足以下要求： a)印刷用焊膏合金粉末的颗粒度选择与待焊元器件焊盘宽度（引出端尺寸）有关，焊盘宽度以w 表示，参照表1选择； 1 ...

SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6132 SJ21268-2018 微波组件防静电设计要求 Electrostatic protection design requirements of microwave assembly 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21268-2018 前言 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所. 本标准主要起草人：郭文椹、付媛媛、王国全、陈海蓉. AND INFORMATION SJ STANDARDS I SJ21268-2018 微波组件防静电设计要求 1范围 本标准规定了微波组件设计、生产工艺过程和包装、储运等防静电设计的一般要求和详细要求. 本标准适用于微波组件防静电设计. 2规范性引用文件 AND INFORA 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款.凡是注日期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘误的内容或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准. GB/T12014 防静电服 GJB1649电了产品防静电控制大纲 GJB1696航天系统地面设施电磁兼容性和接地要求 GJB 2605 可热封柔韧性防静电阻隔材料规范 SJ/T10533 电子设备制造防静电技术要求 3一般要求 3.1静电放电(ESD》控制项目和要素 微波组件ESD控大纲的功能和要素应包括以下内容： a)ESD控制大纳的范围，控制项目见表1； 表1ESD控制大纲控制项目 控制项目 职能部门 ESD ESD 防静电工 防静电操 ESD 失效 控制计划 分级 作区 标志 防护包装 分析 设计 △ △ R △ △ △ 工艺 △ △ △ △ 器材 △ △ △ △ △ △ 生产场所 △ △ △ △ △ △ 检验试验 △ △ △ △ △ △ △ 使用安装 △ △ △ △ △ △ 维护修理 △ △ △ △ △ △ △ 注：“△”为适用，“一”为不适用. b)需要防护的ESD产品的任务、活动和程序； c)在防护任务和活动中各机构的职责； d)所使用的指令性和指导性文件； e)主承制方对转承制方和供货单位的ESD控制要求： 1 ...

二 中华人民共和国电子行业标准 FL6132 SJ21267-2018 微波组件可靠性设计要求 Reliability designrequirements ofmicrowave assembly 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布
SJ21267-2018 前言 本标准由中国电子科技集团公司提出。

本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口。

本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所。

本标准主要起草人：付媛媛、郭文椹、王国全、陈海蓉。

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SJ 21267-2018 微波组件可靠性设计要求 1范围 本标准规定了微波组件可靠性分配和预计、电路的可靠性设计、元器件的选择与使用、电路的容差 设计、防瞬态过应力设计、容错、元余和防差错设计、环境防护设计、热设计的一般要求和详细要求。

本标准适用于微波组件的可靠性设计。

2规范性引用文件 修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励相据 信达成协议的各方研究 是否可使用这些 文件的最新版本 凡是不注目期的引用文件，其最新版本适 标准。

GJB/Z35 元器件 额准 GJB/Z108 电子 设备非 犬态可靠性预计手册 GJB/Z29 电子 设备可 计手期 GJB 450 装备 靠性工 作通用要求 3一般要求 R 微波组件可靠性设计的一般要求如 济性、安全性等指标充分运用最佳设计方法和综合权衡优化设计技术 在研制阶段初圆就应着手进行可靠性分配，把定量要求分配到规定的产品层次。

可靠性分配应 结合可靠性预计逐步细化、反复递代进行； 优先选用在实际使用环境中经过考验、验证、技术成热的技术方案、 c） 充分考虑设计的继承性。

优先选用标准电路和已证实的成熟电路及成熟的工艺技术： 微波组件应尽可能采用标准化、系列化、通用化设计。

采用标准零部件、原材料、元器件，减 少元器件型号、规格及生产厂家。

尽量采用集成电路代替由分立器件组成的电路，提高组件集 成度，减少元器件之间的连接、接点以及封装数目； （a 应根据微波组件的特点制定元器件的选择和使用控制要求并形成控制文件。

应选用优选目录内 的元器件。

选用优选目录外元器件应履行审批手续。

应严格执行用户有关禁（限）用元器件的 规定； 微波组件设计时应根据GJB/Z35的要求，对不同类别的元器件按不同的应用情况进行降额。

应 用于卫星、飞船等航天器及运载火箭的元器件最低的降额等级为I级降额；应用于战略导弹的 元器件最低的降额等级为Ⅱ级降额；应用于战术导弹、飞机、舰船及地面电子通讯设备的元器 件最低的降额等级为Ⅲ级降额；
SJ 21267-2018 g)微波组件设计时还应考虑环境防护设计，其中包括：温度防护设计；防潮湿、防盐雾和防霉菌 的三防设计；冲击和振动的防护设计以及防电磁干扰、防静电损伤、防低气压放电和真空微放 电设计、防辐照设计等。

此外，还应特别注意综合环境防护设计问题，例如采用整体密封结构。

4详细要求 4.1可靠性分配和预计 4.1.1可靠性分配 对微波组件进行设计时，首先应进行可靠性分配。

将可靠性定量要求分配到规定的产品层次，作为 可靠性设计和提出外协、外购产品可靠性定量要求的依据。

具体的可靠性分配值应列入相应的技术规范。

分配时应遵循以下原则： a）危害度越大，可靠性分配值越高； b）复杂程度越高及技术难度越大的部分，可靠性指标分配值要适当降低； c)不成熟部分，可靠性指标分配值要适当降低： d）长时间工作的部分，可靠性指标分配值要适当降低； e）作为产品组成部分的软件的可靠性指标应与硬件的可靠性指标大体相当，可根据具体情况作适 当的调整，但调整不宜过大，并且所分配的指标应能验证； f）分配时适当留有余量，可根据可靠性预计结果留有20%～50%余量，以便在产品增加新的单元 或局部改动时，不必重新分配。

4.1.2可靠性预计 4.1.2.1微波组件可靠性预计方法主要包括元器件应力分析法和元器件计数法，其中元器件应力分析 法适用于产品已具有详细的元器件清单，并已确定了元器件所承受应力的研制阶段，元器件计数法适用 于产品研制的初步设计阶段，具体的可靠性预计方法及有关数据见GJB/Z108和GJB/Z299。

4.1.2.2可靠性预计的一般程序为： a)按组件功能建立可靠性模型，划分单元，确定各部分的串、并联关系； b）通过基本失效率，综合考虑环境系数、质量系数等影响，计算单元内各元器件工作（或非工作） 失效率； c）计算组件工作（或非工作）失效率总和； d按总失效率计算组件可靠性指标。

4.2电路的通用可靠性设计 4.2.1应用故障模式及影响分析（FMEA）方法对电路进行系统分析，识别单点失...

中华人民共和国电子行业标准 FL6117 SJ21265-2018 MEMS陀螺仪参数标定工艺技术要求 Technical requirementsforMEMSgyroscope calibrationprocess 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布
SJ21265-2018 前言 本标准由中国电子科技集团公司提出。

本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口。

本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所。

本标准主要起草人：王帆、杨拥军、李倩、李博、许鹏、董晓亮、王晓。

S
SJ 21265-2018 MEMS陀螺仪参数标定工艺技术要求 1范围 本标准规定了MEMS陀螺仪制造过程中的人员、环境、安全、设备和仪器的一般要求，以及工艺流 程、工艺准备和参数标定的详细要求。

本标准适用于MEMS陀螺仪制造过程中的零偏、标度因数、零偏温度灵敏度和标度因数温度灵敏度 的标定。

2规范性引用文件 修改单（不包含勤误的内容）或 是否可使用这些 文件的最新版本。

凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

惯性技术术语 ECHNOL GJB 585 GJB300 微静电工作区 技 SJ21266- -2018 MEMS防螺仪测试方法 3术语和定义 GJB585和SJ21266-2018确立的以及下列术语和定义适用于本标准。

3.1 标定calibratir 指在工艺过程中通道调整电路参数，确定陀螺仪的输入-输出关系，使陀螺仪指标符合技术要求的 过程。

STA 4一般要求 4.1人员要求 人员要求如下： a) ）操作人员应经过专业岗位技术培训，经考核合格后持相应的岗位资格证上岗； b) 操作人员应穿戴防静电工作服和工作鞋帽，对静电敏感器件操作时应正确使用防静电装置，并 用防静电容器进行存放或转运； c)操作人员应熟悉MEMS陀螺仪标定工艺技术要求并严格按照工艺文件进行操作； d）操作人员应熟悉并执行相关的工艺卫生和安全条例，认真填写各种工艺记录。

4.2环境要求 4.2.1标定环境要求 标定环境温度、相对湿度、大气压、热环境、供电环境应符合产品要求，无特殊规定时标定环境要 求如下：
SJ 21265-2018 a)环境温度：15℃~35℃； b）相对湿度：20%~80%； c）环境大气压：86kPa~106kPa; e）供电环境：供电电源的阻抗、电压、频率、纹波、预热及工作电流应符合产品要求。

4.2.2工作场所 工作场所要求如下： a）工作场所测试台的基础应稳定、振动小； b）防静电设施应满足GJB3007的要求； c）工作场所电磁环境、电路连接及接地应符合产品要求； d）工作场所应整洁有序，有良好的照明条件。

4.3安全要求 安全要求如下： a)检查水路、电路和气路，消除安全隐患； b）设备应接地应可靠、安全，具有防漏电保护措施； c)按设备操作规程进行操作，防止事故的发生。

4.4设备、仪器要求 常用设备、仪器如表1所示，设备仪器要求如下： a）设备应定期进行检定，仪器应定期进行校准，并在有效期内使用： b）仪器的测量范围应满足参数标定要求； c)测试设备接地应符合相关规定，以免陀螺仪在电、机械、热等方面过载或输入量过大； d）测试参数的容差与测试仪器精度的比值通常情况下不小于10:1：特殊情况下不小于4:1：由于 缺少相应国家标准，不能有效达到4:1时，应说明情况并形成文件。

e）搭建的标定系统应进行验证，确认能够满足产品参数标定要求； f) 标定用软件应进行软件验证，确认能够满足产品参数标定要求。

表1常用设备和仪器 名称 技术要求 用途 角速率转台 角速率精度、量程、稳定性应满足标定测试要求， 提供陀螺仪的角速率输入。

转台工作面应能与陀螺仪安装夹具可靠连接。

温控角速率转台 角速率精度及温度精度、量程、稳定性应满足测 提供陀螺仪的角速率输入及环境温度变 试要求，转台工作面应能与安装夹具可靠连接。

量。

角速率传感器输出测量/ 应能记录陀螺仪的输出，具备计时功能，精度应 记录设备 测量、记录陀螺仪的输出数据。

满足测试要求。

数字万用表 测量量程、精度应满足测试要求。

测量陀螺仪的工作电流。

直流稳压电源 电压量程、精度及纹波等参数应满足测试要求。

提供陀螺仪及其外围电路的工作电源。

4.5工具、工装要求 工具应完好无损、洁净，且工具尺寸规格应与待标定产品尺寸规格相适应，对影响标定结果的工装 夹具应定期进行验证，工装夹具的安装表面粗糙度应符合产品要求；工装夹具安装面之间、安装面与其 他设备安装面之间的垂直度和平行度应满足产品要求。

常用工具如下： a）力矩扳手； b）力矩螺...

SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6117 SJ21264-2018 MEMS加速度传感器测试方法 Test methods for MEMS acceleration transducer 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21264-2018 目 次 前言 IⅡ 1范围 2规范性引用文件 .1 3术语和定义 .1 4一般要求 2 4.1环境要求 2 4.2 测试要求 4.3 测试设备、仪器 RYAN .2 2 4.4 测试工装、工具要求 3 5详细要求…… 3 5.1偏值… ORMATION TE 3 5.2标度因数 5.3阈值… SJ ….8 5.4 分辨率 CHN …9 5.5 偏值短期稳定性 10 5.6 标度因数短期稳定性 ..11 5.7偏值短期重复性 ...11 5.8 标度因数短期重复性 5.9偏值温度灵敏度 ….13 5.10 标度因数温度灵敏度 ….14 5.11 带宽…… .15 5.12 非线性度… ….15 5.13 横向灵敏度比 17 TADAR I SJ21264-2018 前言 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所. 本标准主要起草人：张佳寅、杨拥军、沈路、李丽霞、卞玉民、肖咸盛、王玉奎. II ...

SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6117 SJ21263-2018 MEMS加速度传感器参数标定工艺 技术要求 Technical requirements for MEMS acceleration transducer parameter calibration process 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21263-2018 前言 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所. 本标准主要起草人：张佳寅、杨拥军、沈路、李丽霞、卞玉民、苏日丽、卢新艳. AND INDUSTRY ECHNOLO SJ STANDARDS SJ21263-2018 MEMS加速度传感器参数标定工艺技术要求 1范围 本标准规定了MEM加速度传感器制造过程中的人员、环境、安全、设备和仪器的一般要求，以及 工艺流程、工艺准备和参数标定的详细要求. 本标准适用于MEM加速度传感器制造过程中偏值、标度因数、偏值温度灵敏度、标度因数温度灵 敏度和带宽的标定. 2规范性引用文件 TRY AND INFORMA 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款.凡是注日期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘误的内容）或修版均不适用干本标准，然而 鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于术标准. GJB 585 惯性技术术语 GJB 300 防静电工作区技术要求 SJ21264-2018 MEMS加速度传感器测试方法 3术语和定义 ECHNOLO GJB585和S②264-2018中确立的以及下列术语和定义适用于本标准. 3.1 标定calibration 指在工艺过程中通过调整电路参数，确定加速度传感器的输入输出关系，使加速度传感器指标符 合技术要求的过程. 4一般要求 4.1人员要求 人员要求如下： a)操作人员应经过专业岗位技术培训，经考核合格后持相应的岗位资格证上岗： b)操作人员应穿戴防静电工作服和工作鞋帽，对静电敏感器件操作时应正确使用防静电装置，并 用防静电容器进行存放或转运： c)操作人员应熟悉MEMS加速度传感器标定工艺技术要求并严格按照工艺文件进行操作； d)操作人员应熟悉并执行相关的工艺卫生和安全条例，认真填写各种工艺记录. 4.2环境要求 4.2.1标定环境要求 标定环境温度、相对湿度、大气压、热环境、供电环境应符合产品要求，无特殊规定时标定环境要 求如下： 1 ...

SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6117 SJ21262-2018 MEMS惯性器件芯片在片测试技术要求 Technical requirements for MEMS inertial device chip measurement on wafer 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21262-2018 前言 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所. 本标准主要起草人：冯楠、杨拥军、杨琳、李倩、李丽霞、任倩婷、卢新艳. AND INFORMATION SJ STANDARDS I SJ21262-2018 MEMS惯性器件芯片在片测试技术要求 1范围 本标准规定了MEMS惯性器件敏感芯片电参数在片测试的人员、环境、安全、设备和仪器的一般要 求，以及测试流程、测试准备、测试系统连接、参数测试等详细要求. 本标准适用于MEM惯性器件敏感芯片（以下简称芯片）导通电阻、绝缘电阻、极间电容、谐振频 TRY AND 率、品质因数等电参数的在片测试 2规范性引用文件 INFORMA 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款.凡是注日期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘诞的内容）或修订版均不适用于本标准，然而鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于态标准. GB/T25915A洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级 GJB 585 惯迎技术术语 3术语和定义 GB585确重的以及下列术语和定义适用于本标准， 3.1 在片测试chip measurement on wafer ECHNOLOGY 在晶圆上对芯片进行的参数测试. 3.2 极间电容interelectrode capacitance 芯片结构层极板之间的 电学 4一般要求 TANDARDS 4.1人员要求 人员要求如下： a)操作人员应经过专业岗位技术培训，经考核合格后持相应的岗位资格证上岗； b)操作人员应穿戴防静电净化服、防静电工作鞋帽，佩戴一次性口罩和手套，对静电敏感器件操 作时应正确使用防静电装置，并用防静电容器进行存放或转运； c)操作人员应严格按照工艺文件进行操作； d)操作人员应熟悉并执行相关的工艺卫生和安全条例，认真填写各种工艺记录. 4.2环境要求 4.2.1测试环境要求 除另有规定外，应符合下列规定： ...

中华人民共和国电子行业标准 FL6117 SJ21261-2018
MEMS惯性器件结构设计要求
StructuraldesignrequirementsforMEMSinertialdevice
2018-01-18发布2018-05-01实施
国家国防科技工业局发布
SJ21261-2018
前言 本标准由中国电子科技集团公司提出。

本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口。

本标准主要起草人：徐淑静、杨拥军、杨志、本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所。

李丽霞、任倩婷、胥超、卢新艳。

S
SJ 21261-2018
MEMS惯性器件结构设计要求
1范围 本标准规定了MEMS惯性器件敏感结构的设计要求。

本标准适用于硅基MEMS电容式加速度计和振动式陀螺仪敏感结构的设计。

2规范性引用文件AND 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。

凡是 准达成协议的各方研究 标准。

GB/T 26111微电机系统MEMS）技术术语 GJB585惯性技术术语 3术语和定义 GB/T261及GJB585确立的以及下列术语租定义适用于本标准 3.1 敏感结构sensihg structure 用于敏感外界加速度并将加速度信号转换为电信号的芯片单元。

3.2 质量块proofmass 能够将外界加速度转趣为沿输入轴的惯性力或绕输入轴的惯性力矩的有效质量 3.3 机械灵敏度mechanicalsensitivity 敏感结构中质量块的位移变化量与输 3.4D 电容灵敏度capacitancesensitivity 敏感结构中电容变化量与质量块位移变化量的比值。

3.5 止档stopper 敏感结构中为避免质量块位移过大导致结构发生破坏而设置的限位结构。

3.6 锚点anchor 悬空结构与基底连接的点。

SJ 21261-2018 4一般要求
4.1软件和硬件要求 设计平台应具备基本的软件和硬件配置，能够进行MEMS惯性器件敏感结构的静力学、动力学、电 学和耦合场特性分析。

4.2设计依据 设计时应考虑MEMS惯性器件的敏感结构形式、材料、工艺、结构参数等，MEMS惯性器件敏感结 构设计应满足MEMS惯性器件性能指标和环境适应性指标要求。

MEMS惯性器件性能指标主要包括量 程、标定因数非线性、分辨率、稳定性、重复性、频率响应、温度漂移，环境适应性指标主要包括振动、 机械冲击、温度适应性和低气压等。

各项性能指标与结构设计参数的关系见表1： 表1MEMS惯性器件产品性能指标与结构设计参数的对应关系 MEMS惯性器件产品性能指标影响指标的结构设计参数 量程和标度因数非线性机械刚度、质量、电容灵敏度、初始电容值、电容间隙、 分辨率工作模态的频率、质量、品质因数、电容灵敏度 稳定性和重复性残余应力（受加工工艺影响）、寄生参数 频率响应工作模态的频率、频差 温度漂移残余应力（受加工工艺影响）、寄生参数 环境适应性要求机械刚度、材料特性、止档结构、封装
5详细要求
5.1MEMS惯性器件敏感结构设计 MEMS惯性器件敏感结构设计包含敏感结构方案设计、敏感结构详细设计和工艺可行性设计。

5.2敏感结构方案设计 5.2.1通则 方案设计时应考虑MEMS惯性器件的敏感结构形式、封装形式和材料。

5.2.2敏感结构形式 5.2.2.1MEMS电容式加速度计敏感结构形式 MEMS电容式加速度计的结构形式主要有梳齿式、扭摆式和三明治式，设计时应考虑如下因素： a）有敏感方向要求时，敏感方向平行于安装平面的应优先选择梳齿式，敏感方向垂直于安装平面 的应优先选择扭摆式或三明治式； b）没有敏感方向要求时，应根据制造工艺，选择易于实现的结构形式。

5.2.2.2MEMS振动式陀螺仪敏感结构形式 MEMS振动式陀螺仪的结构形式一般为单质量结构和双质量结构，双质量结构解耦形式包括不解 耦、单解耦和双解耦，设计时应考虑如下因素： a）敏感方向有要求时，按照敏感方向平行于安装平面或垂直于安装平面选择对应的电极分布形 式； b）若无特殊要求，应优先选用双质量结构： c）依据陀螺的的性能要求和系统设计要求选择结构是否解耦和解耦形式。

5.2.3封装形式 敏感结构的封装设计时应考虑如下因素：
2
SJ 21261-2018 a）封装类型：依据敏感结构的制造工艺选择圆片级封装或管壳级封装，制造工艺允许时，应优先 选择圆片级封装； b）MEMS振动式陀螺仪的敏感结构应采用真空封装，封装腔体内的真空度应保证驱动方向的品质 因数满足系统驱动环路设计要求； c）MEMS电容式加速度计的敏感结构应采用密闭封装，封装腔体内的压力应满足敏感结构频率响 应要求。

5.2.4材料 依据制造工艺选择敏感结构材料，...

中华人民共和国电子行业标准 FL6190 SJ21260-2018 金属有机物化学气相淀积（MOCVD）设备 工艺验证方法 Technological verificationproceduresformetal-organicchemicalvapor deposition(MOCVD)equipment 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布
SJ21260-2018 前言 本标准的附录A为资料性附录。

本标准由中国电子科技集团公司提出。

本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口。

本标准起草单位：中国电子科技集团公司第四十八研究所。

本标准主要起草人：巩小亮 范迎新 S
SJ 21260-2018 金属有机物化学气相淀积（MOCVD）设备工艺验证方法 1范围 本标准规定了金属有机物化学气相淀积（MOCVD）设备工艺验证的一般要求、试验条件和验证方 法等内容。

2规范性引用文件 日期的引用文件，其随后的 修改单（不包含撕误的内容）或修订版均不适用于本标准， 然而 标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版 是不注日期的引用文件 其最新版本适用于本标准。

GB/T 25915:1-2010 不境第1部分 亢洁净度等级） ECHNO 3术语和 定义 下列木酒和定义适用于本标准 3.1 X射线行射接摆曲线半峰宽fallwidth athaifmaximam of X-rayrockingeure 针对特走品面进行高分辨又射线衍射测试获得的摇摆曲线在峰值高度一处的曲线宽度，简称半峰 宽，可用子表征外延单晶薄膜的缺陷程度。

一般而言，特定晶面的半峰宽趣少， 表示某种或某几种类型 的缺陷密度越小 则材料的晶体质量越好。

3.2 本底载流子浓度backgroundcarrierlevel 般而言，本底载流子浓度越小， 4一般要求 4.1验证试验前受试MOCVD设备状态控制 应通过以下措施保证试验前受试MOCVD设备的技术状态： a）送验方应提前向承试方提交产品规范和受试MOCVD设备随机文件； b) 受试MOCVD设备主要技术性能应达到产品规范所规定的要求； 承试方对受试MOCVD设备及其光学在线监测系统进行相应的调整和校准； d 承试方检查并记录受试MOCVD设备的有关技术参数和工作状态，记录格式参见附录A中的表 A.1。

4.2验证试验过程中受试MOCVD设备状态控制 应通过以下措施保证试验过程中受试MOCVD设备的技术状态：
SJ 21260-2018 a）受试MOCVD设备移交后，由承试方负责组织实施MOCVD设备的验证试验工作； b）未经承试方同意，任何人不得随意更改、调整受试MOCVD设备的工作状态； c）试验期间受试MOCVD设备的使用、维护和保养，应按送验方提供的MOCVD设备使用说明书 中的有关规定执行； d）试验期间受试MOCVD设备所发生的故障及其检查排除情况应予以记录，记录格式参见附录A 中的表A.2； e）试验期间受试MOCVD设备零件、部件、整件损坏或失效，须经承试方同意后方可更换，更换 后应对MOCVD设备有关技术参数重新测试。

4.3验证试验后受试MOCVD设备状态控制 应通过以下措施保证试验后受试MOCVD设备的技术状态： a)检查并记录受试MOCVD设备的有关技术参数和工作状态； b）试验结束后承试方应及时向送验方提交试验结论。

4.4测试仪器和设备 测试仪器和设备应在检定/校准合格有效期内。

若无特殊规定，测试仪器和设备的精度应高于受试 MOCVD设备参数允许误差一个数量级。

4.5操作人员 受试MOCVD设备操作人员应经专业训练，具有正确操作设备的特定技能，并在验证过程中采用正 确的试验操作方法。

4.6中断与恢复试验 4.6.1中断试验 当发生下列情况之一时，应中断试验： a）试验中任一工艺指标达不到要求，在试验场地难以查出原因，无法采取纠正措施； b）试验条件、受试MOCVD设备在试验场地出现问题（异常），影响试验继续进行。

4.6.2恢复试验 当引起中断试验的原因确已查明，并具备重新试验条件时，应由送验方与承试方共同商议后重新开 始试验。

5详细要求 5.1验证试验条件 5.1.1试验环境 试验环境应满足下列要求： a）温度：23C±3℃； b)相对湿度：40%~60%； c）大气压：86kPa~106kPa; d）洁净室的净化等级：应符合GB/T25915.1-2010的ISO7级或ISO7级以上。

5.1.2供电 MOCVD设备供电应符合下列要求： a）电源供电电压允许偏差为额定电压的土10%； b）电源频率偏差允许为标准频率（50Hz）的土2%。

5.1.3供气 MOCVD使...

SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6190 SJ21259-2018 抛光设备工艺验证方法 Technological verification procedures for polishing equipment 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21259-2018 前言 本标准的附录A为资料性附录. 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第四十八研究所. 本标准主要起草人：蒋超、吕文利、朱宗树、刘咸成、隋红林. OF INDUSTRY AHISININ SJ STANDARDS SJ21259-2018 抛光设备工艺验证方法 1范围 本标准规定了抛光设备工艺验证的一般要求、验证条件和验证方法等内容. 本标准适用于机械抛光、化学抛光、化学机械抛光等平面抛光设备工艺性能的验证. 2规范性引用文件 AND INFORM 下列文件中的条款过本标准的引用而成为本标准的条 州是注图期的引用文件，其随后的 修改单（不包含助误的内容或修订版均不适用于本标准，然而、鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版术适用于本标准. GB/T6618硅片厚度和总停度变化测试方法 GB/T662硅片表面平整度测试方法 3术语和定 下列术语和定义适用于本标准. TECHNO 3.1 总厚度变化total thickness y riation 在厚度拍播或一系列点的厚度测量中，所测同一晶片最大厚度与最小厚度的绝对差值. 3.2 表面平整度surface flatness 加工表面与基准平面之间最高点和最低点的绝对差值.通常采用总指示读数TIR(即：两个与基准 平面平行的平面之间的最小垂直距离)来表示. 加工表面具有的较小间距和微小峰谷的不ARD 3.3 表面粗糙度surface roughne 采用轮廓算术平均偏差Ra(即：在取样长度L 内，被测轮廓上各点至轮廓中线距离绝对值的算术平均值)来表示. 4一般要求 4.1验证试验前受试抛光设备状态控制 应通过以下措施保证验证前受试抛光设备的技术状态： a)送验方应提前向承试方提交产品规范和受试抛光设备随机文件，包括设备详细规范、合格证、 设备安装及使用说明书、设备维修手册、其他有特殊性能要求的质量证明； b)受试抛光设备主要技术性能应达到产品规范所规定的要求； c)承试方对受试抛光设备进行相应的调整和校准： d)承试方检查并记录受试抛光设备的有关技术参数和工作状态，记录格式参见附录A中的表A.1. ...

SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6190 SJ21258-2018 干法刻蚀设备工艺验证方法 Technological verification procedures for dry etching equipment 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21258-2018 前言 本标准的附录A为资料性附录. 本标准由中国电子科技集团公司提出. 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第四十八研究所. SDUSTRY AND INFORMSTION AND OF INDUSTRY AHISININ SJ STANDARDS SJ21258-2018 干法刻蚀设备工艺验证方法 1范围 本标准规定了干法刻蚀设备工艺验证的一般要求、验证条件、验证方法等内容. 本标准适用于干法刻蚀设备（以下简称刻蚀设备）的工艺性能的验证. 2规范性引用文件 AND INFORM 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条 凡是注期的引用文件，其随后的 修改单（不包含勘误的内容或修订版均不适用于本标准，然而、鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版水适用于本标准. GB/T2591512010 活净室及相类受控环境第1部分空气洁净度等级 3术语和定义 TECH 下列术语和定义适用于本标准. 3.1 刻线the critical dimension of etching 刻蚀设备能够达到预定刻效果（如：刻蚀率均匀性或深宽比等）的前提下，被刻蚀材料的最 小线条宽度两条掩模线条之间的最小间隔 3.2 深宽比the ratio of depth-to-width A90 满足一定陆直度要求的前提下，刻蚀槽的深度与顶部宽度的比值， 3.3 刻蚀均匀性 the uiniformity of etching 基片表面的薄膜层被去除的厚度或被刻蚀的槽深度的 刻蚀均匀性一般包括片内均匀性、片 间均匀性和批间均匀性.每批仅处理片的刻设备，片间均性与批间均匀性相同. 3.4 刻蚀速率the velocity of etching 刻蚀设备在满足刻蚀均匀性要求的前提下，单位时间内刻蚀的深度或去除的厚度. 4一般要求 4.1验证试验前受试刻蚀设备状态控制 应通过以下措施保证试验前受试刻蚀设备的技术状态： a)送验方应提前向承试方提交产品规范和受试刻蚀设备随机文件； b)受试刻蚀设备主要技术性能必须达到产品规范所规定的要求： c)承试方对受试刻蚀设备进行相应的调整和校准； ...

SJ 中华人民共和国电子行业标准 FL6190 SJ21257-2018 离子束溅射镀膜设备通用规范 General specification for ion beam film sputtering equipment 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布 SJ21257-2018 前言 本规范由中国电子科技集团公司提出. 本规范由工业和信息化部电子第四研究院归口. 本规范起草单位：中国电子科技集团公司第四十八研究所. 本规范主要起草人：胡凡、陈特超、刘欣、龙长林. AHISININ SJ STANDARDS SJ21257-2018 离子束溅射镀膜设备通用规范 1范围 本规范规定了离子束溅射镀膜设备的通用要求、质量保证规定、交货准备. 本规范适用于离子束溅射镀膜设备（以下简称设备）的设计、生产、检验和验收. 2规范性引用文件 AND INFORM 下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款. 君注图期的引用文件，其随后的 修改单（不包含助误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而、鼓同根据本规范达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本.凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范. GB/T191电包装储运家标活 GB2894安全标志及其使用导则 GB/T25915.12010 洁净室及相关受控环境第1部分空气洁净度等级 GJB151B2013军设备和分系统电磁发射和敏感度要求与测量 GJB1182-1991防包装和装箱等级 3要求 HIS CHNOLO 3.1外形尺寸 除合同有规定， 设备的长度应不大于3.5m 宽度应不大于1.5，管度应不大于2.2m. 3.2颜色 3.2.1指示灯及按钮颜色 设备指示灯的颜色及 其含义见表 设备按钮的颜色及其 1设备指示灯的颜色 具含 颜色 含义 说明 操作人员的操作 红 紧急 故障状况 立即对危险状态进行处理 黄 异常 异常 监视/干预 绿 正常 正常状况 正常操作 注：表中颜色、含义、说明及操作人员的操作符合GB/T4025-2010的规定. ...